久久精品国产亚洲av电影,中文字幕日本人妻久久久免费 ,女人扒下裤让男人桶到爽

[常見問題解答]高效200W開關(guān)電源設(shè)計(jì)：功率級(jí)電路分析與優(yōu)化[ 2025-04-24 15:12 ]

隨著電子設(shè)備對(duì)高效電源的需求不斷增長(zhǎng)，200W開關(guān)電源在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中得到了廣泛的應(yīng)用。為了提高功率轉(zhuǎn)換效率并減少能量損失，200W開關(guān)電源的設(shè)計(jì)需要在功率級(jí)電路優(yōu)化方面做到精益求精。1. 200W開關(guān)電源的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)在設(shè)計(jì)200W開關(guān)電源時(shí)，面臨的最大挑戰(zhàn)之一是如何平衡功率密度與系統(tǒng)穩(wěn)定性。由于功率較高，電源內(nèi)部的功率器件、磁性元件及熱管理系統(tǒng)必須精心設(shè)計(jì)，確保電源系統(tǒng)在提供足夠功率的同時(shí)，不會(huì)因過熱或過載而出現(xiàn)故障。此外，為了提升電源的整體效率，設(shè)計(jì)師還需考慮如何減少開關(guān)損耗、提高電流的傳輸效率，并確保電源具備良

http://www.kannic.com/Article/gx200wkgdy_1.html

[常見問題解答]IGBT功率模塊散熱不良的常見原因與優(yōu)化思路[ 2025-04-12 11:01 ]

在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊已經(jīng)成為逆變器、電源、充電樁、新能源汽車及工業(yè)自動(dòng)化等核心領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，在實(shí)際應(yīng)用過程中，IGBT模塊的散熱問題卻始終是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和使用壽命的重要因素。一旦散熱處理不當(dāng)，極易導(dǎo)致器件溫度升高、性能衰退甚至失效。一、散熱不良的常見原因1. 熱阻過大是根源問題很多工程現(xiàn)場(chǎng)的IGBT模塊散熱問題，往往與熱阻過大密不可分。熱阻存在于IGBT內(nèi)部芯片與DBC基板之間、DBC與散熱器之間、以及散熱器與外界空氣之間。如果這三個(gè)位置的接觸不良、材料不佳

http://www.kannic.com/Article/igbtglmksr_1.html

[常見問題解答]GaN MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)與實(shí)戰(zhàn)技巧[ 2025-04-12 10:40 ]

隨著氮化鎵（GaN）MOSFET器件在電力電子和高頻開關(guān)電源領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)逐漸成為工程開發(fā)中的關(guān)鍵技術(shù)之一。得益于GaN器件高開關(guān)速度、低損耗和高電壓承受能力的特性，合理而高效的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)不僅直接影響電路性能，還決定了系統(tǒng)穩(wěn)定性和使用壽命。一、驅(qū)動(dòng)GaN MOS管的核心設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)氮化鎵MOS管雖然性能優(yōu)越，但與傳統(tǒng)硅MOS相比，其在驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)存在顯著差異。以下幾點(diǎn)是GaN驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)常見且必須重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)難題：1. 柵極耐壓低GaN MOS柵極耐壓普遍只有6V~10V，遠(yuǎn)低于Si MOS。因此，驅(qū)動(dòng)電壓

http://www.kannic.com/Article/ganmosqddl_1.html

[常見問題解答]從參數(shù)出發(fā)：如何精確估算功率二極管的功率損耗[ 2025-04-07 10:54 ]

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程中，功率二極管因其承載能力強(qiáng)、導(dǎo)通性能穩(wěn)定而被廣泛用于整流、電源管理及保護(hù)電路中。然而，伴隨電流通過二極管時(shí)所產(chǎn)生的功耗，不僅影響整體能效，還可能帶來熱管理挑戰(zhàn)。因此，精準(zhǔn)地估算功率二極管的功耗，對(duì)于提升電路可靠性與系統(tǒng)穩(wěn)定性具有重要意義。一、功率損耗的主要組成功率二極管的功耗主要包括以下兩個(gè)部分：1. 導(dǎo)通功耗（P<sub>F</sub>）：當(dāng)二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，電流通過其PN結(jié)所產(chǎn)生的壓降會(huì)造成功率消耗。2. 反向漏電損耗（P<sub>R</sub&

http://www.kannic.com/Article/ccscfrhjqg_1.html

[常見問題解答]深入了解MDD整流二極管：正向?qū)ㄅc反向恢復(fù)的參數(shù)分析[ 2025-04-02 10:54 ]

