• <center id="ckp5g"></center>
    

    <thead id="ckp5g"><video id="ckp5g"></video></thead>
      <bdo id="ckp5g"></bdo>
      2. 

        <button id="ckp5g"><video id="ckp5g"><small id="ckp5g"></small></video></button>
        
中文字幕av日韩精品一区二区,少妇厨房愉情理伦片bd在线观看
,久久久久人妻精品一区三寸蜜桃
,91久久精品亚洲中文字幕无码,三级国产三级在线,A亚洲VA欧美VA国产综合,无码人妻AV一区二区三区蜜臀,日韩精品久久久久久免费 
    
    


        
    
        
        
        
            
        
                收藏壹芯微
                | 在線留言| 網站地圖
            
        
            您好！歡迎光臨壹芯微科技品牌官網
        
        
        
        
            
        
                壹芯微
        
            
        
                深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆
            
        
            
        
                全國服務熱線：13534146615
        
        
        
    
        

        

        
    

        


        
    
        
        
    
        

        



    
    
    
        
        壹芯微二極管
    
        
    
        
        
        
            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索：導通電阻rds_on
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]高性能MOS管選型指南：如何看懂質量與穩定性參數[
                                        2025-04-17 10:55
                                        ]
        
                                
        
                                    在功率電子設計中，MOSFET（場效應晶體管）以其快速開關速度、低導通電阻以及優異的熱穩定性，成為電源管理、電機驅動、逆變器等領域不可或缺的核心元件。然而，面對市面上種類繁多、參數各異的MOS管，工程師在選型時常常遇到困擾。一、導通電阻Rds(on)：影響發熱和能耗的關鍵參數導通電阻是判斷MOS管性能的重要指標之一，數值越小，在工作狀態下電壓降越低，發熱量越少。例如，用于高頻DC-DC轉換器的MOSFET，Rds(on)應控制在幾毫歐以下，以確保轉換效率最大化。需要注意的是，在選型時應同時參考其在特定漏極電壓和柵壓
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/gxnmosgxxz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]影響MOS管損耗的關鍵參數與優化方法[
                                        2025-03-18 11:55
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管作為電子電路中的重要元件，其損耗直接影響系統的能效與穩定性。損耗的產生涉及多個因素，包括其自身的物理特性、電路設計、工作條件以及外部環境等。理解這些影響因素，并采取相應優化措施，可以有效降低MOS管的損耗，提高整體性能。一、影響MOS管損耗的關鍵參數1. 導通電阻（RDS(on)）導通電阻RDS(on)是MOS管在開啟狀態下，源極與漏極之間的電阻值。它直接決定了導通損耗，其計算公式如下：P_conduction = I² × RDS(on)其中，I為漏極電流。導通電阻的大小受工藝、溫度
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/yxmosgshdg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管發熱的主要原因及高效散熱方案解析[
                                        2025-02-26 10:56
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管作為電子電路中廣泛應用的功率器件，在高頻、高功率工作環境下容易出現發熱問題。過高的溫度不僅影響MOS管的穩定性，還可能降低其使用壽命，甚至導致電路故障。一、MOS管發熱的主要原因MOS管在開關電源、驅動電路等應用中，主要工作在開關模式。當MOS管出現異常發熱時，通常與以下幾個因素有關：1. 導通電阻（Rds(on)) 造成的功耗MOS管在導通狀態下，其漏源極之間存在一定的導通電阻Rds(on)，該電阻會導致導通損耗。損耗計算公式如下： P = Rds(on) * Id²其中，Id為流過MOS管的漏
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgfrdzyy_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]開關電源MOSFET損耗分析與優化選型技巧[
                                        2025-02-18 12:13
                                        ]
        
                                
        
                                    在開關電源設計中，MOSFET作為核心的開關器件，扮演著至關重要的角色。其性能直接決定了電源的效率、熱管理以及整體的系統穩定性。盡管MOSFET具有較低的導通電阻和高效的開關特性，但在實際工作中，MOSFET依然會面臨多種損耗問題，這些損耗會影響系統的效率，增加熱負荷，甚至縮短器件壽命。因此，在開關電源的設計過程中，進行MOSFET損耗分析和優化選型顯得尤為重要。一、MOSFET工作損耗的類型MOSFET的工作損耗主要可分為以下幾類：1. 導通損耗：發生在MOSFET完全開啟時，由漏極電流通過導通電阻RDS(on)
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/kgdymosfet_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管損壞的幾種介紹[
                                        2022-09-17 16:07
                                        ]
        
                                
        
                                    第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率原因：外加直流功率而導致的損耗引起的發熱導通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導致
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgshdjzj_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道 足參數[
                                        2021-09-11 11:43
                                        ]
        
                                
        
                                    IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道 足參數IRLR3110Z(N溝道增強型場效應晶體管)；IRLR3110Z場效應管參數；IRLR3110Z場效應管封裝引腳圖；IRLR3110Z場效應管中文資料規格書(PDF)；  電流(ID)：63A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252  產品概要導通電阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)輸入電容Ciss=17000pF(typ)4.5V驅動無鹵合規絕對最大額定參數（TC=25C，除非另有說
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/irlr3110zt_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]ATP401 貼片TO-252 MOS管60V 100A N溝道 足參數[
                                        2021-09-11 09:37
                                        ]
        
                                
        
