PD最大耗散功率:4.2WID最大漏源電流:10.9AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:40VRDS(ON)Ω內阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通態電流:4.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢
一、應用場景:
1. 電源管理:ZXMN4A06K在電源管理領域具有廣泛的應用。它能夠有效地控制電流和電壓,確保設備穩定運行。典型的應用包括DC-DC轉換器、負載開關和電池管理系統。由于其低導通電阻和高開關速度,這款MOSFET在提高能效和減少功耗方面表現出色。
2. 消費電子:在消費電子產品中,ZXMN4A06K常被用于智能手機、平板電腦和可穿戴設備的電路設計中。其高效的功率處理能力使得設備能夠在高性能和長續航之間達到平衡,提供更好的用戶體驗。
3. 汽車電子:現代汽車電子系統中也廣泛使用ZXMN4A06K。其可靠性和耐用性使其成為電動汽車、電動轉向系統和車載充電器等應用的理想選擇。其優異的熱性能和耐高溫特性,確保了在嚴苛環境下的穩定運行。
4. 工業自動化:在工業自動化領域,ZXMN4A06K被用于各種控制系統和驅動電路。它的高開關速度和低功耗特點,使得工業設備能夠實現高效和精確的控制,從而提高生產效率和產品質量。
5. 通信設備:在通信設備中,ZXMN4A06K被用于基站、路由器和交換機的電源管理模塊中。其高效能和低噪聲特性,有助于提高通信設備的性能和可靠性,確保數據傳輸的穩定性和速度。
二、參數特點:
- 低導通電阻:ZXMN4A06K的導通電阻非常低,僅為數毫歐,這使得它在導通狀態下能夠顯著減少功率損耗,提高能效。這對于需要長時間運行且要求高能效的設備尤為重要。
- 高開關速度:ZXMN4A06K具備極快的開關速度,能夠在極短的時間內完成導通和關斷操作。這種特點對于高頻率開關電路和高效電源轉換至關重要,有助于減少轉換損耗,提高系統效率。
- 耐高壓:ZXMN4A06K的耐壓值較高,能夠承受高達60V的漏源電壓。這使其適用于需要高耐壓能力的應用場景,如工業控制和汽車電子領域。
- 熱性能優異:ZXMN4A06K具有良好的熱性能,能夠在高溫環境下穩定工作。其熱阻較低,能夠有效地散熱,確保在高功率應用中的安全性和可靠性。
- 封裝形式:ZXMN4A06K采用常見的SOT-23封裝形式,這種封裝不僅體積小巧,便于電路板設計和布局,同時還具有良好的散熱性能,適合高密度電路設計需求。
綜上所述,ZXMN4A06K作為一種高性能N溝道MOSFET,憑借其優異的電氣性能和廣泛的應用場景,成為現代電子設備設計中的重要組成部分。無論是在電源管理、消費電子、汽車電子,還是工業自動化和通信設備中,ZXMN4A06K都展現出了其獨特的優勢和不可替代的作用。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號