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[常見問(wèn)題解答]二極管溫度特性對(duì)電子設(shè)備性能的關(guān)鍵影響[ 2025-02-14 10:08 ]

二極管作為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體元件，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。無(wú)論是在直流電源的整流電路，還是在高頻信號(hào)處理系統(tǒng)中，二極管都扮演著重要角色。然而，二極管在不同工作環(huán)境下的溫度特性，尤其是溫度對(duì)其性能的影響，常常被忽視。了解和控制二極管的溫度特性，對(duì)于提高電子設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。一、二極管的溫度特性：基本概述二極管的溫度特性與其PN結(jié)的性能息息相關(guān)。隨著溫度的變化，二極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)會(huì)發(fā)生改變，導(dǎo)致其導(dǎo)電性發(fā)生變化。具體來(lái)說(shuō)，在正向偏置下，溫度升高會(huì)使二極管的正向電壓下降，因?yàn)闇囟壬叽龠M(jìn)了載流子的激發(fā)，增

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[常見問(wèn)題解答]穩(wěn)壓二極管串聯(lián)應(yīng)用分析：可行性及注意事項(xiàng)[ 2024-10-25 14:53 ]

在設(shè)計(jì)電子電路時(shí)，經(jīng)常使用齊納二極管來(lái)穩(wěn)定電壓和保護(hù)電路。然而，實(shí)際應(yīng)用可能需要多個(gè)齊納二極管串聯(lián)使用。本文探討了齊納二極管串聯(lián)的可行性，并分析了串聯(lián)時(shí)的重要注意事項(xiàng)。一、串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的可行性分析串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的原理比較簡(jiǎn)單。將齊納二極管首尾相連，各個(gè)二極管的穩(wěn)壓值相加，即可達(dá)到較高的穩(wěn)壓電壓。例如，串聯(lián)兩個(gè)15V的齊納二極管可以提供30V的穩(wěn)定電壓。然而，串聯(lián)的前提是二極管具有相似的齊納電流和溫度特性。否則，可能會(huì)出現(xiàn)電壓分布不均勻的情況。理論上，串聯(lián)齊納二極管可以解決以下問(wèn)題。雖然單個(gè)二極管可以實(shí)現(xiàn)低電壓調(diào)節(jié)

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[常見問(wèn)題解答]技術(shù)揭秘：電工工程師必須了解的10種二極管應(yīng)用技巧[ 2024-08-01 10:49 ]

一、二極管在直流穩(wěn)壓電路中的創(chuàng)新應(yīng)用二極管在直流穩(wěn)壓電路中的使用不僅局限于傳統(tǒng)的整流作用。一個(gè)典型的應(yīng)用是利用其壓降特性來(lái)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電壓輸出。在一個(gè)基本的穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)中，可以串聯(lián)三個(gè)硅二極管來(lái)形成約1.8V的穩(wěn)定壓降（每個(gè)約0.6V）。這種配置常見于低電壓供電系統(tǒng)，其中簡(jiǎn)單性和成本效率至關(guān)重要。此外，這種電路易于集成和調(diào)整，可以根據(jù)需要選擇不同類型的二極管來(lái)改變總壓降。二、二極管在溫度補(bǔ)償電路的關(guān)鍵作用二極管的溫度特性允許它在自動(dòng)溫度補(bǔ)償電路中發(fā)揮關(guān)鍵角色。當(dāng)電路中的溫度升高，二極管的正向壓降略有下降，這可以用來(lái)抵

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[常見問(wèn)題解答]如何挑選合適的DC-DC轉(zhuǎn)換器：關(guān)鍵特性與選擇技巧[ 2024-07-25 11:26 ]

