PD最大耗散功率:56WID最大漏源電流:12AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:300VRDS(ON)Ω內阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通態電流:6AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理:FQPF22N30常用于電源管理電路中,特別是在開關電源和DC-DC轉換器中。這種MOSFET可以高效地控制電流和電壓的轉換,減少能量損耗,提高電源的效率和穩定性。
2. 電機控制:在電機控制應用中,FQPF22N30可以用作功率開關,控制電機的啟動和停止,調節電機的速度。由于其低導通電阻和高電流承載能力,適合用于高性能的電機驅動電路。
3. 太陽能逆變器:FQPF22N30在太陽能逆變器中也發揮重要作用。它可以在高頻率下工作,提高逆變器的效率,并有效轉換太陽能板輸出的直流電為交流電,供家庭或商業用途。
4. LED驅動器:在LED照明應用中,FQPF22N30可以作為開關元件,控制LED的亮度和電流。它的高效率和低熱損耗特點,使其成為LED驅動電路中的理想選擇。
5. 充電器和適配器:FQPF22N30廣泛應用于各種充電器和電源適配器中,特別是在快速充電技術中,它的快速開關能力和高效能量轉換特性,可以大大縮短充電時間并提高充電效率。
二、參數特點:
1. 導通電阻:FQPF22N30的導通電阻(Rds(on))非常低,典型值為0.18歐姆。這意味著在導通狀態下,它能夠承載較大的電流,同時保持較低的功耗和熱量產生。
2. 電流承載能力:FQPF22N30的最大連續漏極電流(Id)為22安培,這使其能夠在高電流應用中穩定運行。這一特點在電源管理和電機控制等高功率需求的應用中尤為重要。
3. 擊穿電壓:FQPF22N30的漏源擊穿電壓(Vds)為300伏,這使其適用于高電壓應用環境。它能夠在較高的電壓下可靠地工作,而不會發生擊穿或損壞。
4. 柵極電荷:FQPF22N30具有較低的柵極電荷(Qg),典型值為45納庫倫。這使得它在高頻率開關時能保持較低的開關損耗,提高整體電路的效率。
5. 熱性能:FQPF22N30的熱阻(Rthj-c)為1.5°C/W,意味著它在高功率工作時能夠有效地散熱,保持穩定的工作溫度,從而延長其使用壽命。
綜上所述,FQPF22N30憑借其低導通電阻、高電流承載能力、高擊穿電壓、低柵極電荷和良好的熱性能,成為許多電子應用中的理想選擇。從電源管理、電機控制到太陽能逆變器和LED驅動器,FQPF22N30都展示了其卓越的性能和可靠性。在選擇合適的功率MOSFET時,FQPF22N30無疑是一個高效且可靠的選擇。
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