PD最大耗散功率:28WID最大漏源電流:-5.3AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-100VRDS(ON)Ω內阻:0.53ΩVRDS(ON)ld通態電流:-2.65AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-2~-4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:FQPF8P10常用于電源管理電路,特別是在DC-DC轉換器中,用于高效轉換電能,降低功耗并提高電源效率。
2. 電機驅動:在電機驅動應用中,FQPF8P10用于控制電機的啟動、停止和速度調節,能夠提供高效、可靠的電流控制。
3. 負載開關:FQPF8P10適用于作為負載開關,用于控制不同設備和電路的通斷,實現智能管理和保護電路。
4. 音頻放大器:在音頻設備中,FQPF8P10可用作輸出級元件,提供低失真、高保真的音頻輸出。
5. 保護電路:在電子設備的保護電路中,FQPF8P10能夠作為過流、過壓保護元件,保護敏感元件免受電流或電壓波動的影響。
二、參數特點:
- 電壓和電流能力:FQPF8P10的最大漏源電壓(Vds)為100V,最大連續漏極電流(Id)為8A,能夠處理較高的電壓和電流,適合中等功率應用。
- 導通電阻:FQPF8P10的導通電阻(Rds(on))典型值為0.5Ω,在導通狀態下具有較低的電阻,這有助于降低功率損耗,提高電路效率。
- 柵極電荷:FQPF8P10的總柵極電荷(Qg)較低,為30nC,這使其能夠在高頻開關應用中快速響應,減少開關損耗。
- 熱性能:FQPF8P10具有良好的熱性能,最大結溫(Tj)為150℃,能夠在高溫環境下穩定工作,并且其熱阻(RθJC)較低,有助于有效散熱。
- 封裝類型:FQPF8P10采用TO-220封裝,這種封裝類型具有優良的散熱性能和機械穩定性,適合在需要良好散熱的應用場景中使用。
綜上所述,FQPF8P10作為一款P溝道MOSFET,具有廣泛的應用場景和優異的參數特點。無論是在電源管理、電機驅動,還是在負載開關、音頻放大和保護電路中,FQPF8P10都能提供高效、可靠的性能。其良好的電壓和電流處理能力、低導通電阻、快速響應時間以及出色的熱性能,使得FQPF8P10成為各種電子設備和電路設計中的理想選擇。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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