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[常見問題解答]高性能MOS管選型指南：如何看懂質(zhì)量與穩(wěn)定性參數(shù)[ 2025-04-17 10:55 ]: 在功率電子設(shè)計(jì)中，MOSFET（場效應(yīng)晶體管）以其快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻以及優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，成為電源管理、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域不可或缺的核心元件。然而，面對市面上種類繁多、參數(shù)各異的MOS管，工程師在選型時常常遇到困擾。一、導(dǎo)通電阻Rds(on)：影響發(fā)熱和能耗的關(guān)鍵參數(shù)導(dǎo)通電阻是判斷MOS管性能的重要指標(biāo)之一，數(shù)值越小，在工作狀態(tài)下電壓降越低，發(fā)熱量越少。例如，用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET，Rds(on)應(yīng)控制在幾毫歐以下，以確保轉(zhuǎn)換效率最大化。需要注意的是，在選型時應(yīng)同時參考其在特定漏極電壓和柵壓; http://www.kannic.com/Article/gxnmosgxxz_1.html

[常見問題解答]影響MOS管損耗的關(guān)鍵參數(shù)與優(yōu)化方法[ 2025-03-18 11:55 ]: MOS管作為電子電路中的重要元件，其損耗直接影響系統(tǒng)的能效與穩(wěn)定性。損耗的產(chǎn)生涉及多個因素，包括其自身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。理解這些影響因素，并采取相應(yīng)優(yōu)化措施，可以有效降低MOS管的損耗，提高整體性能。一、影響MOS管損耗的關(guān)鍵參數(shù)1. 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）導(dǎo)通電阻RDS(on)是MOS管在開啟狀態(tài)下，源極與漏極之間的電阻值。它直接決定了導(dǎo)通損耗，其計(jì)算公式如下：P_conduction = I² × RDS(on)其中，I為漏極電流。導(dǎo)通電阻的大小受工藝、溫度; http://www.kannic.com/Article/yxmosgshdg_1.html

[常見問題解答]MOS管發(fā)熱的主要原因及高效散熱方案解析[ 2025-02-26 10:56 ]: MOS管作為電子電路中廣泛應(yīng)用的功率器件，在高頻、高功率工作環(huán)境下容易出現(xiàn)發(fā)熱問題。過高的溫度不僅影響MOS管的穩(wěn)定性，還可能降低其使用壽命，甚至導(dǎo)致電路故障。一、MOS管發(fā)熱的主要原因MOS管在開關(guān)電源、驅(qū)動電路等應(yīng)用中，主要工作在開關(guān)模式。當(dāng)MOS管出現(xiàn)異常發(fā)熱時，通常與以下幾個因素有關(guān)：1. 導(dǎo)通電阻（Rds(on)) 造成的功耗MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下，其漏源極之間存在一定的導(dǎo)通電阻Rds(on)，該電阻會導(dǎo)致導(dǎo)通損耗。損耗計(jì)算公式如下： P = Rds(on) * Id²其中，Id為流過MOS管的漏; http://www.kannic.com/Article/mosgfrdzyy_1.html

[常見問題解答]開關(guān)電源MOSFET損耗分析與優(yōu)化選型技巧[ 2025-02-18 12:13 ]: 在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心的開關(guān)器件，扮演著至關(guān)重要的角色。其性能直接決定了電源的效率、熱管理以及整體的系統(tǒng)穩(wěn)定性。盡管MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)特性，但在實(shí)際工作中，MOSFET依然會面臨多種損耗問題，這些損耗會影響系統(tǒng)的效率，增加熱負(fù)荷，甚至縮短器件壽命。因此，在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)過程中，進(jìn)行MOSFET損耗分析和優(yōu)化選型顯得尤為重要。一、MOSFET工作損耗的類型MOSFET的工作損耗主要可分為以下幾類：1. 導(dǎo)通損耗：發(fā)生在MOSFET完全開啟時，由漏極電流通過導(dǎo)通電阻RDS(on); http://www.kannic.com/Article/kgdymosfet_1.html

[常見問題解答]MOS管損壞的幾種介紹[ 2022-09-17 16:07 ]: 第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率原因：外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導(dǎo)致; http://www.kannic.com/Article/mosgshdjzj_1.html

[行業(yè)資訊]IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道足參數(shù)[ 2021-09-11 11:43 ]: IRLR3110Z TO-252 MOS管100V 63A N溝道足參數(shù)IRLR3110Z(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管)；IRLR3110Z場效應(yīng)管參數(shù)；IRLR3110Z場效應(yīng)管封裝引腳圖；IRLR3110Z場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；電流(ID)：63A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252 產(chǎn)品概要導(dǎo)通電阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)輸入電容Ciss=17000pF(typ)4.5V驅(qū)動無鹵合規(guī)絕對最大額定參數(shù)（TC=25C，除非另有說; http://www.kannic.com/Article/irlr3110zt_1.html

