PD最大耗散功率:108WID最大漏源電流:4V(BR)DSS漏源擊穿電壓:800VRDS(ON)Ω內阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通態電流:2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~-5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:FQP4N80C在電源管理領域表現出色,特別適用于開關電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)系統。它的高耐壓特性和低導通電阻使其能夠高效地處理大電流,從而提高系統的整體效率。
2. 電機驅動:在電機驅動應用中,FQP4N80C因其快速開關速度和低導通電阻而被廣泛采用。它能夠有效地控制電機的啟動和停止,確保電機運行的平穩和可靠。
3. 照明系統:FQP4N80C在LED照明系統中也是一個理想的選擇。它可以用于驅動高功率LED燈,提供穩定的電流源,從而確保照明的亮度和壽命。
4. 逆變器:在逆變器應用中,FQP4N80C的高開關速度和高效率特性使其成為理想的開關元件。它能夠在逆變器中實現高效的交流到直流轉換,減少能量損失。
5. 音頻放大器:FQP4N80C也可以用于高保真音頻放大器中。它的低失真和高效率特點使其能夠提供清晰、強勁的音頻輸出,提升音質體驗。
二、參數特點:
- 高耐壓特性:FQP4N80C具有高達800V的漏源擊穿電壓(BVDSS),這使其能夠在高壓應用中穩定運行,提供可靠的電壓控制。
- 低導通電阻:其典型導通電阻(RDS(on))僅為3.2Ω,這確保了在大電流條件下的低功耗和高效能。
- 高電流能力:FQP4N80C的連續漏極電流(ID)可達4A,瞬態脈沖電流更高達16A,適合需要大電流處理能力的應用場合。
- 快速開關速度:這款MOSFET具備快速開關速度,能夠顯著減少開關損耗,提高整體系統的工作效率和性能。
- 增強型結構:FQP4N80C采用增強型結構設計,確保其在開啟狀態下能夠提供低電阻,同時在關閉狀態下提供高阻抗,確保電路的可靠隔離。
通過上述對FQP4N80C應用場景和參數特點的詳細介紹,希望讀者能夠更好地理解和使用這款高性能的N溝道增強型功率MOSFET。在實際應用中,合理選擇和配置FQP4N80C,能夠顯著提升電子設備的性能和可靠性。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號:粵ICP備2020121154號