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PD最大耗散功率：35WID最大漏源電流：20AV(BR)DSS漏源擊穿電壓：600VRDS(ON)Ω內(nèi)阻：0.165ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流：10AVRDS(ON)柵極電壓：10VVGS(th)V開(kāi)啟電壓：2~4VVGS(th)ld(μA)開(kāi)啟電流：250μAGfs(min)S跨導(dǎo)：SGfs(min)VDS漏源電壓：VGfs(min)lo通態(tài)電流：A
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一、應(yīng)用場(chǎng)景：
1. 通信設(shè)備： STF26NM60N 可用于功率放大和開(kāi)關(guān)控制，保護(hù)電源系統(tǒng)和信號(hào)傳輸線路免受電壓沖擊。
2. 工業(yè)電子： 在各種工業(yè)控制系統(tǒng)和電力電子設(shè)備中，STF26NM60N 能夠提供高效的功率開(kāi)關(guān)和電壓控制。
3. 汽車(chē)電子： 用于電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和車(chē)載電子控制單元，STF26NM60N 能夠穩(wěn)定可靠地工作。
4. 太陽(yáng)能逆變器： 在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，STF26NM60N 用作逆變器的關(guān)鍵組件，實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電能的轉(zhuǎn)換和控制。
5. 電源系統(tǒng)： 作為開(kāi)關(guān)管或功率 MOSFET，STF26NM60N 在各種電源系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用，提供高效的能量轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
二、參數(shù)特點(diǎn)：
1. 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：STF26NM60N 具有低導(dǎo)通電阻，可以降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高耐壓能力（VDS）：STF26NM60N 能夠在高壓下穩(wěn)定工作，保證系統(tǒng)的可靠性和安全性。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度：STF26NM60N 具有快速的開(kāi)關(guān)速度，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)性能。
4. 熱特性：STF26NM60N 具有良好的散熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
5. 可靠性：STF26NM60N 由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)，質(zhì)量可靠，廣泛應(yīng)用于各種關(guān)鍵系統(tǒng)中。
總的來(lái)說(shuō)，STF26NM60N 作為一款性能穩(wěn)定可靠的功率 MOSFET，廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，為系統(tǒng)的高效運(yùn)行提供了重要支持。
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