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        [常見問題解答]如何有效挑選功率MOSFET:實用策略與技巧[ 2024-11-02 12:04 ]
        在電子設計領域,功率MOSFET的選擇是系統性能的關鍵因素。以下是一些實用策略和技術,以幫助工程師更有效地選擇合適的功率MOSFET。一、確定應用要求在開始選擇功率MOSFET之前,必須首先明確以下幾點:1. 工作電壓范圍:了解功率MOSFET的最大輸入電壓非常重要。功率MOSFET的介電強度(BVDSS)必須高于最大系統電壓,以避免在運行期間損壞。對于某些電源應用,600 V或650 V MOSFET是常見選擇。2. 工作頻率:開關頻率可能會根據應用的不同而有很大差異,通常MOSFET是高頻的,而電機驅動器可能是
        http://www.kannic.com/Article/rhyxtxglmo_1.html3星
        [常見問題解答]MOSFET場效應管電性能相關參數介紹[ 2023-06-25 15:27 ]
        場效應管MOSFET電性能相關參數介紹本篇主要介紹電性能相關的參數。相關的參數如下表所示圖:電性能相關參數1、漏-源極擊穿電壓(BVDSS)BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿,且雪崩倍增引發大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。BVDSS的含義雖然與VDS略有差異,但是在數值上一般是相同的。一般技術手冊中給出的VDSS為額定值,BVDSS給出的是最小值,所謂數值相同,是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。VDS電壓偶爾超過VDSS,MOSFET會進入雪崩擊穿區,可能不會馬上損壞MOSFET,但是經常超過的
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        [常見問題解答]MOSFET的失效機理介紹[ 2023-05-06 17:11 ]
        MOSFET的失效機理介紹MOSFET的失效機理:dV/dt失效和雪崩失效本文的關鍵要點當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,會造成擊穿并引發雪崩擊穿。發生雪崩擊穿時,會流過大電流,存在MOSFET失效的危險。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。dV/dt是單位時間內的電壓變化量,VDS的上升坡度越陡,越容易發生MOSFET的dV/dt失效問題。一
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        [常見問題解答]mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結與詳解[ 2020-03-13 12:24 ]
        mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結與詳解mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結MOS管失效的原因如下:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區引起失效,分為Id超出器件規格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中,由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4:諧
        http://www.kannic.com/Article/mosgsxmsfx_1.html3星
        [常見問題解答]mos管SOT23封裝型號大全與引腳順序排列定義[ 2019-05-28 12:35 ]
        壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,mos管SOT23封裝型號大全與引腳順序排列定義,請看下方SOT23封裝mos管型號SOT-23N-CHANNELPart Number ID (A) BVDSS (V) RDS(ON)(Ω)2300 6 20 0.032302 3 20 0.0652304 2.5
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