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        場效應(yīng)MOS管STD18NF03參數(shù)

        PD最大耗散功率:30WID最大漏源電流:17AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:8.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2.2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          STD18NF03是一款低電壓N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。本文將詳細(xì)介紹其應(yīng)用場景和參數(shù)特點(diǎn)。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 開關(guān)電源:STD18NF03經(jīng)常用于開關(guān)電源(SMPS)中,尤其是在負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路中。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度使其非常適合高效能的電源管理應(yīng)用。

          2. 電機(jī)驅(qū)動:在電機(jī)驅(qū)動電路中,STD18NF03可以用作電機(jī)控制器,能夠高效地處理電機(jī)啟動和停止時的高電流需求,確保電機(jī)運(yùn)行的平穩(wěn)和高效。

          3. DC-DC轉(zhuǎn)換器:STD18NF03常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,其高效率和低損耗特性使其成為穩(wěn)壓和降壓轉(zhuǎn)換器的理想選擇,廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)中。

          4. 電池管理系統(tǒng):在電池管理系統(tǒng)中,STD18NF03用于電池保護(hù)電路,以防止過充、過放和短路。其快速的開關(guān)能力和低功耗特性,有助于延長電池的壽命和提高系統(tǒng)的安全性。

          5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:STD18NF03也廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等。其低功耗和高效能特性,使得這些設(shè)備在功耗和性能之間取得了良好的平衡。

          二、參數(shù)特點(diǎn):

          - 低導(dǎo)通電阻:STD18NF03的RDS(on)值非常低,典型值為0.018歐姆。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,其電能損耗很小,有助于提高系統(tǒng)的效率和減少熱量的產(chǎn)生。

          - 高脈沖電流能力:STD18NF03能夠處理高達(dá)80A的脈沖電流,使其在需要高峰值電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如在電機(jī)啟動或突發(fā)負(fù)載變化時。

          - 快速開關(guān)速度:其開關(guān)速度非常快,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的電流切換,這對高頻率應(yīng)用非常重要,如開關(guān)電源和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器中。

          - 低柵極電荷:STD18NF03的總柵極電荷(Qg)僅為50nC左右,這使得其在開關(guān)時所需的驅(qū)動能量較低,適用于高效能和低功耗的應(yīng)用場景。

          - 堅固的封裝:STD18NF03采用TO-252封裝,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性,適合在各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境下使用。同時,其封裝尺寸較小,適合高密度的PCB設(shè)計。

          STD18NF03憑借其優(yōu)越的電氣特性和可靠的物理性能,在現(xiàn)代電子設(shè)計中占據(jù)了重要地位,是許多工程師的首選器件之一。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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