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[常見問題解答]如何正確選擇ESD保護(hù)二極管型號(hào)：關(guān)鍵參數(shù)解析[ 2025-03-14 14:28 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，靜電放電（ESD）可能對敏感電路造成嚴(yán)重?fù)p害，因此在PCB設(shè)計(jì)階段選擇合適的ESD保護(hù)二極管至關(guān)重要。合理的器件選型不僅能夠增強(qiáng)電路的可靠性，還能避免因靜電沖擊導(dǎo)致的芯片損壞和系統(tǒng)故障。那么，如何正確選擇ESD保護(hù)二極管型號(hào)？一、電氣特性參數(shù)解析在選購ESD保護(hù)二極管時(shí)，以下關(guān)鍵電氣參數(shù)是需要重點(diǎn)考量的指標(biāo)：1. 反向擊穿電壓（VBR）反向擊穿電壓是指ESD保護(hù)二極管在承受一定電流時(shí)發(fā)生擊穿的電壓值。一般來說，該值應(yīng)高于被保護(hù)電路的最高工作電壓，以防止二極管在正常工作時(shí)導(dǎo)通，影響信號(hào)傳輸。例如，對

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[常見問題解答]優(yōu)化電路設(shè)計(jì)：如何選擇合適的TVS二極管最小擊穿電壓和擊穿電流[ 2024-07-13 10:08 ]

一、TVS與壓敏電阻的比較在眾多電子設(shè)備的浪涌保護(hù)選擇中，TVS二極管因其優(yōu)異的性能，相較于傳統(tǒng)的壓敏電阻，顯示出了明顯的優(yōu)勢。壓敏電阻，作為一種金屬化物變阻器，與TVS二極管的特性參數(shù)相比，后者提供了更為迅速且穩(wěn)定的保護(hù)效果。具體比較見下表所示。在處理靜電、電機(jī)啟動(dòng)或近距離雷擊時(shí)產(chǎn)生的電氣瞬變，TVS二極管能即刻響應(yīng)過電壓，并將瞬態(tài)電壓及能量導(dǎo)向大地，有效保護(hù)系統(tǒng)安全。二、瞬變電壓抑制器的工作原理及關(guān)鍵特性瞬變電壓抑制器，簡稱TVS，是一種二極管形式的高效保護(hù)器件。當(dāng)其兩極遭受反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，TVS能在納秒

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[技術(shù)文章]CD4532 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-26 16:48 ]

CD4532是一款多功能的集成電路，廣泛用于電子設(shè)備中，特別是在信號(hào)處理、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換及自動(dòng)控制系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下內(nèi)容詳細(xì)介紹了CD4532的主要應(yīng)用場景及其特性參數(shù)。一、應(yīng)用場景：1. 數(shù)字信號(hào)處理：在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域，CD4532由于其出色的邏輯運(yùn)算性能，經(jīng)常被應(yīng)用于音頻設(shè)備中，高效地執(zhí)行信號(hào)的編碼與解碼過程。2. 自動(dòng)控制系統(tǒng)：在自動(dòng)化系統(tǒng)中，CD4532處理來自傳感器的輸入信號(hào)并控制相關(guān)設(shè)備，其快速的處理速度使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)精確調(diào)控。3. 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換設(shè)備：作為模數(shù)轉(zhuǎn)換（ADC）和數(shù)模轉(zhuǎn)換（DAC）設(shè)備的

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[技術(shù)文章]TL072 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-23 16:18 ]

TL072 是一種雙運(yùn)算放大器，以其低噪聲性能、高輸入阻抗和廣泛的電源電壓范圍著稱。此芯片廣泛應(yīng)用于多種電子系統(tǒng)中，下面是對 TL072 的應(yīng)用場景和特性參數(shù)的進(jìn)一步闡述。一、應(yīng)用場景1. 音頻設(shè)備中的信號(hào)放大：TL072因其低噪聲輸出和低總諧波失真，非常適合作為音頻放大器中的關(guān)鍵組件。2. 傳感器數(shù)據(jù)的放大和處理：由于其高輸入阻抗，TL072 能有效放大各種微弱的傳感器信號(hào)，如溫度或壓力變化，而不對原信號(hào)造成負(fù)擔(dān)。3. 模擬濾波應(yīng)用：TL072 也常用于構(gòu)建各類模擬濾波器，其穩(wěn)定的頻率響應(yīng)對提高信號(hào)的純凈度非常關(guān)

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[常見問題解答]肖特基二極管與常規(guī)二極管：功能、特性和應(yīng)用場景比較[ 2024-04-08 17:09 ]

