PD最大耗散功率:100WID最大漏源電流:5AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:2.7AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源:在開關電源中,FQP5N50C常用于功率轉換和電壓調節(jié),能夠高效地處理高電壓和大電流,確保電源穩(wěn)定運行。
2. 電機驅動:在電機控制系統(tǒng)中,FQP5N50C能夠快速開關和調節(jié)電流,提供精確的控制和高效的能量傳輸,適用于各種工業(yè)和家用電機驅動場合。
3. 照明設備:FQP5N50C在LED驅動電路中表現出色,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,保證照明設備的長壽命和高亮度。
4. 逆變器:在逆變器電路中,FQP5N50C具有高效的功率轉換能力,適用于太陽能和風能等可再生能源系統(tǒng),提高能量利用率。
5. 電池管理系統(tǒng):在電池充放電管理中,FQP5N50C可以精確控制電流,防止過充或過放,延長電池壽命。
二、參數特點:
- 高耐壓:FQP5N50C的漏源極最大電壓為500V,使其能夠在高壓應用場景中穩(wěn)定工作。
- 低導通電阻:其典型導通電阻為1.6Ω,導通損耗低,提升了整體電路的效率。
- 高開關速度:FQP5N50C具備快速的開關能力,開關時間通常在幾十納秒級別,適用于高頻應用。
- 大電流處理能力:最大連續(xù)漏極電流為4.6A,適合大功率場合使用,能夠處理較大的電流需求。
- 熱性能優(yōu)越:其結到環(huán)境熱阻為62.5°C/W,良好的熱性能確保了器件在高功率密度情況下的可靠運行。
綜上所述,FQP5N50C作為一種高性能的N溝道MOSFET,在開關電源、電機驅動、照明設備、逆變器和電池管理系統(tǒng)等多種應用場景中表現出色,具有高耐壓、低導通電阻、高開關速度、大電流處理能力和優(yōu)越的熱性能等多項優(yōu)勢。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業(yè)園區(qū)
深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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