PD最大耗散功率:45WID最大漏源電流:20AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:60VRDS(ON)Ω內阻:0.035ΩVRDS(ON)ld通態電流:20AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 通信設備:NCE60P12K 在通信設備中用于功率管理和電源控制,確保設備穩定工作。
2. 工業自動化:在工業控制系統中,NCE60P12K 作為開關元件,用于驅動電機和控制電力設備。
3. 汽車電子:在汽車電子系統中,NCE60P12K 被廣泛應用于發動機控制單元(ECU)和電動車輛的電源管理。
4. 消費電子:在電子產品如筆記本電腦、充電器等中,NCE60P12K 用于功率轉換和電池管理。
5. 可再生能源:在太陽能和風能發電系統中,NCE60P12K 被用于電力逆變器和電網連接。
二、參數特點:
1. 低導通電阻: NCE60P12K 的低導通電阻確保了功率轉換時的高效能。
2. 高耐壓特性:具有較高的耐壓特性,能夠在高電壓環境下穩定工作。
3. 快速開關特性:具有快速的開關速度,適用于高頻開關電路。
4. 優秀的熱特性:能夠在高溫環境下長時間穩定工作,具有良好的熱穩定性。
5. 可靠性高:經過嚴格的質量控制和可靠性測試,NCE60P12K 具有高可靠性和穩定性。
綜上所述,NCE60P12K 作為一款高性能功率MOSFET,在各種電力電子應用中發揮著重要作用。其低導通電阻、高耐壓特性以及優秀的熱特性,使其成為眾多電子設備中不可或缺的重要組成部分。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

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