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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： 半橋拓撲
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]1500W電源設計該選雙管正激還是半橋拓撲？深度對比分析[
                                        2025-03-25 15:06
                                        ]
        
                                
        
                                    在電源設計領域，1500W這個功率等級處于一個既要求高效率又考驗熱設計的敏感區域。工程師在此區間做拓撲結構選擇時，往往面臨“選雙管正激還是半橋”的技術抉擇。這不僅關乎系統性能，還涉及到成本控制、體積限制、設計復雜度等多方面因素。一、雙管正激：效率優先，控制精細雙管正激拓撲是一種以變壓器為核心、兩只主開關管交替導通的非對稱結構。該方案在中高功率段（如1500W）應用較為廣泛，尤其適合對效率和控制要求較高的場合。1. 轉換效率出色由于雙管正激結構在開關過程中能夠實現變壓器磁通的自動復位，減少磁滯
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/1500wdysjg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]低功耗GaN解決方案在交流直流電源拓撲中的應用分析[
                                        2024-06-12 09:50
                                        ]
        
                                
        
                                    用戶希望輕便高效的充電方案為日常攜帶的多種電子設備供電。隨著越來越多的電子產品采用 USB Type-C® 接口，緊湊型電源適配器的需求日益增加。一些新的半橋拓撲，如有源鉗位反激式（ACF）拓撲和非對稱半橋（AHB）拓撲，已被開發出來以優化效率并提供可變輸出電壓。這些拓撲能夠回收泄漏能量到輸出端，進一步提高效率，并完全消除低側場效應晶體管（FET）上的電壓尖峰，降低整體成本和體積。在設計現代的USB Type-C 移動充電器、PC電源和電視電源時，設計師面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時提升或保持功率
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dghganjjfa_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]4N50場效應管參數,4N50參數規格書代換[
                                        2021-10-08 11:00
                                        ]
        
                                
        
                                    4N50場效應管參數,4N50參數規格書代換4N50（4A,500V N溝道功率場效應管）封裝形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F4N50規格書(PDF):查看下載4N50的概述：4N50是一款N溝道模式功率MOSFET，采用先進技術，為客戶提供平面條帶和 DMOS 技術。 該技術允許最小的通態電阻和卓越的開關性能。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。4N50一般應用于高效開關電源、有源功率因數校正和基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。4N50的特性：ID=4AVDS=500VRDS(ON
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/4n50cxygcs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]影響MOSFET性能的一些因素解知識[
                                        2020-12-03 17:11
                                        ]
        
                                
        
                                    影響MOSFET性能的一些因素解知識影響MOSFET性能有哪些因素？在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。除了器件結構和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個周圍相關因素的影響。影響MOSFET性能，這些因素包括封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應和開關速度。事實上，真正的開關速度取決于其他幾個因素，例如切換的速度和保持柵極控制的能力，同時抑制柵極驅動回路電感帶來的影響。同樣，低柵極閾值還會加重Ldi/dt問題。正因為了解電路中晶體管的性能很重要，所以我們將選用半橋拓撲。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxmosfetxn_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]7n80場效應管參數規格書PDF 封裝詳情 技術支持[
                                        2020-09-12 17:06
                                        ]
        
                                
        
                                    7n80場效應管參數規格書PDF 封裝詳情 技術支持7n80場效應管參數-型號概述7n80場效應管參數型號概述，此功率MOSFET生產是使用SL先進的平面條紋DMOS技術，這個先進的技術是特別定制的，以減少通態電阻，提供優越的開關性能，在雪崩和轉換方式下能承受高能脈沖器件，它非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。7n80場效應管參數-型號特性RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V低柵電荷(典型27nC)快速切換100%雪崩測試改進的dv/dt的能力7n80場效應管參數-型號封裝圖7n80場效應
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/7n80cxygcs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管350V 6035A N溝道MOS管規格書封裝[
                                        2019-12-25 14:53
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管350V 6035A N溝道MOS管規格書封裝MOS管350V-6035A 11A/350V產品概述這款功率MOSFET是使用半導體先進的平面條紋DMOS技術制作的。這個先進的技術是為電阻最小轉態而特別定制的，提供優越的開關性能，它能承受雪崩和交流模式下的高能脈沖。這款設備非常適合于高效率的開關電源，有源功率因數校正基于半橋拓撲。MOS管350V-6035A 11A/350V產品特征RDS(ON)=0.38Ω(typ.)@VGS=10V.低柵極充電（典型15nC）耐用性高快速切換能力指定雪崩能量改進的dv/
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosg350v60_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]電壓饋電串聯諧振半橋拓撲知識[
                                        2019-09-12 12:03
                                        ]
        
                                
        
                                    電壓饋電串聯諧振半橋拓撲這種拓撲如圖16.23所示。運用于交流輸入為230V 的場所，它的優點是去掉了交流整流 后串聯的濾波電感并降低了 PFC模塊關斷場效晶體管的直流電壓，其電壓降為飛而不是電流饋電半橋電路中的（π／2）凡。關于輸出電壓為400V的PFC，它所接受的最大電壓為 400V ，而不是 628V ，這將會極大地降低晶體管的損耗 。圖16.23 電壓饋電串聯諧振半橋拓撲 。開端啟動時，串聯諧振電路包含L、Cr 和 Cl。當燈點亮后，就只需Cr，諧振頻率降落。電流變壓器初級C CTP）起限流作用，它也充任基
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dykdclxzbq_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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