一、選型DC-DC模塊電源的五大策略選擇DC-DC模塊電源時(shí)，應(yīng)優(yōu)先考慮采用經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如定壓輸入DC-DC電源模塊常用Royer電路，而寬壓輸入模塊則廣泛采用Flyback和部分Forward拓?fù)洹４送猓?fù)載范圍的高效率是關(guān)鍵，它直接影響到功率損耗和設(shè)備溫升，進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。例如，金升陽(yáng)的VRB2412LD-15WR2模塊在輕載情況下效率高出競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手15%，顯著降低了溫升，增強(qiáng)了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。同時(shí)，模塊的極限溫度特性也是一個(gè)重要考量，尤其是在極端氣候條件下的應(yīng)用。此外，對(duì)于醫(yī)療和電力電

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[常見問(wèn)題解答]意法半導(dǎo)體最新力作：1200V碳化硅二極管，性能高效且極具耐用性[ 2024-07-01 10:24 ]

意法半導(dǎo)體新系列1200V 碳化硅二極管產(chǎn)品線，涵蓋2A至40A的額定電流范圍。包括DPAK HV（高壓）和D²PAK貼裝的汽車級(jí)元件，以及通孔TO-220AC和TO-247LL（長(zhǎng)腳）封裝產(chǎn)品。市場(chǎng)上僅有意法半導(dǎo)體提供D²PAK封裝的1200V 碳化硅二極管。此外，10A STPSC10H12D二極管采用TO-220AC封裝。意法半導(dǎo)體2A - 40A 1200V碳化硅（SiC）JBS（結(jié)勢(shì)壘肖特基）二極管的全系產(chǎn)品，使得更多應(yīng)用設(shè)備受益于碳化硅技術(shù)的高開關(guān)能效、快速恢復(fù)及穩(wěn)定的溫度特性。這一

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[技術(shù)文章]13003 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-25 12:16 ]

晶體管型號(hào)13003是一種NPN功率晶體管，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景豐富多樣。特點(diǎn)：- 功率放大能力：13003晶體管具有較強(qiáng)的功率放大能力，能夠穩(wěn)定地放大電流信號(hào)，適用于中等功率的電子設(shè)備和電路中。- 高頻特性：在高頻應(yīng)用中，13003晶體管表現(xiàn)出色，能夠有效傳輸高頻信號(hào)，適用于射頻放大器、通信設(shè)備等領(lǐng)域。- 低飽和壓降：其飽和壓降相對(duì)較低，保持較低的電壓降，有助于減小功耗和提高效率。- 高耐壓特性：具有較高的耐壓特性，適用于各種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。- 穩(wěn)定性強(qiáng)：具有良好的溫度特性和穩(wěn)定性，能夠在

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[常見問(wèn)題解答]TL431的應(yīng)用電路|壹芯微[ 2022-04-13 16:01 ]

TL431的應(yīng)用電路|壹芯微 TL431的主要作用是使電路獲得更加穩(wěn)定的電壓，是一種較為精密的可控穩(wěn)壓源，有著較為特殊的動(dòng)態(tài)抗阻。在很多應(yīng)用中用它代替穩(wěn)壓二極管，例如，數(shù)字電壓表，運(yùn)放電路，可調(diào)壓電源，開關(guān)電源等。其具有如下特點(diǎn)：穩(wěn)壓值從2.5~36V連續(xù)可調(diào);參考電壓原誤差+-1.0%，低動(dòng)態(tài)輸出電阻,典型值為0.22歐姆輸出電流1.0~100毫安;全溫度范圍內(nèi)溫度特性平坦，典型值為50ppm;低輸出電壓噪聲。本文將介紹幾種應(yīng)用電路：

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[常見問(wèn)題解答]多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微[ 2021-08-04 12:08 ]

多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微1. MOS管并聯(lián)的可行性分析由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過(guò)程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高比較多，電流就會(huì)降下來(lái)，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性而易于并聯(lián)。2. MOS管的并聯(lián)電路理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下

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[常見問(wèn)題解答]雙電層電容器和贗電容器區(qū)別[ 2021-01-22 17:17 ]

