PD最大耗散功率:25WID最大漏源電流:8.2AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:50VRDS(ON)Ω內阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通態電流:4.2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理系統:IRFR010常用于電源管理系統中,如直流-直流轉換器、逆變器和電壓調節器。它在這些系統中負責開關操作,能夠提供高效的電能轉換和穩定的輸出電壓。
2. 電機驅動:在電機驅動應用中,IRFR010能夠控制電機的啟動、停止和速度調節。它的高效開關性能和低導通電阻使其能夠減少能量損耗,提高整體系統的效率。
3. 照明控制:IRFR010也被廣泛應用于照明控制電路中,特別是在LED照明系統中。它能夠調節LED的亮度并提供過電流保護,確保照明系統的穩定和可靠運行。
4. 工業自動化:工業自動化設備中經常使用IRFR010來控制各種執行器和傳感器。它的高可靠性和快速響應能力使其適合在復雜的工業環境中運行。
5. 消費電子:IRFR010在消費電子產品中也有廣泛應用,如智能手機、筆記本電腦和可穿戴設備。它在這些設備中負責電源管理和熱量控制,確保設備的長時間穩定運行。
二、參數特點:
- 低導通電阻:IRFR010的導通電阻非常低,典型值約為0.18歐姆。這意味著在導通狀態下它的能量損耗較小,能夠提高系統的效率并減少發熱。
- 高電流處理能力:IRFR010可以處理高達4.2安培的連續電流,適合用于需要大電流傳輸的應用場景,如電機驅動和電源管理系統。
- 高擊穿電壓:該型號的MOSFET具有較高的擊穿電壓,最高可達100伏。這使得IRFR010能夠在高壓應用中穩定工作,減少了設計中對額外保護電路的需求。
- 快速開關速度:IRFR010的開關速度非常快,能夠在納秒級別進行切換。這對于高頻率開關應用,如開關電源和脈沖電路,尤為重要。
- 熱性能:IRFR010具備良好的熱性能,能夠在高溫環境下穩定運行。其結溫最高可達175攝氏度,適合用于高溫工況下的電子設備。
綜上所述,IRFR010是一款性能優越、應用廣泛的N溝道增強型功率MOSFET。其低導通電阻、高電流處理能力、高擊穿電壓、快速開關速度和良好的熱性能使其在電源管理、電機驅動、照明控制、工業自動化和消費電子等領域得到了廣泛應用。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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