新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G）： 結(jié)合了傳統(tǒng)SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)的新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G），具有顯著提升的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性。通過優(yōu)化p區(qū)域，提高發(fā)射極效率和電導(dǎo)率，使其在正向電壓超過4V時(shí)能有效作為浪涌電流的旁路通道。此外，其優(yōu)化的浪涌電流功能允許在設(shè)計(jì)時(shí)針對應(yīng)用中的平均電流條件進(jìn)行調(diào)整，有效處理啟動(dòng)和交流回落引起的浪涌及過電流。

全球功率因數(shù)調(diào)整（PFC）市場趨勢： PFC市場的主要驅(qū)動(dòng)力是全球性的減少諧波失真相關(guān)規(guī)定。歐洲的EN61000-3-2規(guī)范是直流供電市場的核心標(biāo)準(zhǔn)之一，英國、日本和中國均有類似標(biāo)準(zhǔn)。這些規(guī)范要求所有功耗超過75W的離線設(shè)備符合特定的諧波標(biāo)準(zhǔn)。在北美，由于缺乏相應(yīng)的管理規(guī)定，能源節(jié)約和成本效益成為采用PFC的額外驅(qū)動(dòng)因素，尤其是在消費(fèi)電子、計(jì)算設(shè)備和通信領(lǐng)域。

主動(dòng)PFC的應(yīng)用模式： 主動(dòng)PFC技術(shù)分為不連續(xù)電流模式（DCM）和連續(xù)電流模式（CCM）。DCM主要用于75W至300W的輸出功率，而CCM適用于超過300W的應(yīng)用。輸出功率超過250W的情況下，PFC技術(shù)由于效率的補(bǔ)償性提升而顯得成本效益高，幾乎不增加額外成本。

PFC與服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)（SSI）的一致性要求： 主動(dòng)功率因數(shù)校正是符合服務(wù)器系統(tǒng)架構(gòu)（SSI）標(biāo)準(zhǔn)的重要要求。供電模塊應(yīng)采用帶有主動(dòng)功率因數(shù)校正的通用電源輸入，以減少諧波并符合EN61000-3-2及JEIDA MITI標(biāo)準(zhǔn)。此外，高功率密度的應(yīng)用需要提供寬廣的輸入電壓范圍（85~265V），這對PFC級(jí)電路中使用的半導(dǎo)體提出了特別的技術(shù)要求。

MOSFET的操作性能和重要性： 在85V交流電壓輸入時(shí)，MOSFET需要極低的Rdson以減少傳導(dǎo)熱損失，因?yàn)檫@些損失與輸入電壓的立方反比相關(guān)。高頻率操作的MOSFET顯著降低了升壓抑制，因此，快速的開關(guān)特性對于MOSFET至關(guān)重要。同時(shí)，升壓二極管應(yīng)具備快速開關(guān)、低Vf和低Qrr特性，以減輕在通電時(shí)的峰值電流壓力。低Qrr特性對于避免溫度和Rdson的增加、減少功率損失并提高效率尤其關(guān)鍵。

碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用優(yōu)勢： 碳化硅肖特基二極管由于其無反向恢復(fù)電荷、反向特性與開關(guān)速度、溫度和正向電流無關(guān)的特性，極大地減少了PFC應(yīng)用中的功率損耗。這在需要滿足高效率標(biāo)準(zhǔn)，如80plus等法規(guī)的服務(wù)器和高端PC電源中尤為重要。利用這些特性，SiC肖特基二極管不僅提高了系統(tǒng)效率，還減小了無源器件的體積，對于高功率應(yīng)用來說，這些優(yōu)勢是不可或缺的。