PD最大耗散功率：52WID最大漏源電流：10AV(BR)DSS漏源擊穿電壓：650VRDS(ON)Ω內阻：0.45ΩVRDS(ON)ld通態電流：5AVRDS(ON)柵極電壓：10VVGS(th)V開啟電壓：2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流：250μAGfs(min)S跨導：SGfs(min)VDS漏源電壓：VGfs(min)lo通態電流：A
立即咨詢一、應用場景：
1. 電源開關電路：SVF10N65F 在開關電源中作為主開關管，控制電源的開關狀態，確保電源輸出穩定。
2. 電機驅動器：通過控制MOSFET的導通狀態，SVF10N65F 用于電機的啟動、停止和轉向控制。
二、參數特點：
1. 低導通電阻：SVF10N65F 導通時提供較小的功率損耗，提高效率。
2. 高擊穿電壓：SVF10N65F 能夠承受較高的電壓，保證在高壓環境下的可靠性。
3. 快速的開關特性：SVF10N65F 在導通到截止狀態切換速度快，減少能量損耗。
4. 良好的溫度特性：SVF10N65F 在不同工作溫度下性能變化小，保證穩定性能。
綜上所述，SVF10N65F 作為一款優秀的MOSFET晶體管，適用于電源管理和開關電路，其優異的參數特點保證了在各種環境下的可靠性和穩定性，使其成為眾多電子設備中不可或缺的組成部分。
工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話：13534146615
企業QQ：2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號：粵ICP備2020121154號
