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[常見問題解答]650V與1,200V SiC肖特基勢壘二極管SCS2xxAN與SCS2xxKN的應用場景[ 2024-12-23 12:00 ]: 硅碳化合物（SiC）肖特基勢壘二極管因其優(yōu)異的高效率和耐壓性能而廣泛應用于電力電子行業(yè)。SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是兩種具有代表性的應用場景，展現(xiàn)出獨特的技術(shù)優(yōu)勢和可靠性，滿足現(xiàn)代高效電子元件設備的高要求。一、光伏逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng)需要高效率、低損耗的逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，SCS2xxAN提供650V電壓，具有中等介電強度和低開關(guān)損耗，非常適合在太陽能發(fā)電中使用。SCS2xxKN耐壓高達1200V，滿足大功率光伏系統(tǒng)要求，有效降低功率開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。二、電動汽車充電; http://www.kannic.com/Article/650vy1200v_1.html

[常見問題解答]探索碳化硅肖特基二極管在可再生能源電源中的應用[ 2024-06-08 14:37 ]: 新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G）：結(jié)合了傳統(tǒng)SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)的新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G），具有顯著提升的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性。通過優(yōu)化p區(qū)域，提高發(fā)射極效率和電導率，使其在正向電壓超過4V時能有效作為浪涌電流的旁路通道。此外，其優(yōu)化的浪涌電流功能允許在設計時針對應用中的平均電流條件進行調(diào)整，有效處理啟動和交流回落引起的浪涌及過電流。全球功率因數(shù)調(diào)整（PFC）市場趨勢： PFC市場的主要驅(qū)動力是全球性的減少諧波失真相關(guān)規(guī)定。歐洲的EN6100; http://www.kannic.com/Article/tsthgxtjej_1.html

[常見問題解答]SiC肖特基二級管在充電機電路中的應用介紹[ 2023-06-30 18:04 ]: 車載充電機是電動汽車內(nèi)部的核心部件，其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令，動態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù)，完成電動汽車的充電過程。作為一款電力電子設備，車載充電機功率電路主要由AC-DC和DC-DC電路組成。車載充電機充電框圖隨著電動汽車技術(shù)的不斷發(fā)展和人們?nèi)找嬖鲩L的充電效率需求，車載充電機的性能也在不斷地提升。傳統(tǒng)的Si器件由于其耐壓和開關(guān)頻率的限制，已經(jīng)不能滿足車載充電機日益增長的性能需求。而高耐壓、低損耗且具有高速開關(guān)特性的SiC器件，正逐步取代Si器件成為車載充電機的主流應用。下面我們以6.6kW車載充電機為例，介; http://www.kannic.com/Article/sicxtjejgz_1.html

[常見問題解答]提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性[ 2021-01-12 17:41 ]: 提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性半導體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時，由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要解決的熱點問題。一些SiC供應商已開始根據(jù)嚴格的工業(yè)和汽車（AEC-Q101）標準來認證SiC器件，而另一些供應商不但超出了這些認證標準的要求，還能為惡劣環(huán)境耐受性測試提供數(shù)據(jù)。為了使SiC器件在任務和安全關(guān)鍵型應用中保持較高的普及率，應將這種認證和測試策略與特定的設計規(guī)則; http://www.kannic.com/Article/tg4hsicxtj_1.html

[常見問題解答]晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程分析[ 2020-09-29 16:21 ]: 晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程分析晶體二極管開關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動化系統(tǒng)里應用很廣泛，在晶體二極管開關(guān)特性實驗中，其開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中輸出與輸入存在時間上的延遲或者滯后，研究晶體二極管開關(guān)特性主要是研究其開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程所需時間的長短。DQ系列二極管具有超快速軟恢復等優(yōu)點，極大地提高了晶體二極管的開關(guān)速度。隨著技術(shù)的發(fā)展，新型的SiC肖特基勢壘二極管與采用Si或GaAS技術(shù)的傳統(tǒng)功率二極管相比，SiC肖特基二極管(SiC-SBD)可大幅降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率。在AM-LCD中，用C60制作的勢壘二極管作為有源矩陣的開關(guān)，; http://www.kannic.com/Article/jtejgkgzhgc_1.html

[常見問題解答]晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程解析[ 2019-09-02 16:36 ]: 晶體二極管開關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動化系統(tǒng)里應用很廣泛，在晶體二極管開關(guān)特性實驗中，其開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中輸出與輸入存在時間上的延遲或者滯后，研究晶體二極管開關(guān)特性主要是研究其開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程所需時間的長短。Microsemi公司研制的DQ系列二極管具有超快速軟恢復等優(yōu)點，極大地提高了晶體二極管的開關(guān)速度。隨著技術(shù)的發(fā)展，新型的SiC肖特基勢壘二極管與采用Si或GaAS技術(shù)的傳統(tǒng)功率二極管相比，SiC肖特基二極管(SiC-SBD)可大幅降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率。在AM-LCD中，用C60制作的勢壘二極管作為有源矩陣的開關(guān); http://www.kannic.com/Article/jtejgkgzhg_1.html

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