MDD整流二極管作為電子線路中的基礎(chǔ)器件，常被用于交流轉(zhuǎn)直流、電機(jī)控制以及各類電源變換場(chǎng)合。它在工作過程中所展現(xiàn)出的開關(guān)特性，特別是正向?qū)ㄅc反向恢復(fù)性能，關(guān)系到整個(gè)電路的運(yùn)行效率、抗干擾能力和系統(tǒng)穩(wěn)定性。掌握這些關(guān)鍵參數(shù)，有助于工程師更合理地進(jìn)行器件選型與電路優(yōu)化。一、正向?qū)ㄌ匦哉驅(qū)ㄌ匦哉f明二極管在正向偏置下如何工作。當(dāng)整流二極管受到正向電壓時(shí)，它會(huì)導(dǎo)通。然而，為了保持導(dǎo)通狀態(tài)，二極管必須克服正向壓降(VF)，二極管的正向電流(IF)也影響導(dǎo)通損耗和效率。1. 關(guān)鍵參數(shù)- 正向壓降（VF）：這是二極管在導(dǎo)通

http://www.kannic.com/Article/srljmddzle_1.html

[常見問題解答]深入剖析LED電源設(shè)計(jì)中的四大核心難題[ 2025-03-31 11:14 ]

隨著LED照明技術(shù)的不斷發(fā)展，其在各類應(yīng)用場(chǎng)景中所占比重逐漸增大，從家用照明到工業(yè)照明，再到城市景觀亮化，LED燈具憑借節(jié)能、高效、長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。然而，在LED產(chǎn)品的實(shí)際應(yīng)用中，電源驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)質(zhì)量直接影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性與壽命。一、功率冗余與熱設(shè)計(jì)的平衡在LED照明系統(tǒng)中，電源不僅要滿足輸出恒流、恒壓的功能，還需面對(duì)長(zhǎng)時(shí)間高溫工作的考驗(yàn)。LED光源本身會(huì)產(chǎn)生熱量，而驅(qū)動(dòng)電源作為系統(tǒng)中另一個(gè)發(fā)熱源，若設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成局部溫升過高。為提升系統(tǒng)穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)人員通常會(huì)在額定功率之上預(yù)留15%~30%的余量。然

http://www.kannic.com/Article/srpxleddys_1.html

[常見問題解答]淺析新能源汽車電路中常見二極管類型與功能定位[ 2025-03-31 10:40 ]

隨著新能源汽車技術(shù)的飛速發(fā)展，整車的電氣架構(gòu)愈發(fā)復(fù)雜，各類半導(dǎo)體器件在系統(tǒng)穩(wěn)定性與能效方面的作用日益顯著。二極管作為一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但功能多樣的基本電子器件，在新能源汽車的多個(gè)關(guān)鍵系統(tǒng)中被廣泛部署。從電流整流、反向保護(hù)到浪涌抑制，不同種類的二極管各司其職，協(xié)同保障整車電路的高效與安全運(yùn)行。一、標(biāo)準(zhǔn)整流二極管：完成基本電能轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)整流二極管是最基礎(chǔ)的二極管類型，主要功能是將交流電流轉(zhuǎn)換為單向的直流電流。在新能源汽車中，這類器件多用于車載充電器（OBC）內(nèi)部的AC-DC整流環(huán)節(jié)。電網(wǎng)輸入為交流電，需通過整流過程為動(dòng)力電池系

http://www.kannic.com/Article/qxxnyqcdlz_1.html

[常見問題解答]MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)選擇對(duì)開關(guān)性能的關(guān)鍵影響分析[ 2025-03-28 11:27 ]

在現(xiàn)代電力電子與高速開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心器件，其驅(qū)動(dòng)方式直接影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而在眾多驅(qū)動(dòng)參數(shù)中，驅(qū)動(dòng)電阻的選型尤為關(guān)鍵，它在MOSFET開通與關(guān)斷過程中的作用不可忽視。合理設(shè)定驅(qū)動(dòng)電阻不僅影響開關(guān)速度和損耗，也關(guān)系到EMI、系統(tǒng)穩(wěn)定性以及器件可靠性等多個(gè)方面。一、驅(qū)動(dòng)電阻的作用機(jī)制MOSFET的柵極控制回路本質(zhì)上可以看作是一個(gè)RC充放電電路。由于MOS管的柵極存在一定的輸入電容（主要包括Cgs、Cgd等），在驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)加載至柵極時(shí)，需要一定時(shí)間將電容充電至開啟電壓。同樣，在關(guān)斷時(shí)

http://www.kannic.com/Article/mosfetqddz_1.html

[常見問題解答]DC-DC轉(zhuǎn)換器電感計(jì)算方法詳解，新手也能學(xué)會(huì)！[ 2025-03-18 12:05 ]

