PD最大耗散功率:30WID最大漏源電流:13AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.285ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:6.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開(kāi)啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開(kāi)啟電流:250μAGfs(min)S跨導(dǎo):SGfs(min)VDS漏源電壓:VGfs(min)lo通態(tài)電流:A
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一、應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):STF18NM60N被廣泛用于主開(kāi)關(guān)器件。它的低柵極電荷和快速開(kāi)關(guān)速度能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少功耗。
2. 電機(jī)控制:在電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,STF18NM60N可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器件,提供高效、穩(wěn)定的電流控制。
3. 不間斷電源(UPS):在UPS系統(tǒng)中,STF18NM60N可以實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓,確保在電源中斷時(shí)提供穩(wěn)定的電力輸出。
4. 太陽(yáng)能逆變器:在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,STF18NM60N用于逆變器部分,能夠有效處理直流到交流的轉(zhuǎn)換過(guò)程,提升系統(tǒng)效率。
5. 照明控制系統(tǒng):在現(xiàn)代照明系統(tǒng)中,特別是LED照明驅(qū)動(dòng)中,STF18NM60N作為開(kāi)關(guān)器件,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和精確的亮度控制。
二、參數(shù)特點(diǎn):
- 高耐壓能力:該MOSFET的漏源極電壓(VDS)最大值為600V,使其適用于高電壓環(huán)境中的應(yīng)用,如電源和工業(yè)設(shè)備。
- 低導(dǎo)通電阻:其典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))在最大電流下為0.23Ω,這有助于減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
- 大電流處理能力:STF18NM60N能夠處理高達(dá)18A的連續(xù)漏極電流,這使其在需要處理大電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
- 低柵極電荷:該器件的總柵極電荷(Qg)僅為55nC,有利于降低驅(qū)動(dòng)功耗和提升開(kāi)關(guān)速度。
- 良好的熱性能:STF18NM60N的熱阻(RθJA)較低,支持更高的功率密度和更長(zhǎng)的器件壽命。
綜上所述,STF18NM60N憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠的性能,在高效電力轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。其在多種工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的使用,體現(xiàn)了其在高性能和高可靠性方面的顯著優(yōu)勢(shì)。
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