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        場效應MOS管IRF840參數

        PD最大耗散功率:125WID最大漏源電流:8AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通態電流:4.8AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:4.9SGfs(min)VDS漏源電壓:50VGfs(min)lo通態電流:4.8A

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          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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