PD最大耗散功率:156WID最大漏源電流:21AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:250VRDS(ON)Ω內阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通態電流:10.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理系統:IRFW654B在高效電源轉換器中,作為開關元件,能夠提高電源轉換效率,減少能量損耗,從而延長設備的使用壽命。
2. 電動汽車控制系統:在電動汽車中,IRFW654B可用于驅動電機和電池管理系統,有助于提高汽車的動力輸出和能量效率。
3. 太陽能逆變器:IRFW654B在太陽能光伏系統中,起到關鍵的轉換和控制作用,使太陽能電池板的直流電轉換為交流電供家庭和工業使用。
4. 不間斷電源(UPS)系統:在UPS系統中,IRFW654B能夠快速切換,確保在電力故障時,電池能夠迅速接管,提供穩定的電力輸出。
5. 工業控制系統:IRFW654B在工業自動化設備中,用于控制大功率負載,例如電動機、泵和壓縮機,確保系統的高效運行。
二、參數特點:
- 高擊穿電壓:IRFW654B的最大擊穿電壓為100V,這使其適用于高電壓應用場景,如電源管理和電動汽車控制系統。
- 低導通電阻:IRFW654B的典型導通電阻為0.019歐姆,這確保了在大電流下的低能量損耗和高效率。
- 高電流承載能力:IRFW654B的最大連續漏極電流為42A,這使其能夠承載高功率負載,適用于電動汽車和工業控制系統等高功率應用。
- 快速開關速度:IRFW654B具有較快的開關速度,使其在需要快速響應的應用中表現優異,如UPS系統和太陽能逆變器。
- 低柵極電荷:IRFW654B的典型柵極電荷為48nC,低柵極電荷意味著更少的驅動功率需求,使其適用于高效電源管理和便攜式設備中。
綜上所述,IRFW654B是一款性能卓越的MOSFET,因其高擊穿電壓、低導通電阻、高電流承載能力、快速開關速度和低柵極電荷等優點,被廣泛應用于電源管理系統、電動汽車控制系統、太陽能逆變器、不間斷電源系統和工業控制系統等高功率電子設備中。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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