PD最大耗散功率:87WID最大漏源電流:8AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:250VRDS(ON)Ω內阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通態電流:4AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理系統:在開關電源(如DC-DC轉換器)中,FQP8N25用于高效能量轉換和管理。由于其低導通電阻和高開關速度,這款MOSFET在電源管理中具有出色的性能。
2. 電機驅動:FQP8N25在電機驅動電路中也得到廣泛應用,特別是用于電動車、機器人和工業自動化設備的驅動控制。它能提供高效率和低功耗的電機控制。
3. 光伏逆變器:在光伏發電系統中,FQP8N25被用于逆變器電路中,將直流電轉換為交流電。其高耐壓特性使其在處理光伏面板產生的高壓電流時非常可靠。
4. 音頻放大器:FQP8N25在高保真音頻放大器中應用,提供低失真和高效率的音頻放大解決方案。其快速的開關速度和低導通電阻有助于提高音頻信號的質量。
5. 汽車電子:在汽車電子系統中,FQP8N25用于各種控制模塊,如引擎控制單元(ECU)、車燈控制、和電動窗控制等。其高溫性能和可靠性使其成為汽車電子的理想選擇。
二、參數特點:
- 最大漏源電壓(Vds):FQP8N25的最大漏源電壓為250V。這使得它能夠在高壓環境下工作,如光伏逆變器和工業電源管理系統中。
- 導通電阻(Rds(on):FQP8N25的導通電阻在10V柵極驅動電壓下僅為0.6Ω。這種低導通電阻減少了能量損耗,提高了系統的整體效率。
- 漏極電流(Id):FQP8N25的最大漏極電流為8A,這使得它能夠處理大電流應用,如電機驅動和電源管理系統。
- 柵極電荷(Qg):FQP8N25的總柵極電荷為25nC。這一低柵極電荷使得MOSFET能夠快速開關,從而提高系統的開關速度和效率。
- 結電容(Ciss):FQP8N25的輸入電容為1050pF。較低的輸入電容有助于降低開關損耗和提高開關速度。
- 熱阻(RθJC):FQP8N25的結到殼熱阻為1.5°C/W,確保在高功率應用中能夠有效散熱,維持穩定的工作溫度。
綜上所述,FQP8N25憑借其高耐壓、低導通電阻、高開關速度和高可靠性,成為了電源管理、電機驅動、光伏逆變器、音頻放大器和汽車電子等領域的理想選擇。其獨特的參數特點確保了在不同應用環境中的優異性能和可靠性。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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