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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何為電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器選擇合適的MOSFET[ 2025-03-19 11:12 ]

在電源系統(tǒng)中，MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管）是開(kāi)關(guān)控制器的核心元件之一，直接影響轉(zhuǎn)換效率、散熱能力以及整體電路的可靠性。然而，選擇合適的MOSFET并不是簡(jiǎn)單地對(duì)比額定電壓和電流，還需綜合考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，以確保其在設(shè)計(jì)要求范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。一、MOSFET的核心參數(shù)解析1. 額定電壓（Vds）選擇MOSFET時(shí)，其漏源極電壓（Vds）需高于實(shí)際工作電壓，并留出一定的安全裕量，以避免突發(fā)電壓波動(dòng)（如感性負(fù)載導(dǎo)致的瞬態(tài)尖峰）損壞器件。一般來(lái)說(shuō)，額定電壓應(yīng)比輸入電壓高出20%至30%。例如，在24V輸入的降壓電路中，推薦選擇額

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管頻繁燒毀？揭秘5大元兇及有效防護(hù)對(duì)策[ 2025-03-13 14:22 ]

MOS管在電子電路中廣泛應(yīng)用，但許多工程師都會(huì)遇到一個(gè)棘手問(wèn)題——MOS管頻繁燒毀。這不僅影響設(shè)備的正常運(yùn)行，還可能引發(fā)嚴(yán)重的安全隱患。那么，究竟是什么原因?qū)е翸OS管損壞？又該如何有效防護(hù)？1. 過(guò)壓擊穿：雪崩效應(yīng)的致命威脅MOS管的漏源極（VDS）耐壓有一定限制，當(dāng)電路中出現(xiàn)瞬態(tài)高壓（如浪涌或感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰）超過(guò)其耐壓值時(shí)，可能會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，導(dǎo)致局部過(guò)熱并燒毀MOS管。例如，在某共享充電寶的設(shè)計(jì)中，由于未添加瞬態(tài)電壓抑制器（TVS管），在用戶(hù)插拔充電器的瞬間，MOS管直接被3

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]續(xù)流二極管的原理及其在電路中的應(yīng)用[ 2025-02-21 11:17 ]

續(xù)流二極管（Flyback Diode），也被稱(chēng)為飛輪二極管或自由輪二極管，是一種用于保護(hù)電路的重要元件，特別是在電感性負(fù)載的電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。一、續(xù)流二極管的基本原理電感性元件（如電感線圈、電動(dòng)機(jī)等）在電流變化時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)（Back EMF）。這是一種由電感的自感作用產(chǎn)生的電壓，它的方向與電流的變化方向相反。當(dāng)電流突然中斷時(shí)，電感中儲(chǔ)存的能量會(huì)以電壓形式釋放出來(lái)，形成一個(gè)突波電壓。這個(gè)突波電壓不僅有可能損壞電路中的開(kāi)關(guān)元件，還可能影響到其他敏感的元件，如三極管、集成電路等。續(xù)流二極管的主要功能是提

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]續(xù)流二極管在電路中的關(guān)鍵作用及其工作機(jī)制[ 2025-02-07 10:34 ]

續(xù)流二極管是電子電路中常見(jiàn)的元件，主要用于抑制感性負(fù)載斷電時(shí)產(chǎn)生的高壓瞬變脈沖，以保護(hù)電路中的其他元件免受電壓沖擊損害。在繼電器、電機(jī)控制和開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用場(chǎng)景中，續(xù)流二極管為感應(yīng)電流提供了穩(wěn)定的泄放路徑，有效防止電壓驟變對(duì)電路的潛在影響。一、續(xù)流二極管的基本概念續(xù)流二極管通常并聯(lián)在電感負(fù)載的兩端。當(dāng)電感負(fù)載斷電時(shí)，由于電感的特性，它會(huì)產(chǎn)生反向高電壓，這種電壓可能會(huì)對(duì)電路中的開(kāi)關(guān)元件（如三極管、MOSFET等）造成損壞。續(xù)流二極管的作用是為電流提供一個(gè)安全的泄放路徑，使電感儲(chǔ)存的能量通過(guò)二極管回路釋放，避免高電壓峰值