肖特基二極管和傳統(tǒng)二極管是電子元件領(lǐng)域中兩種截然不同的類型，盡管它們在電路中扮演著相似的角色，但其工作原理和適用場景卻有著明顯的不同。肖特基二極管以金屬-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，而傳統(tǒng)二極管則主要由半導(dǎo)體材料構(gòu)成。下文將對它們之間的差異進(jìn)行詳細(xì)探討，以便更好地理解它們的特性與應(yīng)用。特性參數(shù)肖特基二極管：這種二極管具有較低的正向壓降和較高的反向耐壓。正向壓降較小，使得它在低電壓、高電流的應(yīng)用中具有優(yōu)勢。此外，反向恢復(fù)時(shí)間短，適合高頻電路。傳統(tǒng)二極管：與之相比，傳統(tǒng)二極管的正向壓降較大，但反向漏電流較小。它更適用于高電壓、小

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[常見問題解答]三極管作為功放器件的原理和應(yīng)用介紹[ 2023-10-25 18:39 ]

三極管作為功放器件的原理和應(yīng)用介紹本文將介紹三極管作為功放器件的原理和應(yīng)用。將從多個(gè)方面對三極管功放進(jìn)行闡述，包括工作原理、電路結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域等。接著，我們將描述三極管功放的主要內(nèi)容，并通過豐富的實(shí)例和具體分析，展示其在音頻放大、無線通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。工作原理三極管功放是一種基于電子管的放大器，利用三極管的放大特性實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和驅(qū)動(dòng)。其工作原理可以簡單概括為：輸入信號(hào)經(jīng)過放大電路的放大作用，通過三極管的放大效果使輸出信號(hào)得到放大。三極管功放的核心是三極管的工作原理。三極管由三個(gè)電極組成，分別是發(fā)射極

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[常見問題解答]場效應(yīng)管雪崩特性參數(shù)解析[ 2023-06-15 18:05 ]

MOSFET雪崩特性參數(shù)解析一、EAS與EAR的定義EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時(shí)過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。EAR重復(fù)雪崩能量, 標(biāo)定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。以低于Tj（max）為極限。二、雪崩能量、溫升、雪崩時(shí)間以及計(jì)算三、在什么的應(yīng)用條件下要考慮雪

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[常見問題解答]基于IRF7201 MOSFET的5V轉(zhuǎn)3.3V開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)介紹[ 2022-11-05 12:02 ]

在選擇與 3.3V 單片機(jī)配合使用的外部 N 溝道MOSFET 時(shí)，一定要小心。MOSFET 柵極閾值電壓表明了器件完全飽和的能力。對于 3.3V 應(yīng)用，所選 MOSFET 的額定導(dǎo)通電阻應(yīng)針對 3V 或更小的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。例如，對于具有 3.3V 驅(qū)動(dòng)的100 mA負(fù)載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加 1V 電壓時(shí)，不一定能提供滿意的結(jié)果。在從 5V 轉(zhuǎn)換到 3V 技術(shù)時(shí)，應(yīng)仔細(xì)檢查柵極- 源極閾值和導(dǎo)通電阻特性參數(shù)，如圖 1所示。稍微減少柵

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[常見問題解答]MOS管和IGBT的區(qū)別介紹[ 2022-09-15 16:42 ]

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四

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[常見問題解答]電容器的型號(hào)命名方法以及容量標(biāo)示介紹[ 2022-01-07 11:39 ]

電容器的型號(hào)命名方法以及容量標(biāo)示介紹電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。用C表示電容，電容單位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF。下面介紹電容器命名方法、主要特性參數(shù)以及容量標(biāo)示。國產(chǎn)電容器1.型號(hào)命名方法國產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成(不適用于壓敏、可變、真空電容器)。依次分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，

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[行業(yè)資訊]2N60場效應(yīng)管參數(shù)代換,2N60中文資料規(guī)格書[ 2021-10-11 11:56 ]

2N60場效應(yīng)管參數(shù)代換,2N60中文資料規(guī)格書2N60系列場效應(yīng)管TO-252封裝引腳圖：2N60.pdf 規(guī)格書查看下載2N60場效應(yīng)管特性參數(shù)如下：* RDS(ON)<5Ω @ VGS=10V, ID=1A* 快速切換能力* 指定雪崩能量* 改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性2N60場效應(yīng)管絕對最大額定參數(shù)如下：（TC=25°C，除非另有說明）極性：NPNDrain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：600VGate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±

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[行業(yè)資訊]CJU05N60B場效應(yīng)管參數(shù)資料,CJU05N60B參數(shù)手冊PDF下載[ 2021-10-11 10:42 ]

CJU05N60B場效應(yīng)管參數(shù)資料,CJU05N60B參數(shù)手冊PDF下載CJU05N60B.pdf 規(guī)格書查看下載CJU05N60B場效應(yīng)管特性參數(shù)如下：高額定電流降低RDS(on)低電容降低總柵極電荷更嚴(yán)格的VSD規(guī)格雪崩能量指定CJU05N60B場效應(yīng)管參數(shù)如下：極性：NPNDrain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：600VGate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30VDrainCurrentContinuous漏極電流連續(xù)(TC=25°C),I

