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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)PD最大耗散功率:48WID最大漏源電流:10AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:185MΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:6AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導(dǎo):3.1SGfs(min)VDS漏源電壓:25VGfs(min)lo通態(tài)電流:6A
立即咨詢一、應(yīng)用場景:
1. 電源管理:由于其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,IRLR120NTRPBF常用于電源管理電路,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。它能夠有效地控制電流和電壓,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。
2. 電動工具:在電動工具中,這種MOSFET能夠提供高效的電流控制和保護(hù),確保工具在各種負(fù)載條件下的可靠性和耐用性。
3. 汽車電子:IRLR120NTRPBF在汽車電子系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,如電子控制單元(ECU)、電動座椅、車窗控制系統(tǒng)等。其高可靠性和低功耗特性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。
4. 工業(yè)自動化:在工業(yè)自動化設(shè)備中,這種MOSFET用于電機驅(qū)動和控制系統(tǒng),能夠提供精確的電流控制和高效的能量傳輸。
5. 消費電子:包括智能手機、平板電腦等設(shè)備中的電源管理模塊,IRLR120NTRPBF能夠確保設(shè)備在高效運轉(zhuǎn)的同時保持低功耗。
二、參數(shù)特點:
- 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):該MOSFET的導(dǎo)通電阻非常低,在典型條件下僅為0.004Ω,這使得它在高電流應(yīng)用中具有極低的功率損耗和高效能。
- 高脈沖電流能力:IRLR120NTRPBF能夠承受高達(dá)160A的脈沖電流,這使其在需要處理瞬態(tài)大電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
- 耐高壓能力:其漏源電壓(VDS)為30V,適用于多種電壓環(huán)境下的應(yīng)用。
- 快速開關(guān)速度:該器件具有快速的開關(guān)速度,能夠在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和信號處理。
- 低柵極電荷(Qg):IRLR120NTRPBF的柵極電荷較低,這使得它在驅(qū)動時所需的能量較少,能夠提高系統(tǒng)的整體效率。
綜上所述,IRLR120NTRPBF由于其優(yōu)異的參數(shù)特點和廣泛的應(yīng)用場景,成為電子工程師在設(shè)計高效能和高可靠性的電路時的重要選擇。其低導(dǎo)通電阻、高脈沖電流能力和快速開關(guān)速度使其在各種嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中表現(xiàn)出色。
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