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]深入解析RC-IGBT：結(jié)構(gòu)、工作原理與優(yōu)勢(shì)詳解[ 2024-10-15 16:11 ]

RC-IGBT是一種集成FRD（快恢復(fù)二極管）功能的新型IGBT器件。它具有良好的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作機(jī)理和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，其結(jié)構(gòu)、工作原理和優(yōu)點(diǎn)使其得到廣泛的應(yīng)用，詳細(xì)的分析將幫助您更深入地了解該裝置的獨(dú)特性和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。一、RC-IGBT的結(jié)構(gòu)和特性在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景中，IGBT用于關(guān)斷時(shí)關(guān)閉的感性負(fù)載。IGBT本身不能反向?qū)ǎ虼诵枰旎謴?fù)二極管（FRD）。由于傳統(tǒng)IGBT模塊尺寸較大，已難以滿足市場(chǎng)對(duì)更高性能、更小型器件的需求。為了解決上述問(wèn)題，開(kāi)發(fā)了芯片背面帶有二極管過(guò)孔的回線IGBT（RC-IGBT），將IGBT和F

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何有效診斷和修復(fù)功率MOSFET的典型故障[ 2024-10-09 14:42 ]

功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在電力電子器件中發(fā)揮著重要作用。由于具有開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通電阻低、響應(yīng)速度快等主要優(yōu)點(diǎn)，在電源中得到廣泛應(yīng)用。但由于工作環(huán)境復(fù)雜，功率MOSFET也容易出錯(cuò)。本文介紹如何有效診斷典型功率MOSFET故障，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。一、常見(jiàn)功率 MOSFET 故障類(lèi)型在開(kāi)始診斷之前，了解最常見(jiàn)的功率MOSFET故障類(lèi)型非常重要。1. 雪崩故障擊穿是功率MOSFET故障的常見(jiàn)形式，在過(guò)大張力的影響下發(fā)生。外部浪涌或感性負(fù)載引起的高壓尖峰可能會(huì)導(dǎo)致漏源電壓超過(guò)器件的額定值，從而

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]區(qū)分各類(lèi)負(fù)載：LED燈具體屬于哪一種?[ 2024-09-21 11:43 ]

在電氣系統(tǒng)中，了解不同類(lèi)型的負(fù)載對(duì)于設(shè)計(jì)、維護(hù)和優(yōu)化電路至關(guān)重要。特別是在涉及LED燈這類(lèi)現(xiàn)代照明設(shè)備時(shí)，正確地識(shí)別其負(fù)載類(lèi)型不僅有助于提高能效，還能延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。本文將探討LED燈具體屬于哪種負(fù)載類(lèi)型，并解釋其電氣特性和相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)需求。一、負(fù)載類(lèi)型簡(jiǎn)介在電氣工程中，負(fù)載主要根據(jù)其電流與電壓的相位關(guān)系分類(lèi)，常見(jiàn)的有以下幾種：- 電阻性負(fù)載：電流和電壓同相，例如電熱器、白熾燈等。- 電感性負(fù)載：電流相對(duì)于電壓滯后，典型的如電動(dòng)機(jī)和變壓器。- 容性負(fù)載：電流相對(duì)于電壓提前，常見(jiàn)于電容器等。- 非線性負(fù)載：電流和電

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[技術(shù)文章]SF12 典型應(yīng)用電路[ 2024-04-30 14:27 ]

SF12是一種常見(jiàn)的二極管型號(hào)，具有廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和特殊的參數(shù)特點(diǎn)。它在電子領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。一、應(yīng)用場(chǎng)景：1. 開(kāi)關(guān)電源和逆變器反向保護(hù)：在這些應(yīng)用中，SF12 能夠迅速響應(yīng)電壓反向變化，并提供有效的保護(hù)，防止電路元件受到損壞。2. 電感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)電源： SF12 還可用于減小開(kāi)關(guān)管的反向恢復(fù)損耗，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。3. 高頻電路和射頻通信設(shè)備：在調(diào)制解調(diào)器、射頻發(fā)射器和接收器等設(shè)備中，SF12 能夠快速響應(yīng)頻繁變化的信號(hào)，并保持較低的反向恢復(fù)時(shí)間，確保信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。二、參數(shù)特點(diǎn)：-

