PD最大耗散功率：1.25WID最大漏源電流：-3AV(BR)DSS漏源擊穿電壓：-30VRDS(ON)Ω內阻：98MΩVRDS(ON)ld通態電流：-3AVRDS(ON)柵極電壓：-10VVGS(th)V開啟電壓：-1~-2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流：-250μAGfs(min)S跨導：3.1SGfs(min)VDS漏源電壓：-10VGfs(min)lo通態電流：-3A
立即咨詢一、應用場景：
1. 通信設備：IRLML5203TRPBF可用于功率開關電路，在無線基站等通信設備中實現高效能的能量轉換。
2. 電機驅動：IRLML5203TRPBF可作為電機驅動電路中的功率開關，控制電機的轉速和方向。
二、參數特點：
1. 低導通電阻（RDS(on))：IRLML5203TRPBF具有較低的導通電阻，提高功率開關電路的效率。
2. 低門電荷(Qg)：IRLML5203TRPBF具有低門電荷，能夠快速開關，減少能量損耗。
3. 低開關損耗：IRLML5203TRPBF在開關過程中能夠減少能量損耗，提高電路效率。
4. 高耐壓能力：IRLML5203TRPBF具有較高的耐壓能力，適用于各種功率電路的應用。
5. 緊湊型封裝：該器件采用SOT-23封裝，具有小型化、輕量化的特點，適合于空間有限的應用場合。
總的來說，IRLML5203TRPBF是一款性能穩定、應用廣泛的MOSFET器件，適用于功率開關電路和電機驅動電路等領域，其低導通電阻、低門電荷和高耐壓能力等特點使其在電路設計中備受青睞。
工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
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