PD最大耗散功率:40WID最大漏源電流:1.4AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:9ΩVRDS(ON)ld通態電流:0.7AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 通信設備:在通信設備中,FQP1N50可用于功率放大和開關電路,保證設備的穩定工作。
2. 電源系統:在開關電源和電源管理系統中,FQP1N50常被應用于功率開關部分,提高系統的效率和穩定性。
3. 電機驅動:在電動工具、電機驅動器等設備中,FQP1N50用作電機控制器的關鍵部件,實現對電機的精確控制。
4. 汽車電子:在汽車電子系統中,FQP1N50被應用于電源控制、電池管理系統等,確保汽車電子設備的可靠性。
5. LED照明:在LED照明系統中,FQP1N50可用作LED驅動器的關鍵組件,實現對LED的亮度調節和開關控制。
二、參數特點:
1. 低導通電阻:FQP1N50具有較低的導通電阻,減少功率損耗,提高系統效率。
2. 高耐壓能力:FQP1N50的耐壓能力可達50V,適用于一定范圍內的高壓應用,保證系統穩定性。
3. 快速開關速度:FQP1N50具有快速的開關速度,適用于高頻開關電路和需要快速響應的應用場景。
4. 小輸入電容:FQP1N50具有較小的輸入電容,減少驅動電路功耗,提高系統響應速度和效率。
5. 良好的溫度特性:FQP1N50在高溫環境下仍保持穩定性能,適用于各種惡劣工作環境。
通過以上介紹,我們可以看出,FQP1N50作為一款性能穩定、耐壓能力強、響應速度快的MOSFET,廣泛應用于各種電源、驅動和開關控制領域,為電子系統的高效運行提供了可靠保障。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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