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]瞬態(tài)抑制器的新興技術(shù)及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用[ 2024-04-08 17:55 ]

瞬態(tài)干擾瞬態(tài)抑制器是一種關(guān)鍵的電子元件，用于應(yīng)對(duì)電網(wǎng)上出現(xiàn)的瞬間干擾信號(hào)，如浪涌電壓、振鈴電壓、火花放電等。它的特點(diǎn)在于作用時(shí)間極短，但是電壓幅度高，瞬態(tài)能量大。這些干擾信號(hào)會(huì)導(dǎo)致控制系統(tǒng)的電源電壓波動(dòng)，可能造成內(nèi)部設(shè)備損壞，因此必須采取措施進(jìn)行抑制。瞬態(tài)抑制器的一種常見(jiàn)類(lèi)型是硅瞬變吸收二極管。它的工作原理類(lèi)似于普通的穩(wěn)壓管，用于箝位干擾信號(hào)，保護(hù)被保護(hù)設(shè)備免受損壞。硅瞬變吸收二極管具有極快的響應(yīng)時(shí)間和高的浪涌吸收能力，可用于保護(hù)設(shè)備免受靜電、電感性負(fù)載切換以及感應(yīng)雷所產(chǎn)生的過(guò)電壓。另一種常見(jiàn)的瞬態(tài)抑制器是TVS管

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]漏電保護(hù)電源電路解析[ 2024-03-04 17:40 ]

漏電保護(hù)電源電路解析隨著漏電斷路器使用推廣及人民生活水平提高，家用電器等設(shè)備增加，而家用電器普遍存在感性負(fù)載和容性負(fù)載，這些負(fù)載在使用中易產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、浪涌電壓以及沖擊電流，從而要求漏電斷路器對(duì)抗浪涌電壓、沖擊電流等干擾的能力越來(lái)越強(qiáng)，使漏電斷路器在各種情況下能可靠使用，確保漏電斷路器不出現(xiàn)誤跳和失效現(xiàn)象。漏電芯片電源部分最新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB16917.1-2014（帶過(guò)載電流保護(hù)的漏電斷路器標(biāo)準(zhǔn)）中規(guī)定，對(duì)于應(yīng)用于三相四線制中的漏電保護(hù)器，當(dāng)其中任意兩相發(fā)生斷相的故障且此時(shí)線路中存在漏電流，若該漏電流達(dá)到漏電保護(hù)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]整流橋的原理圖文介紹[ 2024-01-22 17:58 ]

整流橋的原理圖文介紹整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載，因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類(lèi)型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。如右圖1所示，整流橋由控制器的控制角控制, 當(dāng)控制角為0°～90°時(shí)，整流橋處于整流狀態(tài), 輸出電壓的平均值為正

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]220V交流電的負(fù)載參數(shù)解析[ 2024-01-09 18:33 ]

220V交流電的負(fù)載參數(shù)解析如何用單片機(jī)控制220V交流電的通斷？首先來(lái)說(shuō)，220V交流電的負(fù)載是多大，是感性負(fù)載負(fù)載還是阻性負(fù)載，正常輸出功率是多大等這些都要考慮進(jìn)去。對(duì)阻性負(fù)載和感性負(fù)載的控制1、對(duì)于阻性負(fù)載比如普通的燈泡，一般是30到40W左右，如果用220V交流電來(lái)控制通斷，簡(jiǎn)單點(diǎn)的就用一個(gè)雙向可控硅直接控制，BT137電流達(dá)到7A，耐壓值600V，驅(qū)動(dòng)燈泡足夠了也可以加一個(gè)光耦：2、對(duì)于感性負(fù)載比如電動(dòng)機(jī)，因?yàn)樗膬?nèi)部有線圈，100W的電動(dòng)機(jī)在啟動(dòng)的時(shí)候可能達(dá)到1000W，因此這類(lèi)電器電路就要加多一個(gè) 阻

