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        [常見問題解答]多晶硅作為柵極材料的優勢與應用前景[
                                        2025-02-15 10:45
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                                    在半導體制造領域，柵極材料的選擇對于晶體管性能和集成電路的穩定性至關重要。隨著技術的發展，傳統的鋁柵逐步被多晶硅柵取代，尤其是在高性能的MOSFET（氧化物半導體場效應晶體管）和其他集成電路中。多晶硅作為柵極材料的應用，已經成為現代半導體器件制造中的重要組成部分。一、多晶硅柵極的優勢1. 優良的電氣性能多晶硅作為柵極材料，具有顯著的電氣性能優勢。相比傳統的鋁柵，多晶硅在高電壓工作條件下能夠提供更低的漏電流和更強的電流控制能力。這是因為多晶硅材料的電導率較低，能有效地抑制柵極漏電流，尤其是在微米級甚至納米級工藝中，表
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/djgzwzjcld_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]硅晶體缺陷檢測中的精度與效率：不同測量技術對比[
                                        2024-12-31 12:05
                                        ]
        
                                
        
                                    在半導體制造中，硅晶體的質量直接影響集成電路（IC）的性能。硅晶體的結構缺陷，如點缺陷、位錯、堆垛層錯等，可能會影響甚至導致器件的電性能，因此準確有效地檢測產品中的硅晶體缺陷是保證質量的關鍵。隨著技術的不斷發展，硅晶體缺陷的檢測方法也在不斷發展和優化，這些方法的差異決定了它們的實際適用性。一、檢測硅晶體缺陷的重要性硅是目前應用最廣泛的半導體材料，廣泛應用于各種微電子器件和集成電路的制造工藝中。硅晶體的缺陷會導致晶體電子結構的變化，從而影響器件性能。點缺陷會導致電流子濃度分布不均勻，位錯會影響晶體的機械和電學性能。這
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/gjtqxjczdj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]晶體硅在半導體行業的重要性與應用解析[
                                        2024-09-23 11:54
                                        ]
        
                                
        
                                    晶體硅，作為半導體制造業中的核心材料，其獨特的物理和化學屬性使其在現代電子技術領域中扮演了不可或缺的角色。從智能手機到計算機芯片，再到太陽能電池板，晶體硅的應用幾乎遍及每個電子設備。一、晶體硅的物理屬性和半導體制造的基石晶體硅具有良好的電子遷移率和合適的能隙寬度，這使其成為執行復雜電子功能的理想選擇。在半導體設備中，能隙寬度特別重要，因為它決定了半導體在電子設備中的效能和效率。晶體硅的能隙約為1.1 eV，既可以有效控制電子流，又能防止電流無控制地流動，從而優化設備性能。二、晶體硅的開采與制備硅元素在地球的地殼中含
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jtgzbdtxyd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]如何優化混合DC/DC電源變換器以提升系統性能？[
                                        2024-06-22 14:07
                                        ]
        
                                
        
                                    在電子領域中，功率密度的提升和電路板空間的優化一直是設計師們追求的目標。近年來，功率轉換技術取得了顯著的進步，尤其是在DC/DC轉換器領域。功率模塊的進步為高密度電路板設計提供了新的解決方案，同時也促使系統尺寸變得更加緊湊。今天，集成DC/DC解決方案只有少數半導體制造商在一個封裝中提供。除了控制器和電源開關，電感器和其他無源元件也已經被集成進封裝中。要實現尺寸的縮減，電感器尺寸的大幅降低是必須的，而這一目標通過提高開關頻率，使用更小的電感器來實現，這也相應減少了電感器的DC電阻。盡管采用分立元件的電源轉換器可以達
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rhyhhhdcdc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]芯片制造過程中的各個階段介紹[
                                        2021-12-20 14:51
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                                    芯片制造過程中的各個階段介紹芯片是指內含集成電路的硅片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。從產品種類上來說，芯片的種類有幾十種大門類，上千種小門類。但是芯片生產是一個點砂成金的過程，從砂子到晶圓再到芯片，價值密度直線飆升。真正的芯片制造過程十分復雜，下面就圖文結合，一步一步看看：第一階段沙子：硅是地殼內第二豐富的元素，而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導體制造產業的基礎。沙子硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級，下同。通過多步凈化得到可用于半導體
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/xpzzgczdgg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕[
                                        2021-12-16 17:54
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                                    RJK5030DPD場效應管參數 RJK5030DPD參數資料規格書〔壹芯微〕RJK5030DPD參數資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家漏源電壓VDSS：500V柵源電壓VGSS：30V漏極電流ID：5A漏極峰值電流ID(脈沖)：20A雪崩電流IAP：5A通道耗散Pch：41.7W通道到外殼的熱阻抗符號θch-c：3.0C/W通道溫度Tch：150C儲存溫度Tstg：-55至+150C〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/rjk5030dpd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]集成電路的優點與缺點知識介紹[
                                        2021-12-04 10:31
                                        ]
        
