PD最大耗散功率:70WID最大漏源電流:80AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:40VRDS(ON)Ω內阻:0.006ΩVRDS(ON)ld通態電流:40AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理系統:在開關電源、直流-直流轉換器和逆變器中,STD80N4F6常用于控制和調節電流流動。這些系統要求高效能和低損耗,而這款MOSFET的低導通電阻和快速開關能力正好滿足這些要求。
2. 電機驅動器:STD80N4F6適用于各種電機驅動應用,包括無刷直流電機(BLDC)和步進電機驅動器。在這些應用中,該器件的高電流承載能力和高開關速度使其成為理想選擇,有助于實現平穩的電機控制和高效能運行。
3. 太陽能逆變器:在太陽能發電系統中,STD80N4F6被用作功率開關元件,幫助實現從直流到交流的高效能轉換。這款器件的低導通電阻特性使其能夠在高電流條件下保持低功耗,提高整體系統的效率。
4. 電池管理系統(BMS):在電動汽車和儲能系統的電池管理中,STD80N4F6用于電池的充放電控制。其高可靠性和低導通電阻確保了系統的穩定性和安全性,延長了電池的使用壽命。
5. 負載開關:在便攜式設備和計算機周邊設備中,STD80N4F6常用于負載開關應用。其高開關速度和低導通電阻有助于減少功耗和提高設備的續航時間。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):STD80N4F6的導通電阻非常低,典型值為0.006Ω。這意味著在導通狀態下的功率損耗非常低,適用于高效率要求的應用場景。
- 高電流承載能力:該器件的連續漏極電流(ID)高達80A,使其能夠承載高電流負載,適用于電機驅動和電源管理等高電流需求的應用。
- 耐高壓:STD80N4F6的漏源電壓(VDSS)為40V,能夠在較高電壓條件下穩定工作,確保在高壓應用中的可靠性和安全性。
- 快速開關速度:該器件具有極快的開關速度,這使其在高頻開關應用中表現優異,如開關電源和DC-DC轉換器。快速開關能力有助于減少開關損耗,提高系統效率。
- 熱性能優越:STD80N4F6的熱阻(RθJC)較低,確保了在高功率條件下的良好散熱性能。良好的熱管理特性有助于提高器件的可靠性和壽命。
通過對STD80N4F6的應用場景和參數特點的詳細介紹,可以看出這款N溝道MOSFET在電源管理、電機驅動、太陽能逆變器、電池管理系統以及負載開關等領域具有廣泛的應用前景和優越的性能。其低導通電阻、高電流承載能力、耐高壓、快速開關速度以及優越的熱性能,使其成為各種高效能、高可靠性電子設備的理想選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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