PD最大耗散功率:4.31WID最大漏源電流:7.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通態電流:4.6AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理系統:ZXMN10A09K在電源管理系統中起到關鍵作用。它被用來作為開關元件,控制電流的通斷,從而實現高效的能量轉換和電源調節。其低導通電阻和快速開關速度,使其非常適合于高效電源設計,如DC-DC轉換器和AC-DC電源適配器。
2. 電機驅動:在電機驅動應用中,ZXMN10A09K由于其高電流處理能力和低損耗,常被用于驅動直流電機和步進電機。這些特性幫助提高系統的效率和性能,特別是在要求快速響應和高精度控制的場景中。
3. 汽車電子:ZXMN10A09K在汽車電子領域也有廣泛應用。它用于控制汽車內部各種電子設備,如燈光系統、空調系統和娛樂系統。這種MOSFET的耐高溫和高電流處理能力,確保了汽車電子系統的可靠性和穩定性。
4. 消費電子產品:在智能手機、平板電腦等消費電子產品中,ZXMN10A09K被用于電源管理和電池保護電路。其緊湊的封裝和高效的電流控制能力,使得設備可以在更小的空間內實現更高的性能。
5. 工業控制系統:ZXMN10A09K在工業自動化控制系統中被廣泛使用,特別是在需要高精度和高可靠性的場合。其快速開關和低功耗特性,幫助提高整個控制系統的響應速度和效率。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):ZXMN10A09K具有極低的導通電阻,典型值為0.9mΩ。這意味著在相同電流下,它會產生更少的熱量,提升了效率,減少了功耗。
- 高電流處理能力:該MOSFET能夠處理高達90A的電流,使其非常適合高電流需求的應用,如電機驅動和電源管理系統。
- 低柵極電荷(Qg):ZXMN10A09K具有較低的柵極電荷,典型值為45nC。這確保了其能夠以較低的能量消耗實現快速的開關速度,適合高頻率的開關應用。
- 耐高壓:其擊穿電壓(BVDSS)為30V,使其能夠在相對較高的電壓環境下安全工作,廣泛適用于各種工業和汽車電子應用。
- 封裝形式:ZXMN10A09K采用了標準的SO-8封裝,這種封裝形式緊湊,易于集成到各種電路板設計中,并且具有良好的散熱性能。
綜上所述,ZXMN10A09K憑借其低導通電阻、高電流處理能力、低柵極電荷、耐高壓和緊湊的封裝形式,成為眾多電子應用中的首選元件。其廣泛的應用場景和優異的參數特點,使其在現代電子設計中占據了重要地位。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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