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        三極管SI2308參數

        PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源電流:5.4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:20VRDS(ON)Ω內阻:27MΩVRDS(ON)ld通態電流:5.4AVRDS(ON)柵極電壓:4.5VVGS(th)V開啟電壓:0.5~1.2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:17SGfs(min)VDS漏源電壓:10VGfs(min)lo通態電流:5.4A

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          SI2308是一款功率場效應晶體管(MOSFET),由于其優異的電氣性能和可靠性而廣泛應用于許多應用場景。

          一、應用場景

          1.電源管理模塊:SI2308廣泛應用于智能手機、筆記本電腦、電動工具等電子設備的電源管理。電流和電壓可以得到有效的控制和優化。

          2.開關模式電源(SMPS):該組件提供卓越的開關電源性能,SI2308特性有助于保持開關電源的穩定性能。為應用提供高轉換效率,特別適合需要小功率模塊和高頻電路的場景。

          3.電機驅動控制:對于電機控制應用,SI2308由于其低導通電阻和良好的散熱性能,提供有效的功率傳輸,并且可以與電機或步進電機控制模塊一起使用,以驅動可變得更有效率。我們為自動化設備和家用電器提供可靠的驅動解決方案。

          4.LED照明控制:SI2308為LED驅動電路提供低損耗開關特性,適用于LED照明模塊中亮度和電流的精確控制,實現高效率的電流控制,從而延長LED燈的使用壽命并降低能源消耗。

          5.便攜式設備:由于SI2308體積小、功耗低,廣泛應用于需要輕薄設計的便攜式設備。這些設備通常包括平板電腦、智能可穿戴設備等。MOSFET的低損耗特性有助于延長設備的電池壽命。

          二、參數特點

          - 低導通電阻 (RDS(ON)):SI2308的低導通電阻導致極低的通態功耗,從而提高整體效率。此功能在能源管理和電機驅動等應用中尤為重要。低導通電阻可有效控制大電流并減少發熱。

          - 高開關速度:SI2308的高開關速度確保了開關電源和高頻電路中的卓越性能。這種快速開關能力可實現低功耗,并可支持高速數字信號傳輸,使其成為功率轉換數字/模擬混合電路的理想選擇。

          - 柵極電壓控制 (VGS):SI2308具有較低的柵極電壓閾值(通常約為1V),允許在低電壓控制下啟動和運行,使其適合低功耗便攜式應用。對于電子產品所需的功耗控制來說,這個參數特性尤其重要,因為它可以顯著降低電路的功耗。

          - 封裝尺寸:SI2308采用SOT-23封裝。緊湊的封裝方法可以輕松集成到空間有限的電路板中。小尺寸使其適合使電子產品變得更輕、更小,使安裝和散熱設計更加靈活。

          - 溫度穩定性:該器件在較寬的溫度范圍內表現出穩定的工作特性,通常適用于-55°C至+150°C的穩定運行。SI2308的高溫穩定性使其適用于惡劣的工作環境,例如戶外設備和工業設施。

          - 低柵極電荷 (Qg):SI2308的低柵極電荷特性提高了高速開關時對驅動電路的要求,有效降低了控制器的功耗。低柵極電荷還意味著控制器中的能量損失。它非常適合高頻應用,因為它可以減少高頻開關狀態下的MOSFET損耗。

          綜上所述,SI2308具有較低的導通電阻、高開關速度、低柵極電壓和小封裝尺寸,確保了許多電子應用中高效穩定的電氣性能。它們的溫度穩定性和低功耗也使其成為移動設備和工業應用的重要組件。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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