DC-DC轉(zhuǎn)換器在電子電路中扮演著重要角色，而電感則是其中關(guān)鍵的元件之一。合理選擇電感值，能夠優(yōu)化電路的效率、降低紋波，并提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。很多工程師可能直接采用推薦值進(jìn)行設(shè)計(jì)，但要真正理解并掌握電感的計(jì)算方法，才能更好地滿足特定需求。一、電感在DC-DC轉(zhuǎn)換器中的作用電感在DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主要作用是儲(chǔ)能和濾波。在降壓（Buck）轉(zhuǎn)換器中，電感用于調(diào)節(jié)電流的變化，使得輸出電壓更加平穩(wěn)。當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，電感儲(chǔ)存能量，而在關(guān)斷時(shí)，電感釋放能量，維持電流的連續(xù)性。如果電感值選擇不當(dāng)，會(huì)導(dǎo)致電流波動(dòng)過大，影響電路性能，甚

http://www.kannic.com/Article/dcdczhqdgj_1.html

[常見問題解答]MOS管過熱問題解析：散熱設(shè)計(jì)與驅(qū)動(dòng)波形優(yōu)化全攻略[ 2025-03-15 11:20 ]

MOS管的過熱問題是電子工程領(lǐng)域常見的挑戰(zhàn)，尤其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換和逆變器等高功率應(yīng)用中，MOS管的溫升過高會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)穩(wěn)定性下降，甚至觸發(fā)過溫保護(hù)，影響設(shè)備壽命。一、MOS管發(fā)熱的根源分析MOS管的溫升問題主要源于能量損耗，具體包括以下幾種關(guān)鍵損耗：1. 導(dǎo)通損耗導(dǎo)通損耗與MOS管的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和工作電流（ID）密切相關(guān)，其計(jì)算公式如下：P = ID² × Rds(on) × D其中D代表占空比。在一個(gè)50A的電機(jī)驅(qū)動(dòng)案例中，假設(shè)Rds(on) = 5mΩ，占空比D

http://www.kannic.com/Article/mosggrwtjx_1.html

[常見問題解答]變?nèi)荻O管的基本原理及其在電路中的應(yīng)用[ 2025-03-10 10:12 ]

變?nèi)荻O管（Varactor Diode），又稱調(diào)諧二極管，是一種具備電容可調(diào)特性的半導(dǎo)體元件。它的主要作用是通過調(diào)節(jié)反向偏壓來改變結(jié)電容，從而實(shí)現(xiàn)頻率控制，因此廣泛用于無線通信、射頻調(diào)諧和自動(dòng)頻率控制等電路。與普通二極管不同，變?nèi)荻O管在設(shè)計(jì)上更加注重電容隨電壓變化的穩(wěn)定性和可控性。制造過程中采用特殊的摻雜技術(shù)，以優(yōu)化PN結(jié)的特性，使其在不同偏壓下具備更優(yōu)的線性調(diào)節(jié)性能，從而提升調(diào)諧精度和系統(tǒng)穩(wěn)定性。一、變?nèi)荻O管的基本工作原理1. PN結(jié)的電容特性變?nèi)荻O管的基本工作原理基于PN結(jié)的反向偏壓控制。當(dāng)PN結(jié)處于反

http://www.kannic.com/Article/brejgdjbyl_1.html

[常見問題解答]了解差分運(yùn)放電路：基本構(gòu)成與工作機(jī)制[ 2025-02-28 10:27 ]

差分運(yùn)放電路是一種常見的模擬電路，廣泛應(yīng)用于信號(hào)放大和處理。它的核心功能是放大輸入信號(hào)的差值，并有效抑制共模信號(hào)，進(jìn)而提升信號(hào)質(zhì)量和系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種電路在音頻放大、傳感器信號(hào)處理以及各類測(cè)量設(shè)備中都有著至關(guān)重要的應(yīng)用。一、差分運(yùn)放電路的基本構(gòu)成差分運(yùn)放電路主要由運(yùn)算放大器（運(yùn)放）和若干外部元件構(gòu)成，運(yùn)放作為核心組件，負(fù)責(zé)對(duì)輸入信號(hào)的放大。其基本構(gòu)成可以簡(jiǎn)單地分為以下幾個(gè)部分：1. 輸入端差分運(yùn)放電路的輸入部分包括兩個(gè)信號(hào)端，分別是正輸入端（非反向輸入）和負(fù)輸入端（反向輸入）。這兩個(gè)輸入端分別接收來自不同信號(hào)源的信號(hào)

http://www.kannic.com/Article/ljcfyfdljb_1.html

[常見問題解答]開關(guān)電源MOSFET損耗分析與優(yōu)化選型技巧[ 2025-02-18 12:13 ]

