PD最大耗散功率:170WID最大漏源電流:89AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:55VRDS(ON)Ω內阻:0.01ΩVRDS(ON)ld通態電流:46AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:50SGfs(min)VDS漏源電壓:25VGfs(min)lo通態電流:46A
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:IRL3705N在電源管理領域廣泛應用。它可以用作開關電源中的功率開關,控制電流的傳輸和電壓的調節。其低導通電阻和高開關速度使其在高效率的DC-DC轉換器中得到廣泛應用。
2. 電機驅動:在電機驅動系統中,IRL3705N可以作為電機的開關元件,控制電機的啟停和轉速。其低開啟電阻和低開關損耗有助于提高電機驅動系統的效率和性能。
3. 照明控制:在LED照明系統和其他照明控制應用中,IRL3705N可用于調光和開關控制。其高速開關特性和低導通電阻有助于提高照明系統的穩定性和效率。
4. 電池管理:在鋰電池充放電管理系統中,IRL3705N可用于控制充放電電路的開關和保護功能,確保電池充放電過程的安全和高效。
5. 汽車電子:在汽車電子系統中,IRL3705N常被用于控制電動汽車的電池充放電、電動機驅動和車載電源管理等方面,發揮著關鍵作用。
二、參數特點:
1. 低導通電阻(RDS(on)):IRL3705N具有較低的導通電阻,能夠在導通狀態下產生較小的功率損耗,提高系統效率。
2. 高開關速度:該器件具有快速的開關特性,有助于降低開關過程中的能量損耗和溫升,提高系統響應速度。
3. 低輸入電容:IRL3705N的輸入電容較低,減小了輸入信號對其控制的響應時間,提高了系統的動態響應性能。
4. 低閾值電壓(Vth):其低閾值電壓使得在低電壓控制情況下也能實現可靠的開關操作。
5. 耐壓能力:IRL3705N具有較高的耐壓能力,適用于各種高壓環境下的應用場景,具有較強的穩定性和可靠性。
綜上所述,IRL3705N作為一款性能優異的N溝道MOSFET,廣泛應用于電源管理、電機驅動、照明控制、電池管理和汽車電子等領域,其低導通電阻、高開關速度、低輸入電容、低閾值電壓和良好的耐壓能力等參數特點使其在各種應用場景中發揮著重要作用。
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