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        [常見問題解答]高效能與低功耗:AO8822 MOS管特點與應用解析[ 2024-12-26 11:41 ]
        AO8822是一款廣泛應用于低功耗設計領域的雙NMOS晶體管。其優異的性能和多樣化的應用場景使其成為眾多電子工程師首選的分立器件之一。我們從實際應用的角度來分析如何在各種情況下同時實現高性能和低功耗。一、AO8822的主要特點1. 電阻僅為0.018歐姆該功能大大降低了器件開啟時的功耗,非常適合需要頻繁開關的電路。這在高負載下連續運行時尤其重要。2. 高電流容量AO8822支持高達7A的連續漏極電流,最大漏源電壓為20V。這種能力使其能夠處理高功率或高峰值電流的情況,表現出很強的適應性。3. 快速開關速度該器件具有
        http://www.kannic.com/Article/gxnydghao8_1.html3星
        [技術文章]SS34 典型應用電路[ 2024-04-20 12:00 ]
        SS34 是一種廣泛應用于電子設備的半導體元件,通常作為肖特基二極管使用。這種元件因其獨特的參數特點和高效的應用場景而被廣泛采用。以下是關于 SS34 的一些詳細應用場景和參數特點。一、SS34 的參數特點1. 低正向電壓降:SS34 提供較低的正向電壓降,通常在0.5V左右,這使得它在需要高效電力轉換的應用中非常有用。2. 高電流容量:該元件能夠處理的最大電流達到3A,這使得 SS34 特別適合于高電流應用場景。3. 快速開關速度:SS34 具有快速的開關響應時間,有助于提高整個系統的響應速度和效率。4. 高溫穩
        http://www.kannic.com/Article/ss34dxyydl_1.html3星
        [行業資訊]UTT60N10L-TN3-R(MOS場效應管) UTT60N10L-TN3-R參數中文資料 - 壹芯微[ 2021-09-13 09:40 ]
        UTT60N10L-TN3-R(MOS場效應管) UTT60N10L-TN3-R參數中文資料 - 壹芯微UTT60N10L-TN3-R場效應管主要參數 極性:N溝道;電壓(VDSS):100V;電流(ID):60A;封裝(Pageke):TO-252;大芯片,高品質,原廠批量直銷,提供技術支持,免費送樣測試,替代原裝進口品牌型號RDS(ON)=18mΩ @ VGS=10V,ID=20A高開關速度高電流容量低柵極電荷(典型值為 50nC)Drain-Source Voltage漏源電壓VDSS 100 VGate-S
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        [行業資訊]UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N溝道[ 2021-09-11 11:30 ]
        UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N溝道UTT60N10G-TN3-R(N溝道增強型場效應晶體管);UTT60N10G-TN3-R場效應管參數;UTT60N10G-TN3-R場效應管封裝引腳圖;UTT60N10G-TN3-R場效應管中文資料規格書(PDF);  電流(ID):60A,電壓(VDSS):100V,封裝形式:TO252 產品概要* RDS(ON)<24mΩ @ VGS=10V, ID=30A* 高切換速度* 高電流容量絕對最大額定
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