PD最大耗散功率:30WID最大漏源電流:-15AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-100VRDS(ON)Ω內阻:0.105ΩVRDS(ON)ld通態電流:-7.5AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-1~-2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-1000μA
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一、應用場景:
1. 開關電源(SMPS):H7P1002DS常用于開關電源中,作為高效的電源開關器件。它能夠在高頻率下快速切換,提供高效率的電能轉換。由于其低導通電阻和快速的開關速度,能夠減少開關損耗,提高整個電源系統的效率和可靠性。
2. 電動工具:在電動工具中,H7P1002DS被用作電機驅動控制器。其高電流處理能力和耐高壓特性,使其適合用于高功率電動工具的電源管理,確保電動工具的穩定運行和長壽命。
3. 汽車電子:H7P1002DS廣泛應用于汽車電子系統,如電動汽車的動力控制單元、車載充電器和電源管理模塊。其高耐壓性和低導通電阻,使其在汽車電子領域中能夠穩定可靠地工作,提供優異的性能。
4. 太陽能逆變器:在太陽能發電系統中,H7P1002DS用于逆變器模塊中。其高效的開關特性可以提高能量轉換效率,確保太陽能電池板產生的直流電能有效轉換為交流電,供家庭或工業使用。
5. 便攜式設備:H7P1002DS在便攜式設備如筆記本電腦、智能手機和移動電源中,作為功率管理和電池保護的關鍵器件。其低功耗和高效能特性,能夠延長電池壽命并確保設備的安全性。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):H7P1002DS的低導通電阻使其在導通狀態下具有較小的電壓降,從而減少功率損耗,提高系統的效率。例如,其典型的導通電阻僅為幾毫歐級別,在高電流應用中表現尤為突出。
- 高擊穿電壓:H7P1002DS具有高擊穿電壓,一般在600V以上,這使其能夠在高壓環境下可靠工作,防止因電壓過高而損壞。
- 高開關速度:該MOSFET具有快速的開關速度,能夠在幾納秒的時間內完成開關動作。這對于高頻應用場景如開關電源和高頻逆變器非常重要,能夠顯著提升系統的工作效率。
- 低柵極電荷(Qg):H7P1002DS的低柵極電荷特點,使其在開關時需要的驅動電流較小,從而減小驅動電路的復雜性和功耗,適合在需要高效能的低功耗設備中應用。
- 優異的熱性能:H7P1002DS具有良好的熱性能,能夠在高功率密度應用中有效散熱,保證器件在高溫環境下的穩定運行。其封裝設計優化了散熱路徑,使其能夠處理更高的功率。
綜上所述,H7P1002DS以其卓越的電性能和廣泛的應用場景,成為眾多電子設備中的關鍵元器件。通過合理利用其特點,可以顯著提升系統的效率和可靠性。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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