極性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)電流:300mABVCBO(V)集電極-基極電壓:300VBVCEO(V)集電極-發射極電壓:300VBVEBO(V)發射極-基極電壓:5VhFE(min)最小放大倍數:100hFE(max)最大放大倍數:200hFEVce(v)集電極與發射極電壓:10VhFElc(mA)集電極電流:10mAVCE(Sat)V集電極-發射極飽和電壓:0.2VVCE(Sat)lc(mA)電極電流:20mAlB(mA)基極電流:2mAFt(MHZ)頻率:50MHZ
立即咨詢一、應用場景
1.信號放大電路:MMBTA42廣泛應用于小信號放大器,特別是需要高電壓放大但功耗低的電路中。最大集電極-發射極電壓達到300V,因此可用于高壓信號放大環境。此外,緊湊的外殼使其適合安裝在空間有限的PCB上,也適合需要高耐受電壓的多層PCB設計中的開關應用。
2.電壓開關:MMBTA42的集電極-發射極擊穿電壓Vceo使其適合用于高電壓、低功耗電路,用于繼電器和保護電路的電壓開關。
3.通用電流驅動器:還可作為通用電流驅動器,驅動LED、蜂鳴器等小型負載。最大集電極電流為500mA,尤其在直流電源應用中提供穩定的驅動。更快的響應速度還可以更好地適應驅動當前的要求。
4.電源調節電路:雖然MMBTA42的功耗有限,但它也可用于一些低功耗電源調節或電壓穩定的應用,如穩壓電源電路的電壓控制部分。
5.低功率:由于飽和壓降相對較低,因此即使在低功率條件下也可以進行有效的電流控制,從而減少功率損耗。
二、參數特點
- 高集電極-發射極擊穿電壓:MMBTA42的最大集電極-發射極擊穿電壓Vceo為300V,因此在電路中表現出優異的性能。需要處理高電壓,不僅提高了其在高壓應用中的適用性,而且大大提高了電路的抗干擾能力,避免了因電壓突變而損壞的風險。
- 中等電流容量:最大集電極電流Ic為500mA,足以滿足低電流和小負載應用。驅動LED等小負載時,可實現穩定的電流輸出,電流容量為500mA。晶體管發熱在可控范圍內,適合長期使用。
- 低飽和壓降:在MMBTA42集電極/發射極的飽和電壓可以降低功耗,特別是在電流驅動應用中,有效減少低功率電路中的熱損失。這種低飽和電壓特性在調光和電流控制電路中非常重要,因為它可以確保在低壓工作環境下精確控制電流并提高電路效率。
- 信號增益特性:該晶體管的直流電流增益值hFE通常在100至400之間,具有高增益特性,適合信號放大場合。高增益意味著它可以在小輸入信號下運行。
- 熱穩定性:MMBTA42在溫度波動較大的環境中表現出優異的熱穩定性。高電壓強度和適中的電流容量即使在高溫條件下也能穩定運行。小封裝還提高了散熱性,使其適合在高密度電子電路中長期運行。
綜合起來,MMBTA42的高耐壓、適中的載流能力、低飽和壓降和高增益特性使其成為NPN晶體管的可靠選擇,使其在電氣工程和許多其他場合中更為理想。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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