PD最大耗散功率:280WID最大漏源電流:9AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:900VRDS(ON)Ω內阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通態電流:4.5AVRDS(ON)柵極電壓:40VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:9SGfs(min)VDS漏源電壓:40VGfs(min)lo通態電流:4.5A
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:FQPF9N90C常用于開關電源(SMPS)中,特別是AC-DC電源轉換器和DC-DC轉換器。這種MOSFET能夠在高壓條件下工作,適合用于電源中的主開關或PFC(功率因數校正)電路中。
2. 照明系統:在高效LED驅動電路中,FQPF9N90C可以用作主開關元件。它的高壓耐受能力使其能夠在大功率LED照明系統中提供穩定的電流控制。
3. 工業設備:該型號MOSFET還被用于工業設備的電機驅動和控制電路中。由于其快速開關特性,能夠有效地控制電機的啟動和停止。
4. 家用電器:在家用電器如微波爐、洗衣機等設備中,FQPF9N90C用于電源管理和控制電路,提供高效的能量轉換。
5. 音頻放大器:在音頻設備中,這款MOSFET也常用于高效放大電路中,以提供穩定的功率輸出。
二、參數特點:
- 漏源電壓(VDS):最大耐受電壓為900V。這使得該器件適用于高壓應用,特別是在需要耐高壓的電源和工業設備中。
- 漏極連續電流(ID):最大連續電流為9A。這一參數確保了FQPF9N90C能夠在高負載條件下穩定工作,適用于大功率設備。
- 導通電阻(RDS(on)):典型值為1.1Ω(在10V VGS下)。較低的導通電阻減少了開關損耗,提高了整體效率。
- 柵極閾值電壓(VGS(th)):典型值為3V。較低的閾值電壓使其能夠在較低的控制電壓下有效開關,提高了控制電路的靈活性。
- 結電容(Ciss):輸入電容約為1550pF。較低的結電容有助于提高開關速度,使其在高頻應用中表現出色。
綜上所述,FQPF9N90C是一款性能優異的高壓N溝道MOSFET,適用于多種高壓、高效的電源和控制應用。其高耐壓、高電流和低導通電阻等特點,使其成為電源管理、照明、工業控制等領域的理想選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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