PD最大耗散功率：1.3WID最大漏源電流：-3.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓：-20VRDS(ON)Ω內阻：65MΩVRDS(ON)ld通態電流：-3.7AVRDS(ON)柵極電壓：-4.5VVGS(th)V開啟電壓：-0.4~-1.2VVGS(th)ld(μA)開啟電流：-250μAGfs(min)S跨導：6SGfs(min)VDS漏源電壓：-10VGfs(min)lo通態電流：-3.7A
立即咨詢一、應用場景
1. 低功耗開關應用：IRLML6402廣泛應用于低功耗電子產品，特別是需要高效開關控制的電路。低導通電阻可最大限度地減少加電期間的功耗，使其成為智能家居設備、無線傳感器和其他低功耗系統的理想選擇。
2. 高效率電源切換：強大的電源切換功能有助于延長電池壽命并優化電池使用效率。
3. 負載開關控制器：IRLML6402特別適用于家用電器、便攜式設備和電動工具中的智能功率控制和負載開關。提供可靠的開關性能并支持高頻開關操作。
4. 電動汽車和充電系統：電動汽車(EV)和電動工具充電系統使用IRLML6402進行高效能源管理和電力重新路由。低電壓驅動和快速響應特性可以保證充電系統的穩定性和效率。
5. 反向電流保護：IRLML6402可用于電力系統中的反向電流保護，防止設備因反向電流而損壞，確保電路穩定運行，特別是敏感電子設備。
二、參數特點
- 低導通電阻：IRLML6402具有非常低的導通電阻(Rds(on))，可最大限度地減少接通期間的功率損耗，是高效率應用的理想選擇。
- 高開關速度：該MOSFET具有快速開關速度，適合高頻開關應用，支持高頻工作，滿足現代電子產品的響應速度要求。
- 高電流能力：IRLML6402可承受高電流，適用于需要高電流能力的應用，例如電池管理和電源控制系統，其彈性使其可用于電動工具和充電系統等高壓應用中。
- 工作電壓范圍寬：IRLML6402的工作電壓范圍為0V至20V，可以滿足各種應用的電壓范圍要求，提供更好的設計靈活性。
- 小封裝：IRLML6402是一個小封裝，適用于空間有限的應用。緊湊的外觀使其能夠集成到各種小型電子設備中，提高了設計靈活性和適應性。
- 低柵極驅動電壓：作為低壓控制MOSFET，IRLML6402可以在較低柵極電壓下工作，使其適合低壓驅動電路，進一步提高低功耗應用中的性能。
總的來說，IRLML6402因其優異的參數特性，廣泛應用于低功耗電源管理、負載開關控制、電池管理等領域，特別適合需要高速開關和大載流的設備。
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