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何控制電路中的浪涌電流和過(guò)電壓[ 2023-11-23 18:05 ]

浪涌（Surge）也叫尖峰（Spike），是電路在遭受雷擊、接通、斷開(kāi)感性負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的超出正常工作電壓（或電流）的過(guò)電壓（或過(guò)電流），是一種發(fā)生在微秒或納秒時(shí)間內(nèi)的劇烈脈沖。其中，過(guò)電壓（或過(guò)電流）通常指超過(guò)正常值的2倍以上。圖 1.57 浪涌電壓波形示意圖浪涌電流（Inrush Current）是電源電路或電氣設(shè)備在接通輸入電源啟動(dòng)時(shí)，由于為電容器和電感器或變壓器充電需要很高的初始電流，導(dǎo)致較大的瞬時(shí)電流。浪涌電流抑制的目的，就是將這個(gè)“較大的瞬時(shí)輸入電流”控制在合理的范圍內(nèi)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電路分享，電容降壓電路[ 2023-08-08 17:33 ]

電路分享，電容降壓電路將交流市電轉(zhuǎn)換為低壓直流的常規(guī)方法是采用變壓器降壓后再整流濾波，當(dāng)受體積和成本等因素的限制時(shí)，最簡(jiǎn)單實(shí)用的方法就是采用電容降壓式電源。?采用電容降壓時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：?1?根據(jù)負(fù)載的電流大小和交流電的工作頻率選取適當(dāng)?shù)碾娙荩皇且罁?jù)負(fù)載的電壓和功率。?2?限流電容必須采用無(wú)極性電容，絕對(duì)不能采用電解電容，而且電容的耐壓須在400V以上，最理想的電容為鐵殼油浸電容。?3?電容降壓不能用于大功率條件，因?yàn)椴话踩?4?電容降壓不適合動(dòng)態(tài)負(fù)載條件。5?同樣，電容降壓不適合容性和感性負(fù)載。?6?當(dāng)需

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管寄生二極管的圖文介紹[ 2023-05-11 16:55 ]

MOS管寄生二極管的圖文介紹MOS管為什么會(huì)有寄生二極管MOS管會(huì)有寄生二極管是因?yàn)镸OS管的源極和漏極之間的電阻會(huì)發(fā)生變化，這種變化會(huì)導(dǎo)致MOS管內(nèi)部的電壓發(fā)生變化，從而產(chǎn)生一個(gè)寄生二極管。寄生二極管可以抑制MOS管的漏電，從而提高M(jìn)OS管的效率。寄生二極管漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管，即“體二極管”，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)、繼電器）應(yīng)用中，主要用于保護(hù)回路。不過(guò)體二極管只在單個(gè)MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。寄生二極管位置示意圖MOS管寄生二極管的作用參數(shù)MOS管寄生二

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOSFET內(nèi)部二極管之逆變器應(yīng)用介紹[ 2023-04-26 16:54 ]

MOSFET內(nèi)部二極管之逆變器應(yīng)用介紹全橋與H橋逆變器如上電路所示，全橋逆變器中，一組4個(gè)MOSFET連接到輸出負(fù)載。對(duì)角連接的MOSFET通過(guò)外部振蕩器交替切換，來(lái)自電池的輸入DC轉(zhuǎn)換為負(fù)載的交流電或AC。負(fù)載通表現(xiàn)為變壓器形式，低壓初級(jí)線圈與MOSFET橋連接以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的DC到AC反相。基于4 N溝道MOSFET的H橋被應(yīng)用在全橋逆變器中，即用4 N通道逆變器依賴(lài)于專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器IC，但效率很高，復(fù)雜性可忽略，廣泛應(yīng)用于全橋逆變器中。MOSFET體內(nèi)二極管MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]可控硅調(diào)壓器如何選型介紹[ 2023-01-05 16:26 ]

