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        [行業資訊]10N65場效應管參數|10N65(TO220)規格書資料|壹芯微[ 2022-02-24 16:42 ]
        10N65場效應管參數|10N65(TO220)規格書資料|壹芯微 產品類型 場效應管 產品型號 10N65 極性 NPN 漏源電壓 650V 漏極電流 10A 封裝 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-262,TO-263,TO-220F2
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        [行業資訊]10N65場效應管參數資料大全,10N65代換選型手冊[ 2021-10-12 16:06 ]
        10N65場效應管參數資料大全,10N65代換選型手冊10N65系列場效應管TO-220封裝引腳圖:壹芯微供應10N65系列的場效應管型號如下(尾綴不同,參數一致,主要區分材質、封裝與包裝方式)10N65L-TA3-T 10N65G-TA3-T 封裝形式TO-22010N65L-TF1-T 10N65G-TF1-T 封裝形式TO-220F110N65L-TF2-T 10N65G-TF2-T 封裝形式TO-220F210N65L-TF3-T 10N65G-TF3-T 封裝形式TO-220F10N65L-T2Q-T 1
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        [行業資訊]FQP12N65選型替代,12N65場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微[ 2021-08-31 15:29 ]
        FQP12N65選型替代,12N65場效應管參數中文資料PDF - 壹芯微12N65場效應管參數(電流(ID):12A,電壓(VDSS):650V),N溝道增強型場效應晶體管,10N65場效應管封裝形式為TO220,10N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS絕對最大額定值(Ta=25℃)SYMBOL符號 | PARAMETER參數 | VALUE價值 | UNIT單元VDSS,Drain-Source Voltage漏源電壓: 650V VGS,G
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        [行業資訊]10N65場效應管參數中文資料PDF(選型替代FQP10N65) - 壹芯微[ 2021-08-31 14:15 ]
        10N65場效應管參數中文資料PDF(選型替代FQP10N65) - 壹芯微10N65場效應管參數(電流(ID):10A,電壓(VDSS):650V),N溝道增強型場效應晶體管,10N65場效應管封裝形式為TO220,10N65場效應管封裝引腳規格書(PDF)壹芯微10N65數據手冊下還有熱特性,靜態特性與電氣參數等,建議自行閱讀觀看。10N65,TO220數據手冊(查看下載)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 絕對最大額定參數(Ta=25℃)SYMBOL符號 | PARAMETER參數 | VALU
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        [行業資訊]10N65 TO-220參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:17 ]
        10N65 TO-220參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微10N65(10A,650V N溝道場效應功率管)品牌:壹芯微|類型:場效應管|封裝:TO-220|參數達標 質量穩定 免費樣品 歡迎咨詢10N65場效應管主要參數參數\型號10N65極性NID(A)10VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)1.0RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)6.2Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)5.0封裝TO-220描述:壹芯10N6
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        [常見問題解答]〔壹芯〕生產10N65場效應管10A-650V,參數達標,質量穩定[ 2021-06-07 09:46 ]
        〔壹芯〕生產10N65場效應管7A-650V,參數達標,質量穩定場效應管(MOSFETS)型號:10N65       極性:NIDA(A):10       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):1.0 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):6.2 Vgs(V):40 Io(A):5.0封裝:TO-220場效應管的主要性能參數本文再次主要以VDMOS(垂直雙擴散MOS)為例進行介紹。VDMOS的結構如圖5-20所示。VDMOS的電性能參數如下。(1)闕
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