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        場效應(yīng)MOS管FQP3N80參數(shù)

        PD最大耗散功率:107WID最大漏源電流:3AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:800VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:5ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:1.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FQP3N80是一種N溝道增強型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),在電子和電力系統(tǒng)中有廣泛的應(yīng)用。其高效、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度等特性使其在許多領(lǐng)域得到應(yīng)用。以下是關(guān)于FQP3N80的應(yīng)用場景和參數(shù)特點的詳細說明。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 開關(guān)電源:FQP3N80由于其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻,被廣泛用作高頻變換器中的開關(guān)元件。它可以有效提高電源的轉(zhuǎn)換效率,并減小散熱要求,從而提高整體系統(tǒng)的性能和可靠性。

          2. 電機驅(qū)動:在直流電機和無刷電機驅(qū)動電路中,FQP3N80憑借其快速開關(guān)速度和高電流處理能力,常用于H橋電路或全橋電路中,以實現(xiàn)對電機的高效控制和驅(qū)動。

          3. 逆變器:在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)中,FQP3N80被用來將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高效率和耐用性使其在這些應(yīng)用中尤為重要,確保能量轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定性和效率。

          4. 照明系統(tǒng):FQP3N80也用于LED驅(qū)動電路中,通過高效的電流控制,能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的LED亮度調(diào)節(jié),從而提高照明系統(tǒng)的能效和使用壽命。

          5. 電池管理系統(tǒng):在電動汽車和儲能系統(tǒng)中,FQP3N80用于電池充放電管理。其高效能和低損耗特性,有助于延長電池的使用壽命,并提高系統(tǒng)的整體性能。

          二、參數(shù)特點:

          - 擊穿電壓(Vds):FQP3N80的最大擊穿電壓為800V,這意味著它能夠承受高達800伏的電壓而不會損壞。這使其非常適合用于高壓應(yīng)用,如電源變換和電機控制等領(lǐng)域。

          - 導(dǎo)通電阻(Rds(on)):FQP3N80的導(dǎo)通電阻非常低,典型值為1.1Ω。這有助于在導(dǎo)通狀態(tài)下減少功耗,提高系統(tǒng)的效率。低導(dǎo)通電阻還意味著在大電流情況下產(chǎn)生的熱量更少,減少了散熱需求。

          - 連續(xù)漏極電流( Id):FQP3N80在25°C環(huán)境溫度下的最大連續(xù)漏極電流為3A。這使得它可以處理較大的電流,適用于需要高電流驅(qū)動的應(yīng)用場景,如電機驅(qū)動和電池管理。

          - 柵極閾值電壓(Vgs(th)):FQP3N80的柵極閾值電壓在2V到4V之間。這個參數(shù)決定了MOSFET的開啟狀態(tài),較低的閾值電壓有助于在低電壓控制信號下實現(xiàn)快速開關(guān)。

          - 功率耗散(Pd):FQP3N80的最大功率耗散為45W,這意味著它能夠在一定的熱管理條件下有效散熱,確保器件的穩(wěn)定運行。這對于高功率應(yīng)用場景尤為重要,如電源轉(zhuǎn)換和電機控制。

          綜上所述,FQP3N80憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、較高的連續(xù)漏極電流、適中的柵極閾值電壓以及良好的功率耗散特性,成為眾多電力電子應(yīng)用中的理想選擇。它在提高系統(tǒng)效率、減少熱量和增強可靠性方面發(fā)揮了重要作用。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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