                                    ATP401 貼片TO-252 MOS管60V 100A N溝道 足參數ATP401(P溝道增強型場效應晶體管)；ATP401 場效應管參數；ATP401 場效應管封裝引腳圖；ATP401 場效應管中文資料規格書(PDF)；  電流(ID)：100A，電壓(VDSS)：-60V，封裝形式：TO252  產品概要導通電阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)輸入電容Ciss=17000pF(typ)4.5V驅動無鹵合規絕對最大額定參數（TC=25C
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/atp401tpto_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]半橋電路之MOS管關鍵參數計算知識[
                                        2020-10-22 16:29
                                        ]
        
                                
        
                                    半橋電路之MOS管關鍵參數計算知識MOS管選型需要滿足幾個要求：1.足夠的漏-源電壓 VDS2.足夠的漏極電流 ID3.快速開關的能力和開通、關斷延時4.低的導通電阻Rds(on)例：如圖，假設該電路輸出功率為850W，負載8Ω，MOS管如何選型？1.Vds電壓是多少？根據P=U*U/R，得出輸出的平均電壓U=82V，這是平均值，需要轉化成峰值電壓Uo=√2*U=116V。 又因為電源利用率為85%，所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。2.ID如何計
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/bqdlzmosgg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]mos管功耗-mos管功耗計算方法和MOS驅動基礎[
                                        2020-09-09 14:45
                                        ]
        
                                
        
                                    mos管功耗-mos管功耗計算方法和MOS驅動基礎MOS管功耗，要確定一個MOSFET場效應管是否適于某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括阻抗耗散和開關耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趨勢封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進步，相同電壓電流規格或者功率規格的產品，個頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識有些相悖，但是事實確實如此。VMOS的通態功耗，業界習氣于用飽和導通電阻RDS(ON)來權衡，這是不太客觀的，由于
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosgghmosg_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]導通電阻Rds(ON)低至0.67歐姆的MOSFE介紹[
                                        2020-05-23 15:13
                                        ]
        
                                
        
                                    導通電阻Rds(ON)低至0.67歐姆的MOSFE介紹導通電阻Rds(ON)是場效應管（MOSFET）的一項重要參數，是工作時MOSFET漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對于同類MOSFET器件，Rds(ON)數值越小，工作時的損耗（功率損耗）就越小，所以實際應用中要求Rds(ON)越小越好。由于能源日趨緊張，越來越多的均需要超低Rds(ON)，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機控制與蓄電池保護等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，具備類似Rds(ON)的一些同類器件，由于在縮小晶圓單元間隔的同時
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/dtdzrdsond_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOSFET導通電阻Rds(ON)及VGS-結溫-耐壓的關系解析[
                                        2020-04-07 15:30
                                        ]
        
                                
        
                                    MOSFET導通電阻Rds(ON)及VGS-結溫-耐壓的關系解析導通電阻Rds(ON)是場效應管（MOSFET）的一項重要參數，mos管在越來越多的新能源和汽車電子應用中，都能發現MOSFET的身影，而且很多應用要求超低導通電阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對于同類MOSFET器件，Rds(ON)數值越小，工作時的損耗（功率損耗）就越小。mos管工作電路對于一般晶體管，消耗功率用集電極飽和電壓（VCE(sat)）乘以
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/mosfetdtdz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]功率MOS管的5種損壞案例詳解[
                                        2019-12-07 12:28
                                        ]
        
                                
        
                                    功率MOS管的5種損壞案例詳解[第一種]雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：[第二種]器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。直流功率原因：外加直流功率而導致的損耗引起的發熱。導通電阻RDS(on)
        
                                
        
                                    
                                        http://www.kannic.com/Article/glmosgd5zs_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
                掃一掃！
        
        
        
        
        
        
        
        
        
            
                深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號：粵ICP備2020121154號
            
        
    
        

        



  
              
     
           


           

    
    




主站蜘蛛池模板：
免费A级毛片无码A∨在线视频|
久久美女大胆嘘嘘嘘国产盗摄|
中文字幕被公侵犯的漂亮人妻|
亚洲国产欧美另类va在线观看|
中文字幕亚洲精品熟女少妇|
当涂县|
最新国产精品亚洲|
金湖县|
国产精品久久福利新婚之夜|
欧美成人免费看片一区|
2019中文字幕99国产精品视频|
女女色综合影院|
色综合久久中文综|
超碰99人人射草|
麻豆一区二区99久久久久|
日本一本二本三区免费|
国产偷倩视频|
国产免费拔擦拔擦8X高清在线|
夜爽8888视频在线观看|
人人澡人人澡人人看添av|
国产口爆吞精在线观看视频|
日韩国产二区不卡在线|
99精品偷拍视频一区二区三区|
av色蜜桃一区二区三区|
区。|
欧美精品一级AAAA片|
亚洲欧洲专线一区|
国产后入清纯学生妹|
熟妇人妻无码中文字幕老熟妇|
国产麻豆剧果冻传媒白晶晶|
亚洲 另类 日韩 制服 无码|
久久99精品久久久久久无毒不卡
|
国产福利社区一区二区|
亚洲人成色77777在线观看|
精品久久久久久国产潘金莲|
国产精品无码嫩草地址更新|
美女高潮抽搐潮喷白浆网站|
国产桃色无码视频在线观看|
大陆少妇xxxx做受|
国产蜜臀视频一区二区三区|
亚欧美无遮挡hd高清在线视频|