                                
        
                                    集成電路的優點與缺點知識介紹集成電路是一種微型電子器件或部件，它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。現在，集成電路已經在各行各業中發揮著非常重要的作用，是現代信息社會的基石。但是任何一件東西都有兩面性，即優點與缺點，今天我們就來了解集成電路的優點與缺點：集成電路1.集成電路優點(1)故障率低由于集成電路的故障發生率相對分立元器件電路而言比較低，所以降低了整機電路的故障
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/jcdldydyqd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]壹芯SK34貼片二極管40V-3A主要參數,封裝規格與數據手冊[
                                        2021-07-02 09:34
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                                    壹芯SK34貼片二極管40V-3A主要參數,封裝規格與數據手冊SK34(封裝SMC).數據表(PDF):查看下載 SK34(封裝SMA).數據表(PDF):查看下載 參數\型號SK34最高反向峰值電壓(VRRM)40(Vpk)最大平均整流電流(IF)3.0(Aav)最大峰值浪涌電流(IFM(Surge))80(Apk)最大反向漏電流(IR@VRRM)15(UAds)正向壓降(VF@IF)0.525(Vpk)封裝(PAKAGE)SMA,SMAF,SMB,SMBF壹芯微國內知名的功率半導體制造商，專
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxsk34tpej_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]壹芯SS220貼片二極管200V-2A主要參數,封裝規格與數據手冊[
                                        2021-07-02 09:29
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                                    壹芯SS220貼片二極管200V-2A主要參數,封裝規格與數據手冊SS220.數據表(PDF):查看下載參數\型號SS220最高反向峰值電壓(VRRM)200(Vpk)最大平均整流電流(IF)2.0(Aav)最大峰值浪涌電流(IFM(Surge))40(Apk)最大反向漏電流(IR@VRRM)5(UAds)正向壓降(VF@IF)0.95(Vpk)封裝(PAKAGE)SMA,SMAF,SMB,SMBF,SOD-123壹芯微國內知名的功率半導體制造商，專注二極管，三極管，Mosfet，橋堆領域，研發技術、芯片源自臺灣，
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxss220tpe_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]壹芯SS22貼片二極管20V-2A多種封裝-詳情-參數-報價-規格書[
                                        2021-07-02 09:15
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                                    壹芯SS22貼片二極管20V-2A主要參數,封裝外觀與數據手冊SS22.數據表(PDF):查看下載主要參數最高反向峰值電壓(VRRM)：20(Vpk)最大平均整流電流(IF)：?2.0(Aav)最大峰值浪涌電流(IFM(Surge))：40(Apk)最大反向漏電流(IR@VRRM)：10(Uads)正向壓降(VF@IF)：0.55(Vpk)封裝(PAKAGE)：SMA,SMAF,SMB,SMBF,SOD-123壹芯微國內知名的功率半導體制造商，專注二極管，三極管，Mosfet，橋堆領域，研發技術、芯片源自臺灣，參數
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxss22tpej_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]分立器件-集成電路有什么區別[
                                        2019-12-20 12:13
                                        ]
        
                                
        
                                    分立器件-集成電路有什么區別集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。集成電路，又稱為IC，按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數／模混合集成電路三大類。模擬集成電路又稱線性電路，用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/flqjjcdlys_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]羅姆開發出世界小的0402尺寸齊納二極管[
                                        2015-09-11 21:06
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                                    日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)近日開發出世界小的齊納二極管0402尺寸(0.4mm×0.2 mm)，這種二極管可以高密度安裝在智能手機等便攜設備上。本產品屬于世界最小的半導體產品，和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比，成功地將尺寸減少了55%。
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/lmkfcsjzxd_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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