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[常見問題解答]MOS管,IGBT管區(qū)別、選擇與應(yīng)用 - 壹芯微[ 2021-09-22 17:21 ]

MOS管,IGBT管區(qū)別、選擇與應(yīng)用 - 壹芯微電子電路中MOS管和IGBT管都是常見且常用的電子器件，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？MOS管和IGBT管的區(qū)別：場效應(yīng)管主要分兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管)MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管，MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。有

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[行業(yè)資訊]「IRF740,IRF840」場效應(yīng)MOS管和IGBT管的區(qū)別 - 壹芯微[ 2021-07-28 09:30 ]

「IRF740,IRF840」場效應(yīng)MOS管和IGBT管的區(qū)別 - 壹芯微型號(hào)：IRF740(10A,400V) IRF840(9A,500V)封裝：TO-220/TO-220F/ITO-220/TO-262/TO-263品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管MOSFET多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費(fèi)樣品歡迎咨詢在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，

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[行業(yè)資訊]「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的區(qū)別-壹芯微[ 2021-07-26 09:30 ]

「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的區(qū)別-壹芯微型號(hào)：2N60(2A,600V) 4N60(4A,600V) 4N65(4A,650V)品牌：壹芯微|類型：場效應(yīng)管MOSFET|封裝：TO-252/TO-220等|多種封裝尺寸不同參數(shù)一致免費(fèi)樣品歡迎咨詢MOS管和IGBT管都可以作為開關(guān)元件使用，它們在外形、特性參數(shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？什么是MOS管？MOS管是MOSFET管的簡稱，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，可以簡化稱為「場效應(yīng)管」，MOS管主要分兩種類型：結(jié)型場

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[常見問題解答]學(xué)會(huì)如何區(qū)分MOS管和IGBT管[ 2021-03-26 10:28 ]

學(xué)會(huì)如何區(qū)分MOS管和IGBT管在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET又可分為N溝耗盡

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[常見問題解答]怎樣區(qū)分場效應(yīng)管及IGBT管[ 2020-09-02 17:56 ]

怎樣區(qū)分場效應(yīng)管及IGBT管怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管，在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管吧！什么是MOS管？怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管。場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，

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[常見問題解答]電路設(shè)計(jì)中怎么選擇電阻[ 2020-08-01 15:52 ]

電路設(shè)計(jì)中怎么選擇電阻電阻的種類很多，普通常用的電阻有碳膜電阻、水泥電阻、金屬膜電阻、線繞電阻等;特殊電阻有壓敏電阻、熱敏電阻、光敏電阻等。不同類型的電阻，其特性參數(shù)都有一定的差異，在電路使用時(shí)需要考慮的重點(diǎn)也不一樣。在電路設(shè)計(jì)中如果忽略了電阻的某些特殊參數(shù)，可能會(huì)使產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性得不到保證。正確的理解電阻各個(gè)參數(shù)以及不同電阻的選型注意事項(xiàng)，全面的理解電阻在電路中起到的真正作用，才能夠在電路設(shè)計(jì)中從基本的層面上來保證產(chǎn)品的功能和性能。電阻的基本參數(shù)說起電阻，我們的第一印象應(yīng)該就是物理書上所描述的：導(dǎo)電體對電流

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[常見問題解答]分析TVS管在應(yīng)用電路中的詳細(xì)設(shè)計(jì)和特性[ 2020-07-20 16:12 ]

分析TVS管在應(yīng)用電路中的詳細(xì)設(shè)計(jì)和特性瞬態(tài)電壓抑制器是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，具有極快的響應(yīng)時(shí)間和相當(dāng)高的浪涌吸收能力。當(dāng)TVS管的兩端受到反向瞬態(tài)過壓脈沖時(shí)，能以極高的速度把兩端間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗晕账查g大電流，并將電壓箝制在預(yù)定數(shù)值，從而有效保護(hù)電路中的元器件免受損壞。本文講述了TVS管器件的主要特性參數(shù)和選用注意事項(xiàng)，同時(shí)給出了TVS在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用方法。1、TVS管的器件特性在規(guī)定的反向應(yīng)用條件下，TVS管對受保護(hù)的線路呈高阻抗?fàn)顟B(tài)。當(dāng)瞬間電壓超過其擊穿電壓時(shí)，TVS管就會(huì)提供一個(gè)低阻抗的

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[常見問題解答]怎樣區(qū)分場效應(yīng)管和IGBT管[ 2020-06-29 17:06 ]

怎樣區(qū)分場效應(yīng)管及IGBT管怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管，在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管吧！什么是MOS管？怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管。場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，

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