PD最大耗散功率:35WID最大漏源電流:8.6AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:700VRDS(ON)Ω內阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通態電流:4.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~4.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:100μAGfs(min)S跨導:7.7SGfs(min)VDS漏源電壓:15VGfs(min)lo通態電流:4.5A
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源(SMPS):STP10NK70Z常用于開關電源中,因其具有低導通電阻和高擊穿電壓,能夠有效提高轉換效率并減小開關損耗。這在需要高效能量傳輸和嚴格熱管理的電源系統中尤為重要。
2. 電機驅動器:在工業和消費電子產品中,STP10NK70Z可以用于電機驅動器。其高電流承載能力和快速開關特性,使其在控制電機轉速和方向時表現出色,適用于電動工具、家電等設備。
3. 逆變器和變頻器:在光伏逆變器和變頻器中,STP10NK70Z的高電壓和高效開關特性使其能夠處理從直流到交流的高效轉換,廣泛應用于太陽能發電系統和變頻控制系統。
4. 汽車電子:STP10NK70Z在汽車電子中也有重要應用,如電源分配模塊和車載充電器。其可靠性和耐高溫特性,使其在惡劣環境下也能穩定工作。
5. 消費電子:在各種消費電子設備中,STP10NK70Z被用于電源管理和充電電路,如筆記本電腦、智能手機和便攜式電源設備,幫助優化能效和延長電池壽命。
二、參數特點:
1. 擊穿電壓(Vds):STP10NK70Z的擊穿電壓高達700V,能夠承受較高的電壓應力,適用于高壓應用環境。
2. 導通電阻(Rds(on)):導通電阻是MOSFET的重要參數,STP10NK70Z的導通電阻典型值僅為0.70Ω,在導通狀態下損耗低,有助于提高整體電路的效率。
3. 漏極電流(Id):STP10NK70Z的最大連續漏極電流為10A,適用于高電流需求的應用,提供足夠的電流處理能力。
4. 門極電荷(Qg):STP10NK70Z的總門極電荷為57nC,這意味著它能夠快速響應控制信號,適合高頻開關應用。
5. 結溫和工作溫度范圍:STP10NK70Z的結溫范圍為-55°C至150°C,能夠在寬溫度范圍內穩定運行,適應各種嚴苛的工作環境。
綜上所述,STP10NK70Z是一款高性能的N溝道MOSFET,其卓越的電氣特性和廣泛的應用場景使其成為電力電子和電源管理系統中的理想選擇。無論是在高效能量轉換的開關電源,還是在嚴苛環境下工作的汽車電子,STP10NK70Z都能提供可靠的性能和穩定的工作表現。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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