PD最大耗散功率:160WID最大漏源電流:4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:1500VRDS(ON)Ω內阻:7ΩVRDS(ON)ld通態電流:2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源供應:STP4N150可用作開關電源的主要功率開關,能夠在高頻率下實現高效率的能量轉換,使得電源設備具有更好的性能和穩定性。
2. 電機驅動:在工業自動化和機械設備中,STP4N150可用于電機驅動電路,提供高功率輸出和精確的電機控制,適用于各種類型的電機。
3. 照明應用:在LED照明系統中,STP4N150可以作為LED驅動電路中的功率開關,實現對LED燈的精確控制和調光,提高照明系統的效率和可靠性。
4. 汽車電子:在汽車電子系統中,STP4N150可用于發動機控制、電池管理和電動車輛驅動等方面,提供高效的功率轉換和可靠的電氣性能。
5. 太陽能逆變器:在太陽能發電系統中,STP4N150可用于逆變器電路,將太陽能電池板輸出的直流電轉換為交流電,供應給電網或電氣設備使用。
二、參數特點:
1. 高耐壓特性:STP4N150具有150V的耐壓特性,能夠承受較高的電壓應用,適用于各種功率需求較大的電路設計。
2. 低導通電阻:該器件的導通電阻較低,有助于降低功率損耗和提高功率轉換效率,在高功率應用中具有更好的性能表現。
3. 高速開關特性:STP4N150具有快速的開關特性,能夠在短時間內完成通斷轉換,適用于要求高頻率操作的電路設計。
4. 優良的溫度穩定性:該器件具有良好的溫度穩定性,即使在高溫環境下,也能保持穩定的電氣性能,適用于各種工作條件。
5. 可靠的封裝:STP4N150采用高可靠性的封裝結構,能夠在惡劣環境下長時間穩定工作,保證系統的可靠性和穩定性。
STP4N150作為一款高性能的功率MOSFET晶體管,在各種應用場景中都能發揮重要作用,其優秀的參數特點使得它成為工程設計中的首選元器件之一。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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