PD最大耗散功率:45WID最大漏源電流:17AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:55VRDS(ON)Ω內阻:0.075ΩVRDS(ON)ld通態電流:10AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 功率放大器:IRFR024N因其較低的導通電阻和高頻特性而適用于功率放大器電路。在音頻放大器、功率放大器等設備中,IRFR024N可用于控制功率放大的過程,提供所需的放大效果。
2. 開關電路:由于IRFR024N具有較高的開關速度和低導通電阻,因此在開關電源、DC-DC轉換器等電路中有著廣泛的應用。其快速的開關特性使得在開關電路中可以實現高效能的電源控制。
3. 電源管理:IRFR024N常用于電源管理系統中,如直流穩壓器、開關模式電源等。它能夠在低電壓下工作,并且具有較高的電流承載能力,因此在電源管理中起到了重要作用。
4. 汽車電子系統:在汽車電子系統中,IRFR024N可以用于驅動電機、控制燈光等應用。其高效能、低導通電阻以及穩定性能使其成為汽車電子系統中的重要組成部分。
5. 工業控制:IRFR024N也被廣泛應用于工業控制領域,如機器人控制、自動化設備等。其可靠性和穩定性使得其在工業環境中能夠長時間穩定工作。
二、參數特點:
1. 低導通電阻:IRFR024N具有較低的導通電阻,能夠在導通狀態下減少功率損耗,提高效率。
2. 高開關速度:IRFR024N具有較高的開關速度,能夠快速地從導通到截止狀態轉換,提高了開關電路的響應速度。
3. 低閾值電壓:IRFR024N的閾值電壓較低,使得它可以在較低的控制電壓下實現開關操作,提高了系統的靈活性。
4. 高耐壓能力:IRFR024N能夠承受較高的漏極-源極電壓,適用于各種不同電壓等級的電路設計。
5. 溫度穩定性好:IRFR024N具有良好的溫度穩定性,即使在高溫環境下也能夠保持穩定的性能,適用于各種工作環境。
綜上所述,IRFR024N作為一款性能穩定、應用廣泛的MOSFET型號,在各種電子電路中都有著重要的作用,特別是在功率放大、開關電路、電源管理等領域具有突出的性能優勢。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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