眾所周知可控硅調(diào)壓器全稱(chēng)為單相智能固態(tài)可控硅調(diào)壓器模塊，又稱(chēng)晶閘管調(diào)功器、晶閘管調(diào)壓器、晶閘管調(diào)整器、可控硅調(diào)功器、可控硅調(diào)整器。是一種以可控硅為基礎(chǔ)，以專(zhuān)用控制電路為核心的電源功率控制電器。可控硅調(diào)壓器用于三相負(fù)載，單向可控硅輸出。采用兩個(gè)可控硅混合動(dòng)力技術(shù)，實(shí)現(xiàn)0-380伏無(wú)級(jí)調(diào)壓，提供高效熱量管理，并提高循環(huán)使用壽命。可控硅調(diào)壓器0v到220v，是最為常見(jiàn)的可調(diào)電壓。那可控硅調(diào)壓器該如何選型呢？1、先計(jì)算滿電壓時(shí)的負(fù)載電流，再根據(jù)負(fù)載類(lèi)型乘以余量系數(shù)。阻性負(fù)載系數(shù)3倍；感性負(fù)載系數(shù)為5倍。例：380V 9KW

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]漏電保護(hù)電路分析[ 2022-10-31 12:08 ]

隨著漏電斷路器使用推廣及人民生活水平提高，家用電器等設(shè)備增加，而家用電器普遍存在感性負(fù)載和容性負(fù)載，這些負(fù)載在使用中易產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、浪涌電壓以及沖擊電流，從而要求漏電斷路器對(duì)抗浪涌電壓、沖擊電流等干擾的能力越來(lái)越強(qiáng)，使漏電斷路器在各種情況下能可靠使用，確保漏電斷路器不出現(xiàn)誤跳和失效現(xiàn)象。 1.漏電芯片電源部分最新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB16917.1-2014（帶過(guò)載電流保護(hù)的漏電斷路器標(biāo)準(zhǔn)）中規(guī)定，對(duì)于應(yīng)用于三相四線制中的漏電保護(hù)器，當(dāng)其中任意兩相發(fā)生斷相的故障且此時(shí)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]可控硅觸發(fā)電路的方式介紹[ 2022-10-18 17:49 ]

單相通用型可控硅觸發(fā)板是通過(guò)調(diào)整可控硅的導(dǎo)通角來(lái)實(shí)現(xiàn)電氣設(shè)備的電壓電流功率調(diào)整的一種移相型的電力控制器，其核心部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的軍品級(jí)可控硅觸發(fā)專(zhuān)用集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱(chēng)性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱(chēng)度及限位進(jìn)行調(diào)整。現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。它可廣泛的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等，下面小編給大家介紹一下“可控硅觸發(fā)電路的方式有哪些”一、可控硅觸發(fā)電路的方式有哪些可控

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]晶體的負(fù)載電容 | 壹芯微[ 2022-08-30 15:33 ]

負(fù)載電容又可稱(chēng)為匹配電容是包括有源晶振和無(wú)源晶振在內(nèi)使用和選型與替換中的一個(gè)重要且特有的概念。本文收集整理了這個(gè)概念的對(duì)晶振的含義和作用等。一、什么是負(fù)載電容？負(fù)載是指連接在電路中的電源兩端的電子元件負(fù)載包括容性負(fù)載、阻性負(fù)載和感性負(fù)載三種。電路中不應(yīng)沒(méi)有負(fù)載而直接把電源兩極相連，此連接稱(chēng)為短路。常用的負(fù)載有電阻、引擎和燈泡等可消耗功率的元件。不消耗功率的元件，如電容，也可接上去，但此情況為斷路。容性負(fù)載的含義是指具有電容的性質(zhì)（充放電，電壓不能突變）即和電源相比當(dāng)負(fù)載電流超前負(fù)載電壓一個(gè)相位差時(shí)負(fù)載為容性(如負(fù)載

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