PD最大耗散功率:125WID最大漏源電流:12AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:300VRDS(ON)Ω內阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通態電流:6AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理系統:STP3NB60常用于開關電源、DC-DC轉換器和AC-DC轉換器等電源管理系統中。由于其低導通電阻和高擊穿電壓,這種MOSFET能夠有效地降低功率損耗,提高電源轉換效率。
2. 電機驅動:在電機控制和驅動電路中,STP3NB60被用來作為開關元件。其快速開關能力和高電流處理能力使其在控制直流電機和步進電機方面表現優異。
3. 逆變器:在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)中,STP3NB60被廣泛應用。其高耐壓特性和低漏電流確保了設備在高壓大電流環境下的穩定運行。
4. 照明系統:STP3NB60也常用于LED驅動電路和高效照明系統中。它能夠提供穩定的電流輸出,同時其低功耗特性有助于延長照明設備的使用壽命。
5. 工業自動化:在工業自動化設備中,STP3NB60被用于控制各種執行器和傳感器的電源。其高可靠性和長壽命使其成為工業控制系統中的理想選擇。
二、參數特點:
- 擊穿電壓:STP3NB60的漏源擊穿電壓(BVDSS)為600V,這意味著它能夠承受高達600伏的電壓而不會擊穿,非常適合應用于高壓環境中。
- 導通電阻:其導通電阻(RDS(on))典型值為2.5歐姆,這一低導通電阻特性使得STP3NB60在開關過程中產生的功耗較低,從而提高了整體電路的效率。
- 最大漏電流:STP3NB60的最大連續漏電流為3A。這使得它在處理中等電流負載時表現出色,同時保持了良好的熱管理特性。
- 柵極電荷:其典型柵極電荷(Qg)為21nC,這意味著STP3NB60具有較快的開關速度,有助于減少開關損耗,提高電路的工作頻率。
- 工作溫度范圍:STP3NB60的工作溫度范圍為-55°C到+150°C,寬廣的工作溫度范圍確保其在各種環境條件下都能可靠運行,適應不同的應用需求。
綜上所述,STP3NB60以其高擊穿電壓、低導通電阻和高可靠性在電源管理、電機驅動、逆變器、照明系統和工業自動化等多個領域得到了廣泛應用。其卓越的電氣參數和穩定的性能使其成為眾多電子工程師的首選器件。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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