PD最大耗散功率:42WID最大漏源電流:4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:450VRDS(ON)Ω內阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通態電流:2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 開關電源(SMPS):FQPF6N45因其低導通電阻和高耐壓特性,常用于開關控制和電流調節環節。它能有效地轉換電源電壓,提高電源的整體效率和穩定性。
2. 電機驅動器:FQPF6N45能夠處理較大的電流,因此常被用于電機驅動電路中,用于控制電機的啟停和轉速調節。這種應用中對MOSFET的高電流承載能力和快速開關速度有較高的要求。
3. 逆變器:在逆變器電路中,FQPF6N45的高耐壓和低導通電阻特性使其成為理想的選擇。它可以有效地將直流電轉換為交流電,廣泛應用于太陽能發電系統和不間斷電源(UPS)中。
4. 電源管理系統:由于FQPF6N45的高電流承載能力和良好的熱性能,它非常適合用于電源管理系統中,包括電池管理和功率分配模塊,保證系統的高效能和可靠性。
5. 高頻開關電路:FQPF6N45的快速開關速度和低開關延遲使其在高頻開關電路中表現出色,如開關模式電源和射頻放大器中,有助于提高電路的工作效率和響應速度。
二、參數特點:
- 高電流承載能力:FQPF6N45具有較高的最大漏極電流(ID),能夠支持高達6A的電流負載。這使得它非常適合用于需要大電流的應用,如開關電源、逆變器和電機驅動器等。
- 低導通電阻:FQPF6N45在開關狀態下具有較低的導通電阻(RDS(on)),僅為0.45Ω。這一特點可以顯著減少功耗,提高系統的整體效率,尤其適合用于高頻開關電路和功率轉換器。
- 高耐壓特性:該MOSFET的最大漏極-源極耐壓(VDS)為45V,使其能夠在較高電壓環境下穩定工作。這種耐壓能力使FQPF6N45在各種高壓應用中表現出色,如DC-DC變換器和電源管理系統。
- 快速開關速度:FQPF6N45具有較快的開關速度和低的開關延遲,這有助于提高電路的響應速度和工作頻率,適合高頻率開關應用。
- 優秀的熱性能:該MOSFET具有良好的熱性能,其封裝設計可以有效散熱,確保器件在高功率條件下穩定工作,減少過熱對性能的影響。
綜上所述,FQPF6N45憑借其優良的電氣特性和熱性能,在多個高性能電子應用中展現出強大的優勢。無論是在開關電源、電機驅動、逆變器還是電源管理系統中,FQPF6N45都能提供可靠的性能支持。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
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