PD最大耗散功率:49WID最大漏源電流:6.6AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:250VRDS(ON)Ω內阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通態電流:3.3AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:IRFR234BTF常用于電源管理系統,尤其是在開關電源和DC-DC轉換器中。由于其低導通電阻和高開關速度,能夠有效提高電源效率,減少功耗。
2. 電機控制:在電機控制應用中,IRFR234BTF能夠提供快速切換和高效能量傳輸,適用于各種電機驅動電路,如無刷直流電機(BLDC)和步進電機控制器。
3. 光伏逆變器:IRFR234BTF在光伏逆變器中也有廣泛應用。其高效的能量轉換能力和耐高電壓特性,使其在太陽能發電系統中發揮重要作用,能夠提高系統的整體效率。
4. 電池管理系統:在電池管理系統(BMS)中,IRFR234BTF被用來實現電池的充放電控制,確保電池的安全性和長壽命。其穩定的性能和高可靠性是電池管理系統的重要組成部分。
5. 消費電子:在各種消費電子產品中,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦,IRFR234BTF用于電源管理和電流控制,提供高效、可靠的電源解決方案。
二、參數特點:
- 低導通電阻:IRFR234BTF具有非常低的導通電阻(R_DS(on)),這意味著在導通狀態下能量損失較小,從而提高了整體電路的效率。
- 高開關速度:IRFR234BTF具備快速的開關速度,可以在高頻應用中保持高效性能。這對于開關電源和高速數字電路尤為重要。
- 高耐壓性:該器件能夠承受較高的漏源極電壓(V_DS),適用于各種高壓應用場景,提供可靠的電壓保護。
- 低柵極電荷:IRFR234BTF的低柵極電荷(Q_g)使得驅動該MOSFET所需的功率更小,從而降低了驅動電路的復雜性和功耗。
- 封裝特點:IRFR234BTF采用標準的TO-252封裝,這種封裝形式不僅有助于散熱,還簡化了電路設計和PCB布局。
綜上所述,IRFR234BTF憑借其出色的參數特點和廣泛的應用場景,成為現代電子設備中不可或缺的組件。無論是在電源管理、電機控制、光伏逆變器還是消費電子產品中,IRFR234BTF都展現出了其高效、可靠的性能優勢。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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