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        [常見問題解答]如何有效挑選功率MOSFET：實用策略與技巧[
                                        2024-11-02 12:04
                                        ]
        
                                
        
                                    在電子設計領域，功率MOSFET的選擇是系統性能的關鍵因素。以下是一些實用策略和技術，以幫助工程師更有效地選擇合適的功率MOSFET。一、確定應用要求在開始選擇功率MOSFET之前，必須首先明確以下幾點：1. 工作電壓范圍：了解功率MOSFET的最大輸入電壓非常重要。功率MOSFET的介電強度（BVDSS）必須高于最大系統電壓，以避免在運行期間損壞。對于某些電源應用，600 V或650 V MOSFET是常見選擇。2. 工作頻率：開關頻率可能會根據應用的不同而有很大差異，通常MOSFET是高頻的，而電機驅動器可能是
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhyxtxglmo_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET場效應管電性能相關參數介紹[
                                        2023-06-25 15:27
                                        ]
        
                                
        
                                    場效應管MOSFET電性能相關參數介紹本篇主要介紹電性能相關的參數。相關的參數如下表所示圖：電性能相關參數1、漏-源極擊穿電壓（BVDSS）BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。BVDSS的含義雖然與VDS略有差異，但是在數值上一般是相同的。一般技術手冊中給出的VDSS為額定值，BVDSS給出的是最小值，所謂數值相同，是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。VDS電壓偶爾超過VDSS，MOSFET會進入雪崩擊穿區，可能不會馬上損壞MOSFET，但是經常超過的
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetcxyg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET的失效機理介紹[
                                        2023-05-06 17:11
                                        ]
        
                                
        
                                    MOSFET的失效機理介紹MOSFET的失效機理：dV/dt失效和雪崩失效本文的關鍵要點當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發雪崩擊穿。發生雪崩擊穿時，會流過大電流，存在MOSFET失效的危險。MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度越陡，越容易發生MOSFET的dV/dt失效問題。一
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdsxj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結與詳解[
                                        2020-03-13 12:24
                                        ]
        
                                
        
                                    mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結與詳解mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結MOS管失效的原因如下：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgsxmsfx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]mos管SOT23封裝型號大全與引腳順序排列定義[
                                        2019-05-28 12:35
                                        ]
        
                                
        
                                    壹芯微作為國內專業生產二三極管的生產廠家,生產技術已經是非常的成熟,進口的測試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩定好品質,也有專業的工程師在把控穩定質量,協助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會分享一些知識或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,mos管SOT23封裝型號大全與引腳順序排列定義,請看下方SOT23封裝mos管型號SOT-23N-CHANNELPart Number	ID (A)	BVDSS （V）	RDS（ON）（Ω）2300	6	20	0.032302	3	20	0.0652304	2.5	
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgsot23f_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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