在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心的開關(guān)器件，扮演著至關(guān)重要的角色。其性能直接決定了電源的效率、熱管理以及整體的系統(tǒng)穩(wěn)定性。盡管MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)特性，但在實(shí)際工作中，MOSFET依然會(huì)面臨多種損耗問題，這些損耗會(huì)影響系統(tǒng)的效率，增加熱負(fù)荷，甚至縮短器件壽命。因此，在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)過程中，進(jìn)行MOSFET損耗分析和優(yōu)化選型顯得尤為重要。一、MOSFET工作損耗的類型MOSFET的工作損耗主要可分為以下幾類：1. 導(dǎo)通損耗：發(fā)生在MOSFET完全開啟時(shí)，由漏極電流通過導(dǎo)通電阻RDS(on)

http://www.kannic.com/Article/kgdymosfet_1.html

[常見問題解答]從電子變壓器到DAB電路：探索新能源產(chǎn)業(yè)中的高效能技術(shù)創(chuàng)新[ 2024-12-31 11:10 ]

隨著全球?qū)π履茉吹男枨蟛粩嘣鲩L(zhǎng)，提升能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性已成為行業(yè)面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。在此過程中，特別是在新能源領(lǐng)域，雙向DC-DC變換器電路（DAB）逐漸成為核心技術(shù)，而電子變壓器在DAB電路中的使用帶來了重大的技術(shù)革新，提高了能源效率和可靠性。一、電子變壓器的基本作用電子變壓器是電力電子設(shè)備的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域。其核心功能是通過高效的能量轉(zhuǎn)換來穩(wěn)定不同電壓的電力系統(tǒng)。電子變壓器在新能源領(lǐng)域，特別是風(fēng)能和光伏系統(tǒng)中尤為重要。它確保不同設(shè)備之間的無損電力傳輸。為適應(yīng)不同的工作環(huán)境，電子變壓器不僅提高了

http://www.kannic.com/Article/cdzbyqddab_1.html

[常見問題解答]差分信號(hào)技術(shù)在傳感器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用[ 2024-12-28 12:01 ]

差分信號(hào)技術(shù)作為一種有效的信號(hào)傳輸方法在許多精密電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。特別是在傳感器設(shè)計(jì)中，常常采用差分信號(hào)技術(shù)來提高測(cè)量精度、干擾抑制和系統(tǒng)穩(wěn)定性，并結(jié)合差分信號(hào)技術(shù)在傳感器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)以及具有特定應(yīng)用的現(xiàn)代傳感器來解釋差分信號(hào)技術(shù)在系統(tǒng)中的重要性。數(shù)據(jù)在通過傳輸兩個(gè)相反信號(hào)編碼的差分信號(hào)期間傳輸。與傳統(tǒng)的單端信號(hào)傳輸相比，差分信號(hào)傳輸利用兩根信號(hào)線之間的電壓差來傳輸信息，有效抑制共模噪聲，提高信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。通過接收端的差分放大器提取兩者之間的差異，恢復(fù)原始信號(hào)。在傳感器設(shè)計(jì)中，差分信號(hào)技術(shù)可以有效提高信

http://www.kannic.com/Article/cfxhjszcgq_1.html

[常見問題解答]從阻抗到性能：揭秘多層PCB阻抗板的關(guān)鍵技術(shù)與作用[ 2024-11-16 15:02 ]

多層PCB阻抗板在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和信號(hào)傳輸速度的提高，不僅阻抗板設(shè)計(jì)起著重要作用，信號(hào)完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性也至關(guān)重要。本文詳細(xì)介紹了多層PCB阻抗板的主要技術(shù)，并分析了它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中的重要作用。一、什么是多層PCB阻抗板多層PCB阻抗板是一種具有精確阻抗控制能力的電路板。其設(shè)計(jì)主要通過控制線寬、介電材料、導(dǎo)體間距等參數(shù)來實(shí)現(xiàn)特定的阻抗值。阻抗控制的目的是保證信號(hào)在高頻環(huán)境下穩(wěn)定，避免反射、衰減和失

http://www.kannic.com/Article/czkdxnjmdc_1.html

[常見問題解答]MOS管導(dǎo)通特性詳解：如何選擇適合的器件以提升系統(tǒng)穩(wěn)定性[ 2024-11-11 14:37 ]

