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            當(dāng)前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： rdson
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]L5972D降壓穩(wěn)壓器技術(shù)規(guī)格與應(yīng)用場景詳解[
                                        2025-04-15 15:42
                                        ]
        
                                
        
                                    L5972D是一款高效的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)定電壓的各種電力系統(tǒng)中。作為一款集成度高的電源管理芯片，L5972D能夠提供穩(wěn)定的輸出電壓，適用于多種電子設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用。一、技術(shù)規(guī)格L5972D的核心功能是降壓穩(wěn)壓，它采用內(nèi)置P溝道D-MOS晶體管作為開關(guān)元件，典型的Rdson值為250mΩ。此設(shè)計不僅減少了外部元件的體積，還提升了效率，使得L5972D在各種復(fù)雜環(huán)境下都能夠提供高效穩(wěn)定的電流。1. 輸入電壓范圍L5972D支持寬廣的輸入電壓范圍，從4.4V到36V，這使得它在不同的電源系統(tǒng)中具有較高的兼
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/l5972djywy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]開關(guān)電源的Boost電路圖文解析[
                                        2024-01-18 18:48
                                        ]
        
                                
        
                                    開關(guān)電源的Boost電路圖文解析1 、Boost電路原理開關(guān)電源Boost電路是一種升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其輸出電壓高于輸入電壓。Boost電路拓?fù)鋱D如下圖所示，該電路由開關(guān)管Q、電感L、輸出濾波電容C、二極管D和負(fù)載R組成。其中開關(guān)管通常由PWM波驅(qū)動導(dǎo)通和關(guān)閉，控制電感儲能、釋放能量，進(jìn)而實現(xiàn)升壓。Boost電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖開關(guān)管Q導(dǎo)通時，導(dǎo)通電阻RdsON很小，相當(dāng)于短路，此時，二極管左側(cè)短路到地，右側(cè)電容電壓不能突變，因此二極管處于處于截止?fàn)顟B(tài)。輸入電源Vin給電感L充電，電感儲能，因為電感兩端電流不能突
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/kgdydboost_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]場效應(yīng)MOS管電源開關(guān)電路的缺點介紹[
                                        2023-11-24 18:13
                                        ]
        
                                
        
                                    場效應(yīng)管MOS管電源開關(guān)電路的缺點介紹MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個缺點：1.管壓降較大我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/cxymosgdyk_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]電路設(shè)計，電源開關(guān)MOS管電路分析[
                                        2023-10-12 18:09
                                        ]
        
                                
        
                                    電路設(shè)計，電源開關(guān)MOS管電路分析MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個缺點：1.管壓降較大我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在1歐
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dlsjdykgmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業(yè)資訊]SSF5NS70D場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營 - 壹芯微[
                                        2021-09-30 11:24
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                                    SSF5NS70D場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營 - 壹芯微型號：SSF5NS70D 極性：N溝道；電壓：700V 電流：5A；封裝：TO-252 促銷價格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷SSF5NS70D參數(shù)中文資料,SSF5NS70D封裝管腳引腳圖,SSF5NS70D規(guī)格書:查看下載SSF5N50D的概述：SSF5NS70G/D/F系列MOSFET是一項新技術(shù)，結(jié)合了創(chuàng)新技術(shù)和推進(jìn)過程。 這項新技術(shù)實現(xiàn)了低Rdson、節(jié)能、高可靠性和均勻性、卓越的功率密度和節(jié)省空間。SSF5N50D的特性：高
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/ssf5ns70dc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]多個場效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微[
                                        2021-08-04 12:08
                                        ]
        
                                
        
                                    多個場效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微1. MOS管并聯(lián)的可行性分析由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)。2. MOS管的并聯(lián)電路理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長，分布電感電容加大，對于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dgcxymosgd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]內(nèi)置肖特基二極管的MOSFET能不能提高應(yīng)用性能[
                                        2019-11-29 14:54
                                        ]
        
                                
        
                                    當(dāng)一個功率MOSFET被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流時，體漏二極管的特性及質(zhì)量因子將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時，集成肖特基二極管的新60V“F7”功率MOSFET確保能效和換向性能更加出色。在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon和Qg兩個參數(shù)并不是對功率MOSFET的唯一要求，實際上，本征體漏二極管的動態(tài)特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,diode)影響開關(guān)在續(xù)流期間(開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，電流從源極經(jīng)本征二極管流至漏極)的功率損耗；反向恢
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/nzxtjejgdm_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]酷MOS管-超結(jié)MOS管選型與作用[
                                        2019-09-04 14:43
                                        ]
        
                                
        
                                    一、酷MOS管選型1、一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個參數(shù) BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是這幾個參數(shù)，只有Qg和Id是交流參數(shù)，其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動態(tài)參數(shù)，其實是變壞的。25度的電流是100A，也許125度的時候，電流只有50A，所以選型的時候要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。那選好了電壓、電流，剩下就是看Coolmos的損耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 較低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的導(dǎo)通損耗必然較之平面管要低不少。MOS的另外一個損
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/kmosgcjmos_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業(yè)QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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