PD最大耗散功率:45WID最大漏源電流:2.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:620VRDS(ON)Ω內阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通態電流:1.4AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~4.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:STD3N62K3常用于各種電源轉換設備,包括AC/DC轉換器、DC/DC轉換器等。它的高效開關特性使得電源設備能夠以更高的效率運行,減少能量損耗。
2. 開關電源:在開關電源設計中,STD3N62K3能夠承受高電壓和電流,使其在轉換電壓和調節電流時特別有效。這種特性對于需要穩定電源輸出的高性能電子產品至關重要。
3. 電動車和充電站:STD3N62K3也被廣泛應用于電動車及其充電站的設計中,用于控制電流和電壓,確保充電過程的穩定和安全。
4. 電子開關:此外,STD3N62K3也適用于各種高頻電子開關應用,如逆變器、調光器等,它能夠快速切換電流方向,有效控制電力輸出。
二、參數特點:
- 高壓能力:這款MOSFET能夠承受高達620V的漏源電壓,這意味著它能在高電壓環境下安全穩定地工作。
- 低柵閾值電壓:STD3N62K3的柵閾值電壓低(大約2.0V至4.0V),這有助于在較低的電壓下啟動和控制晶體管,提高了設備的靈敏度和響應速度。
- 高電流容量:它能處理高達3A的連續漏電流,這一特性適用于需要處理大電流的應用。
- 低導通電阻:STD3N62K3的導通電阻非常低,這有助于減少能量消耗和熱量產生,從而提高整體效率和可靠性。
- 封裝與耐用性:該型號采用TO-251封裝,具有良好的機械強度和熱穩定性,適合于苛刻的物理和溫度條件。
總之,STD3N62K3以其卓越的電氣性能和適應性,成為許多高性能電子設備的首選組件。這些應用場景和參數特點共同體現了其在現代電子技術中的重要價值。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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