雙電層電容器和贗電容器區(qū)別1、炭材料的穩(wěn)定性、導(dǎo)電性要好，由于雙電層利用的是材料的表面，而這些過(guò)渡金屬氧化物能夠利用體相，所以質(zhì)量比電容要高很多，但是主要是理論值，且循環(huán)壽命和倍率受限制。2、雙電層電容是通過(guò)電極表面吸附電荷進(jìn)行儲(chǔ)能，而贗電容是通過(guò)活性電極材料進(jìn)行氧化還原反應(yīng)進(jìn)行儲(chǔ)能。3、雙層電容器從儲(chǔ)能機(jī)理上面分的話，雙層電容器分為雙電層電容器和贗電容器。是一種新型儲(chǔ)能裝置，它具有功率密度高、充電時(shí)間短、使用壽命長(zhǎng)、溫度特性好、節(jié)約能源和綠色環(huán)保等特點(diǎn)。雙層電容器用途廣泛。雙電層電容器雙電層電容器是超級(jí)電容器的一

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[常見問(wèn)題解答]功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情解析[ 2020-12-09 16:54 ]

功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情解析功率MOS管參數(shù)-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現(xiàn)正溫度系數(shù)呢？這是半導(dǎo)體硅材料的特性所決定的！MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理！載流子只有電子，溫度升高，溝道電阻增加，電子遷移減少，電流變小！故耐壓會(huì)增加！MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理！載流子只有電子，溝道夾斷，電子無(wú)法通過(guò)溝道導(dǎo)通，單外延層中低參雜PN結(jié)中的電子遷移很小，溫度升高，這種飄移電流變小！故其反向截止的損耗減小，雪崩能量增加，耐壓

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[常見問(wèn)題解答]NTC熱敏電阻基礎(chǔ)和應(yīng)用及選擇[ 2020-08-04 16:35 ]

NTC熱敏電阻基礎(chǔ)和應(yīng)用及選擇NTC被稱為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，是由Mn-Co-Ni的氧化物充分混合后燒結(jié)而成的陶瓷材料制備而來(lái)，它在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)，還具有電阻值-溫度特性波動(dòng)小、對(duì)各種溫度變化響應(yīng)快的特點(diǎn)，可被用來(lái)做高靈敏度、高精度的溫度傳感器，在電子電路當(dāng)中也經(jīng)常被用作實(shí)時(shí)的溫度監(jiān)控及溫度補(bǔ)償?shù)取ｋS著本體的溫度升高，NTC的電阻阻值會(huì)呈非線性的下降，這個(gè)是NTC的特性。為了更好地利用該特點(diǎn)，在應(yīng)用前我們需要清楚地了解NTC的基本參數(shù)，本文將對(duì)此做出討論，希望在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中對(duì)電子研發(fā)工程師有一些幫助。電阻－溫

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[常見問(wèn)題解答]溫度系數(shù)為零的穩(wěn)壓二極管要怎么實(shí)現(xiàn)[ 2020-05-28 11:46 ]

溫度系數(shù)為零的穩(wěn)壓二極管要怎么實(shí)現(xiàn)對(duì)電路設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，元器件的溫漂是一個(gè)頑疾，例如穩(wěn)壓二極管對(duì)溫度的依賴性。為了獲得穩(wěn)定的電壓，工程師將具有不同溫度特性的穩(wěn)壓二極管進(jìn)行適當(dāng)組合，為負(fù)載提供理想的電壓值。這通常通過(guò)串聯(lián)兩只二極管，來(lái)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的穩(wěn)壓效果。廠家常將兩只穩(wěn)壓二極管封裝在一起，實(shí)現(xiàn)溫度系數(shù)幾乎為零的穩(wěn)壓效果將兩只溫度互補(bǔ)型穩(wěn)壓二極管串聯(lián)串聯(lián)兩只溫度互補(bǔ)型穩(wěn)壓二極管，可以實(shí)現(xiàn)近乎為零的溫度系統(tǒng)。如果電路需要12V穩(wěn)定電壓，可以選擇兩只溫度系數(shù)正好相反，絕對(duì)值一