MOS管或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管在電氣工程中發(fā)揮著重要作用，特別是在電源管理和信號(hào)控制方面。選擇合適的MOS管不僅關(guān)系到導(dǎo)電性能的匹配，還關(guān)系到電路的穩(wěn)定性和整體系統(tǒng)性能。本文詳細(xì)介紹了MOS管的導(dǎo)通特性以及影響其導(dǎo)通特性的主要參數(shù)，并為選型以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性提供了實(shí)用建議。一、MOS管導(dǎo)通特性概述MOS管的導(dǎo)通特性是指在各種電壓條件下其對(duì)控制信號(hào)的響應(yīng)方式。線路特性通常包括導(dǎo)通電阻、線路電流和線路電壓之間的關(guān)系，這些因素決定了MOS管的導(dǎo)通效率和開關(guān)速度。在電路中，MOS管能夠高效且穩(wěn)定地工作，特別適用于需

http://www.kannic.com/Article/mosgdttxxj_1.html

[常見問題解答]MOS管尖峰電壓：成因、影響與防護(hù)措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻而被廣泛用作開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的核心器件。然而，在高頻、大電流的工作環(huán)境下，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)峰值電壓，這不僅影響系統(tǒng)穩(wěn)定性，還會(huì)造成設(shè)備損壞。本文詳細(xì)分析了MOS管出現(xiàn)峰值電壓的原因、對(duì)電路的影響以及常見的保護(hù)措施。一、MOS管中產(chǎn)生峰值電壓的原因主要與電路中的寄生參數(shù)和開關(guān)過程中的電氣特性有關(guān)。1. 寄生電容的影響MOS管工作時(shí)，存在內(nèi)部寄生電容，例如柵源電容（Cgs）和漏源電容（Cds）。這些寄生電容在MOS管的開關(guān)過程中進(jìn)行充電和放電。特別是當(dāng)MOS管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂範(fàn)?/dd>

http://www.kannic.com/Article/mosgjfdycy_1.html

[常見問題解答]如何有效診斷和修復(fù)功率MOSFET的典型故障[ 2024-10-09 14:42 ]

功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在電力電子器件中發(fā)揮著重要作用。由于具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通電阻低、響應(yīng)速度快等主要優(yōu)點(diǎn)，在電源中得到廣泛應(yīng)用。但由于工作環(huán)境復(fù)雜，功率MOSFET也容易出錯(cuò)。本文介紹如何有效診斷典型功率MOSFET故障，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。一、常見功率 MOSFET 故障類型在開始診斷之前，了解最常見的功率MOSFET故障類型非常重要。1. 雪崩故障擊穿是功率MOSFET故障的常見形式，在過大張力的影響下發(fā)生。外部浪涌或感性負(fù)載引起的高壓尖峰可能會(huì)導(dǎo)致漏源電壓超過器件的額定值，從而

http://www.kannic.com/Article/rhyxzdhxfg_1.html

[常見問題解答]避免干擾：在PCB設(shè)計(jì)中正確區(qū)分模擬地和數(shù)字地的重要性[ 2024-09-10 11:43 ]

在精密電子設(shè)備的PCB（印刷電路板）設(shè)計(jì)中，正確區(qū)分模擬地和數(shù)字地是確保整體系統(tǒng)穩(wěn)定性和性能的關(guān)鍵因素之一。模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)在電氣特性上有顯著的差異，這些差異如果處理不當(dāng)，會(huì)導(dǎo)致電路性能下降，甚至出現(xiàn)系統(tǒng)故障。一、模擬地與數(shù)字地的基本概念在PCB設(shè)計(jì)中，模擬地（AGND）通常用于連接模擬電路的負(fù)端，而數(shù)字地（DGND）則用于數(shù)字電路。模擬電路和數(shù)字電路雖然在功能上互相關(guān)聯(lián)，但它們對(duì)信號(hào)的處理方式大相徑庭。模擬部分對(duì)噪聲非常敏感，而數(shù)字電路則產(chǎn)生大量高頻切換噪聲，這些噪聲若不加以隔離，很容易互相干擾。二、干擾的后果

http://www.kannic.com/Article/bmgrzpcbsj_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地 址/Address

地址/Address