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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)PD最大耗散功率:75WID最大漏源電流:3V(BR)DSS漏源擊穿電壓:800VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:4.5ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:1.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 高效電源管理:FQP3N80C常被用于高效電源管理系統(tǒng)中,特別是在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。由于其低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓,這款MOSFET在高效轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色,能夠減少功耗,提高系統(tǒng)整體效率。
2. 逆變器:在逆變器應(yīng)用中,FQP3N80C能夠處理高電壓、高電流的轉(zhuǎn)換任務(wù),確保輸出穩(wěn)定。其高擊穿電壓和快速開關(guān)速度使其成為逆變器設(shè)計(jì)中的理想選擇,特別是在光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中。
3. 電機(jī)控制:FQP3N80C也廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制領(lǐng)域,如電動(dòng)工具和家電中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其高脈沖電流處理能力和低導(dǎo)通電阻特點(diǎn),使其能夠在高頻開關(guān)操作中保持高效運(yùn)行,保證電機(jī)的平穩(wěn)啟動(dòng)和運(yùn)行。
二、參數(shù)特點(diǎn):
- 高擊穿電壓:FQP3N80C具備800V的高擊穿電壓,使其在處理高電壓應(yīng)用時(shí)具備極高的安全裕度。這樣的高擊穿電壓確保了在各種復(fù)雜的電氣環(huán)境中,MOSFET能夠穩(wěn)定工作,不易損壞。
- 低導(dǎo)通電阻:FQP3N80C的導(dǎo)通電阻僅為3.5歐姆,在低導(dǎo)通電阻的設(shè)計(jì)下,能有效減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。這一特點(diǎn)在需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中尤為重要。
- 高脈沖電流處理能力:該MOSFET還具備高脈沖電流處理能力,峰值脈沖電流可達(dá)12A,這使得FQP3N80C在需要處理瞬態(tài)大電流的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高頻開關(guān)電源。
- 快速開關(guān)速度:FQP3N80C擁有快速的開關(guān)速度,典型值為45ns,這對(duì)高頻操作至關(guān)重要。快速的開關(guān)速度不僅能提高系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間,還能降低開關(guān)損耗,從而提高整體效率。
- 耐用性和可靠性:由于采用了先進(jìn)的制造工藝,FQP3N80C在耐用性和可靠性方面表現(xiàn)優(yōu)異。其堅(jiān)固的構(gòu)造使其能夠在惡劣環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行,減少了維護(hù)和更換的頻率。
綜上所述,FQP3N80C憑借其卓越的性能和多樣的應(yīng)用場(chǎng)景,成為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)高效電源管理、逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)時(shí)的首選元件。其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、高脈沖電流處理能力、快速開關(guān)速度以及耐用性和可靠性,使其在眾多應(yīng)用中脫穎而出,展現(xiàn)出極高的實(shí)用價(jià)值。
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