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[常見問(wèn)題解答]數(shù)字晶體管的放大倍數(shù)GI及普通晶體管hFE有區(qū)別嗎[ 2020-05-26 14:46 ]

數(shù)字晶體管的放大倍數(shù)GI及普通晶體管hFE有區(qū)別嗎本文介紹了數(shù)字晶體管（Digital Transistor）選定方法，電流放大倍數(shù)GI和hFE的區(qū)別，以及溫度特性和輸出電壓-輸出電流特性。數(shù)字晶體管的工作原理根據(jù)數(shù)字晶體管工作原理，使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1，輸入電阻R1是±30%，E-B間的電阻R2/R1=±20%，VBE一般為0.55-0.75V。如果作為開關(guān)使用，需要飽和狀態(tài)的電流比率IC/IB=20/1。在數(shù)字晶體管中，IO和IC是有區(qū)別的。其中：I

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[常見問(wèn)題解答]過(guò)熱檢測(cè)應(yīng)用中SMD型PTC熱敏電阻的電氣-機(jī)械和環(huán)境特性[ 2020-05-23 16:29 ]

過(guò)熱檢測(cè)應(yīng)用中SMD型PTC熱敏電阻的電氣-機(jī)械和環(huán)境特性溫度檢測(cè)是熱敏電阻的核心應(yīng)用之一，移動(dòng)智能終端中采用的是片狀PTC熱敏電阻（SMD型）。當(dāng)感測(cè)環(huán)境的溫度高于一定數(shù)值時(shí)，熱敏電阻器的電阻值急劇增加，這可用來(lái)檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管（FET）、功率IC及其他發(fā)熱處的過(guò)熱檢測(cè)。以下通過(guò)Murata PRF系列PTC熱敏電阻為例，介紹SMD型PTC熱敏電阻特性、規(guī)格及應(yīng)用事項(xiàng)。1. 電氣特性（1）電阻-溫度特性典型曲線這是熱敏電阻的基本性能，反映了電阻的急劇變化。可使用與PTC熱敏電阻串聯(lián)，組成非常簡(jiǎn)單的電路，在多個(gè)區(qū)域?qū)崿F(xiàn)

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[常見問(wèn)題解答]NTC熱敏電阻知識(shí)[ 2020-05-19 15:19 ]

NTC熱敏電阻知識(shí)NTC熱敏電阻體積可以小到一粒綠豆那么大，但功能卻非常重要。如果使用不當(dāng)，就等同于玩火，毀壞整個(gè)電路或設(shè)備。以下以株式會(huì)社村田制作所的FTN系列NTC熱敏電阻（扁薄頭絕緣溫度傳感器）為例，介紹NTC熱敏電阻的電氣操作、應(yīng)用事項(xiàng)、測(cè)試數(shù)據(jù)，以及常見問(wèn)題。一、電氣操作（1）電阻- 溫度特性NTC熱敏電阻產(chǎn)品的電阻-溫度（R-T）特性非常關(guān)鍵，電阻值相對(duì)于溫度呈指數(shù)級(jí)變化。R-T曲線顯示了每一攝氏度階躍時(shí)的電阻值，其中“R-中心”是各溫度時(shí)的典型電阻，“R-低&rdq

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[常見問(wèn)題解答]解析MOSFET的寄生電容-VGS的溫度特性知識(shí)[ 2020-05-12 14:25 ]

解析MOSFET的寄生電容-VGS的溫度特性知識(shí)同普通三極管相比，MOSFET堪稱晶體管之王，在模擬電路和數(shù)字電路中均有廣泛用途。為了發(fā)揮MOSFET性能優(yōu)勢(shì)，用戶除了詳細(xì)閱讀產(chǎn)品規(guī)格書外，有必要先了解MOSFET的寄生電容，開關(guān)性能，VGS(th)(界限値)，ID-VGS特性及其各自的溫度特性。MOSFET的寄生電容和溫度特性在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內(nèi)置二極管構(gòu)造。其中，Cgs、Cgd的容量根據(jù)氧化膜

