PD最大耗散功率:150WID最大漏源電流:11AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:800VRDS(ON)Ω內阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通態電流:5.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源開關:STW11NM80常被應用于電源開關電路中。在這些電路中,它可以承受高電壓和大電流,用于控制電源的開關狀態。
2. 電機驅動:由于STW11NM80具有較低的導通電阻和高的耐壓能力,因此在電機驅動器中也經常使用。它能夠提供足夠的功率以驅動各種類型的電機,例如直流電機和步進電機。
3. 逆變器:逆變器是將直流電轉換為交流電的關鍵部件。 STW11NM80可用于逆變器的功率開關階段,有效地控制電流和電壓,從而實現高效的能量轉換。
4. 照明應用:LED驅動器和其他照明應用也是STW11NM80的典型應用場景之一。它的高功率特性和可靠性使其成為驅動高亮度LED的理想選擇。
二、參數特點:
1. 低導通電阻(RDS(on)):STW11NM80具有較低的導通電阻,這意味著在導通狀態下,它可以減少功率損耗并提高效率。
2. 高耐壓能力(VDS):該器件具有高耐壓能力,可承受較高的漏極-源極電壓,使其適用于高壓應用。
3. 快速開關速度:STW11NM80具有快速的開關速度,這對于要求高頻率開關的應用非常重要,例如開關模式電源。
4. 熱穩定性:它的設計具有良好的熱穩定性,能夠在各種工作條件下保持穩定性能,這對于長時間運行的應用至關重要。
5. 低輸入和輸出電容:輸入和輸出電容的減少有助于減小開關時的功率損耗和提高開關速度,同時有助于簡化外部電路設計。
在各種功率電子應用中,STW11NM80作為一款性能穩定、可靠性高的MOSFET器件,發揮著重要作用。其優秀的參數特點使其在諸多領域中受到廣泛關注和應用。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號