[行業(yè)資訊]ATP401 貼片TO-252 MOS管60V 100A N溝道足參數(shù)[ 2021-09-11 09:37 ]: ATP401 貼片TO-252 MOS管60V 100A N溝道足參數(shù)ATP401(P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管)；ATP401 場效應(yīng)管參數(shù)；ATP401 場效應(yīng)管封裝引腳圖；ATP401 場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；電流(ID)：100A，電壓(VDSS)：-60V，封裝形式：TO252 產(chǎn)品概要導(dǎo)通電阻RDS(on)1=2.8mΩ(典型值)輸入電容Ciss=17000pF(typ)4.5V驅(qū)動無鹵合規(guī)絕對最大額定參數(shù)（TC=25C; http://www.kannic.com/Article/atp401tpto_1.html

[常見問題解答]半橋電路之MOS管關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算知識[ 2020-10-22 16:29 ]: 半橋電路之MOS管關(guān)鍵參數(shù)計(jì)算知識MOS管選型需要滿足幾個要求：1.足夠的漏-源電壓 VDS2.足夠的漏極電流 ID3.快速開關(guān)的能力和開通、關(guān)斷延時4.低的導(dǎo)通電阻Rds(on)例：如圖，假設(shè)該電路輸出功率為850W，負(fù)載8Ω，MOS管如何選型？1.Vds電壓是多少？根據(jù)P=U*U/R，得出輸出的平均電壓U=82V，這是平均值，需要轉(zhuǎn)化成峰值電壓Uo=√2*U=116V。又因?yàn)殡娫蠢寐蕿?5%，所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。2.ID如何計(jì); http://www.kannic.com/Article/bqdlzmosgg_1.html

[常見問題解答]mos管功耗-mos管功耗計(jì)算方法和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)[ 2020-09-09 14:45 ]: mos管功耗-mos管功耗計(jì)算方法和MOS驅(qū)動基礎(chǔ)MOS管功耗，要確定一個MOSFET場效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括阻抗耗散和開關(guān)耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHINGmos管功耗-低功耗趨勢封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產(chǎn)品，個頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識有些相悖，但是事實(shí)確實(shí)如此。VMOS的通態(tài)功耗，業(yè)界習(xí)氣于用飽和導(dǎo)通電阻RDS(ON)來權(quán)衡，這是不太客觀的，由于; http://www.kannic.com/Article/mosgghmosg_1.html

[常見問題解答]導(dǎo)通電阻Rds(ON)低至0.67歐姆的MOSFE介紹[ 2020-05-23 15:13 ]: 導(dǎo)通電阻Rds(ON)低至0.67歐姆的MOSFE介紹導(dǎo)通電阻Rds(ON)是場效應(yīng)管（MOSFET）的一項(xiàng)重要參數(shù)，是工作時MOSFET漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對于同類MOSFET器件，Rds(ON)數(shù)值越小，工作時的損耗（功率損耗）就越小，所以實(shí)際應(yīng)用中要求Rds(ON)越小越好。由于能源日趨緊張，越來越多的均需要超低Rds(ON)，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機(jī)控制與蓄電池保護(hù)等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，具備類似Rds(ON)的一些同類器件，由于在縮小晶圓單元間隔的同時; http://www.kannic.com/Article/dtdzrdsond_1.html

[常見問題解答]MOSFET導(dǎo)通電阻Rds(ON)及VGS-結(jié)溫-耐壓的關(guān)系解析[ 2020-04-07 15:30 ]: MOSFET導(dǎo)通電阻Rds(ON)及VGS-結(jié)溫-耐壓的關(guān)系解析導(dǎo)通電阻Rds(ON)是場效應(yīng)管（MOSFET）的一項(xiàng)重要參數(shù)，mos管在越來越多的新能源和汽車電子應(yīng)用中，都能發(fā)現(xiàn)MOSFET的身影，而且很多應(yīng)用要求超低導(dǎo)通電阻的MOSFET功率器件。什么是Rds(ON)？Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對于同類MOSFET器件，Rds(ON)數(shù)值越小，工作時的損耗（功率損耗）就越小。mos管工作電路對于一般晶體管，消耗功率用集電極飽和電壓（VCE(sat)）乘以; http://www.kannic.com/Article/mosfetdtdz_1.html

[常見問題解答]功率MOS管的5種損壞案例詳解[ 2019-12-07 12:28 ]: 功率MOS管的5種損壞案例詳解[第一種]雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：[第二種]器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率原因：外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱。導(dǎo)通電阻RDS(on); http://www.kannic.com/Article/glmosgd5zs_1.html

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