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[常見問(wèn)題解答]PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性[ 2020-05-11 15:17 ]

PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性及靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性與人一樣，發(fā)熱意味著機(jī)器出了問(wèn)題，熱敏電阻則是治愈這一頑疾的良藥。日常生活中，我們家居常備的電子體溫計(jì)采用一顆PTC熱敏電阻。如果接觸智能手機(jī)、電腦、冰箱、吸塵器時(shí)，都會(huì)感覺到發(fā)熱，這里將溫度控制在安全范圍內(nèi)的關(guān)鍵電子元器件也是PTC熱敏電阻。PTC熱敏電阻是應(yīng)用最普遍的一類熱敏元件，可檢測(cè)物體的熱度，并將“熱”信息傳遞給IC進(jìn)行處理，使耐熱性差的元件不被熱而破壞，讓精度不準(zhǔn)的元件能良好運(yùn)作。PTC熱敏電阻的電阻值隨溫度的上升而增大，具有三個(gè)主要

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[常見問(wèn)題解答]如何選擇合適的熱敏電阻[ 2020-04-24 15:00 ]

如何選擇合適的熱敏電阻熱敏電阻元件熱敏電阻元件是熱敏電阻的最簡(jiǎn)單形式。由于它們的緊湊尺寸，這些元件通常在空間非常有限時(shí)使用。壹芯微提供各種各樣的熱敏電阻元件，這些元件不僅在形狀因數(shù)方面而且在電阻與溫度特性方面也有所不同。由于熱敏電阻是非線性的，因此用于讀取溫度的儀器必須使讀數(shù)線性化。熱敏電阻探頭獨(dú)立元件相對(duì)易碎，不能放置在惡劣的環(huán)境中。合晶芯城提供熱敏電阻探頭，它是嵌入金屬管中的熱敏電阻元件。溫度探頭比熱敏電阻元件更適合工業(yè)環(huán)境。什么熱敏電阻最適合我的應(yīng)用？無(wú)論您是要更換現(xiàn)有的熱敏電阻還是選擇新熱敏電阻，都需要3條

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[常見問(wèn)題解答]IGBT主要參數(shù)-IGBT的測(cè)試方法和mosfet的對(duì)比分析[ 2020-04-13 11:13 ]

IGBT主要參數(shù)-IGBT的測(cè)試方法和mosfet的對(duì)比分析IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）相結(jié)合的產(chǎn)物。它具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)損耗低、溫度特性好以及開關(guān)頻率高等特點(diǎn)。它比GTR（或BJT）更為新穎。IGBT模塊的擊穿電壓已達(dá)到1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A，最高工作頻率可達(dá)30～40kHz，以IGBT為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10kHz以上，故電動(dòng)機(jī)的電流波形比較平滑，電磁噪聲很小。缺點(diǎn)是斷態(tài)時(shí)的擊穿電壓較低（最大約3.3kV

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[常見問(wèn)題解答]光敏三極管參數(shù)-光敏三極管工作原理[ 2020-03-27 15:29 ]

光敏三極管參數(shù)-光敏三極管工作原理光敏三極管技術(shù)參數(shù)1、光譜特性光敏三極管由于使用的材料不同，分為鍺光敏三極管和硅光敏三極管，使用較多的是硅光敏三極管。光敏三極管的光譜特性與光敏二極管是相同的。2、伏安特性光敏三極管的伏安特性是指在給定的光照度下光敏三極管上的電壓與光電流的關(guān)系。3、光電特性光敏三極管的光電特性反映了當(dāng)外加電壓恒定時(shí)，光電流IL與光照度之間的關(guān)系。下圖給出了光敏三極管的光電特性曲線光敏三極管的光電特性曲線的線性度不如光敏二極管好，且在弱光時(shí)光電流增加較慢。4、溫度特性溫度對(duì)光敏三極管的暗電流及光電流

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